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时间:2018-12-08
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1、由弱到强三星电子是如何确立今天的地位的?由弱到强三星电子是如何确立今天的地位的? 我国最近在举国家之力发展存储器,在这一关键节点,反观和学习三星存储器的成功之道是十分必要而现实的。 三星电子在存储器方面的成功,有外在因素如韩国政府的大力支持,以及美国对于日本半导体的反倾销策略等,但显然三星电子的内在因素起着决定性的作用。尤其是三星电子有一股气势,一定要成功超过日本,上下齐心合力,人的因素起了关键作用。 众所周知,DRAM的制造决定于成品率与产品成本,所以工艺生产线上每一步操作的成品率起着十分重要的作用。再加
2、上三星的正确策略,在美国设立研发中心,采用与韩国制造同样的设备,以及用高薪聘请在美做存储器的韩国工程师,并在美国培训人才后,再回到韩国工作。另外在全球存储器周期性下降时,它采用反周期的加大投资策略,积极扩充产能等。 内在与外在的因素综合在一起,推动了三星电子的存储器业成功。同样分析天时、地利与人和,在中国似乎都具备了条件,好象仅是某些地方差了一点点。因此未来中国在突破艰难的存储器制造业中必须十分清醒,仅拥有大市场与足够的投资还不一定能获得成功,需要人才的配合,并要有一股气势与勇气,以及技术上的真正过硬。 三星
3、半导体业起步 韩国半导体在1974年才开始起步,那时韩国正在推行一种叫”新社会运动”的活动。韩国半导体工业的第一个fab为韩国半导体Puchon厂,建于1974年10月。由于开张就面临财务危机,在同年12月仅生存三个月后,就被李健熙(LeeKunhe)主席的私人投资兼并,后被并入三星。 自1980年代之后,韩国半导体业才开始跨越式的进步,三星在1983年开始筹备集成电路制造也即DRAM的研发。 64KDRAM的研发成功对于韩国半导体业具有里程碑意义,也是迈向全球存储器强国的第一步。在那时三星电子的科研工作者
4、,日以继夜,努力追赶,放弃一切节假日休息,靠的是一股精神及志气。 在64KDRAM研发中,韩国非常清楚自己与先进国家之间的技术(1.5微米)差距为4年半,需要一步一步地追赶。在256KDRAM(1.2微米)时,这一差距已缩短为3年。在1989年10月,三星已经成功开发出16MDRAM(采用0.25微米技术),它已领先于全球任何一家制造商。 也即三星电子从1983年开发存储器,到1989年的16MDRAM研发成功,仅利用6年的时间,就前进了5代DRAM的技术,使三星电子一跃成为全球最先进的存储器制造商。 三星
5、电子从1983年开始DRAM的研发,1987年就实现第一次盈利,一直到1993年16MDRAM的量产,奠定了它在全球存储器霸主的地位。 它最为关键的决策是三星在1993年时就大胆投资兴建8英寸硅片生产线来生产DRAM。在当时全球6英寸硅片是主流地位,英特尔与台积电分别于1992年及1996年才兴建它们的第一条8英寸生产线。因为当时投资一条8英寸生产线的费用高达10000亿韩元(相当于10亿美元以上),风险很大。 1994年是韩国半导体工业的转折点,三星首先发布全球首块256MDRAM,当时256MDRAM意味
6、着在手指甲大小的芯片上集成2.56亿个晶体管及2.56亿个电容。 三星电子成功的原因初探 1980年代后韩国政府改变半导体产业政策,转向扶持DRAM,此时三星半导体开始获得政府支持。当时韩国政府组织”官民一体”的DRAM共同开发项目,也是通过政府的投资来发展DRAM产业。 进入DRAM市场初期,三星电子首先向当时遇到资金问题的美光(Micron)公司购买64KDRAM技术,之后开始自己开发256KDRAM。为了提高技术,这时三星半导体用高薪聘请在美国半导体公司工作过的韩国人,工资比总裁高4-5倍。 另外,
7、三星在美国建立研发中心,并配置相同的生产设备,让这些高薪人员来培训本土的工程师。然后经过培训后的工程师再回到本部,日以继夜地工作,很快三星在DRAM方面超过日本。 再有一点非常关键,1993年全球半导体市场转弱,但三星采用反周期的投资策略,加大投资DRAM力度建设8英寸生产线。 1984年9月三星推出64KDRAM,但是由于DRAM价格迅速下滑,从1984年初的4美元/片下降到1985年的30美分/片,而此时三星的生产成本是1.3美元/片。到1986年底,三星半导体累积亏损3亿美元,股权资本完全亏空。 由于
8、DRAM市场不景气,Intel等美国公司退出存储器市场,日本公司也缩减投资规模和生产能力。而由于三星的反周期投资,继续扩大产能,并开发更大容量的DRAM。当1987年产业出现转机时,加上美国政府发起对于日本半导体业的反倾销诉讼案,美国政府和日本企业达成自动出口限制协议,由于日本企业减少向美国出口,导致DRAM价格回升,三星开始首次实现盈利。 三星从1983年开始投资半导
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