virtual source模型模拟分析gan基电子器件特性研究

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1、分类号：劢弓转占单位代码：10422密级：撕学号：涉nl

2、‰{)∥户紊办番SHANDONGUNIVERSlTY硕士学位论文ThesisforMasterDegree论文题目：懒√骁船枕型檄拟匀李钾伽羔蜡别糖，I蝴竞眦一沈翕‰锄k钆“缸2沪≥彳舭向，，≥如j中锄刖觑c勿舭幻足扰fe劬嫩兢之肜砌√疡以也钆删作者姓名王丑莹培养单位坳丝莹盥专业名称缢醴墨篁燃盘缍指导教师丛些篁挞合作导师乒。岱年’月3。日万方数据原创性声明本人郑重声明：所呈交的学位论文，是本人在导师的指导下，独立进行研究所取得的成果。除文中已经注明引用的内容外，本

3、论文不包含任何其他个人或集体已经发表或撰写过的科研成果。对本文的研究作出重要贡献的个人和集体，均已在文中以明确方式标明。本声明的法律责任由本人承担。论文作者签名：圣量堂日期：蛰脾点。2彦关于学位论文使用授权的声明本人完全了解山东大学有关保留、使用学位论文的规定，同意学校保留或向国家有关部门或机构送交论文的复印件和电子版，允许论文被查阅和借阅；本人授权山东大学可以将本学位论文的全部或部分内容编入有关数据库进行检索，可以采用影印、缩印或其他复制手段保存论文和汇编本学位论文。(保密论文在解密后应遵守此规定)论文作一瞳垂耋翩签名

4、摊日期：巡圹万方数据山东大学硕士学位论文目录摘要IABSTRACT．．III主要符号表一VI第一章绪论．．11．1课题研究的背景和意义．．11．1．1GaN基材料11．1．2OaN基场效应晶体管．．j．21．1．3GaN基晶体管模型31．2本文的研究内容与安排3参考文献．5第二章器件的制备测试和器件工作机理．．72．1OaN异质结材料的生长一72．1．1外延生长技术72．1．2选取衬底材料72．2GaNHEMT的制备工艺一82．3GaNHEMT的工作机理．．92．3．1典型的GaNHEMT器件结构一92．3．2GaNHE

5、MT器件的极化电荷．．102．3．3GaNHEMT器件的输运．．122．3．4GaNHEMT器件的部分物理效应．．122．4GaNHEMT材料与器件的测试132．5GaNHEMT的直流特性152．6GaNHEMT的频率特性15参考文献16第三章VirtualSource模型研究A1GaN／GaNHEMT中极化库仑场散射对器件接万方数据山东大学硕士学位论文触区电阻的影响193．1A1GaN／GaNHEMT器件的制备与测试193．2VirtualSource模型输运和电荷模型．223．2．1本征晶体管模型j223．2．1．1

6、饱和区域233．2．1．2非饱和区域243．2．1．3GaN的特殊效应253．2．2接触区253．2．3沟道电荷模型263．3VirtualSource模型模拟得到的电流一电压输出特性与分析283．4器件接触区的电阻随漏极电流改变机制的研究29参考文献35第四章低温条件下A1N／GaNHEMT中的极化库仑场散射．．374．1A1N／GaNHEMT器件的制备与测试374．2准二维模型的计算方法444．3低温对A1N／GaNHEMT中的极化库仑场散射的影响．．47参考文献52第五章结论．．53致谢55攻读硕士学位期间发表的学

7、术论文目录．．56万方数据山东大学硕士学位论文CoNTENTSABSTRACT(CN)¨=IABSTRACTrEN)．．IIIListofSymbols．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．VIChapter1Introduction．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．11．1Backgroundandobjectoftheresearch．．．．．．

8、．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．11．1．1GaN—basedmaterials．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．11．1．2GaN—basedfield．effecttransistors．．．．．21．1．3ModelsforGaN．basedtransistors．．31．2Synopsisofdissertation．．．．．．．．

9、．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．3References．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．5Chapter2Preparat