长江存储赶超将为NAND Flash市场带来新变量.doc

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1、长江存储赶超将为NANDFlash市场带来新变量　　2018年全球NANDFlash价格一路走跌，由于市场需求增长平缓，业者预期下半年将延续跌势，随着国际NANDFlash大厂纷纷加码投资次时代技术堆叠，2019年QLC(Quad-LevelCell)NAND将迈入百家争鸣时代，带动消费性固态硬盘(SSD)容量快速升级至TB等级，加上长江存储发布新一代3DNAND架构Xtacking，试图超车追赶国际大厂，全球NANDFlash产量持续增加，战火愈益激烈，2019年NANDFlash市场恐将大幅震荡。　　　　美光(Micron)与英特尔(Intel)于5月发布全球首款QLC3

2、DNAND技术SSD，宣告2018年进入QLC量产元年，目标市场锁定数据中心应用领域。近期三星电子(SamsungElectronics)宣布将针对消费性市场推出QLCSSD产品，采用64层3DNAND堆叠生产，最大容量将达到4TB，后续将再推出企业用QLCSSD。　　　　存储器业者指出，2018年以来NANDFlash价格走势疲弱，消费性市场搭载大容量SSD产品需求与渗透率持续成长，尽管QLC具有更高容量和成本优势，然因单位体积容量增加与存储密度增大，厂商要确保产品速度和性能水平并不容易，三星声称已可实现QLCSSD与TLC同等级的性能，未来高容量SSD拥有价格优势，可望提

3、升ODM厂商搭载意愿，包括笔记本电脑(NB)搭载SSD主流规格将朝向1TB迈进。　　　　由于SSD容量发展速度已明显快于HDD，意味着SSD将加快取代HDD的脚步，尤其三星推出消费性QLCSSD抢市后，业界预期东芝(Toshiba)96层QLC3DNAND亦可望跟进推出，2019年全球存储器原厂QLCSSD产品相继问世，存储器模块厂亦将推出新品上市，带动SSD容量升级及价格竞争白热化。　　　　SK海力士则推出全球首款4DNANDTLC产品，芯片面积更小、处理工时缩短且成本降低，其采用96层堆叠技术，I/O接口速度为1.2Gbps，预计2018年第4季推出样品，同时投入4DQL

4、C研发，可望于2019年下半推出样品。　　值得注意的是，在国内发展存储器国产化的声浪下，长江存储日前亦推出全新3DNAND架构Xtacking，首要特点在于大幅提升I/O接口速度，具备3DNAND多层堆叠的更高存储密度，并可减少上市周期。　　长江存储指出，Xtacking可将I/O接口速度提升到3Gbps，相当于DRAMDDR4的速度，产品开发时间可缩短3个月，生产周期缩短20%，可加速3DNAND产品上市，Xtacking技术将应用于第二代3DNAND产品开发，预计2019年进入量产。　　业界认为长江存储积极超车赶上的态势，加上第4季32层NAND将进入量产，2019年能否

5、快速扩大量产及铺货将是观察重点，即使目前长江存储NAND技术仍落后国际大厂，但市场价格制约力量将逐渐形成，并为NANDFlash市场波动带来新变量。