合肥长鑫DRAM正式投片 国产存储的一大步.doc

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1、合肥长鑫DRAM正式投片国产存储的一大步　　日前，合肥长鑫的DRAM正式投片，产品的规格为为8GbLPDDR4。可以说，近期国内三大存储芯片工厂好消息接连不断。先是紫光麾下的长江存储宣布即将量产32层NANDFlash。随后，福建晋华与联电携手对镁光发起知识产权诉讼，福州中级人民法院裁定镁光公司数款产品在中国大陆禁售。在国家意志的推动下，中国存储芯片已然成为打破欧美日韩在芯片上垄断的第一个突破口。　　合肥长鑫DRAM正式投片国产存储的一大步　　日前，合肥长鑫的DRAM正式投片，产品的规格为为8GbLPDDR4。可以说，近期国内三大存储芯片工厂好消息接连不断。先是紫光

2、麾下的长江存储宣布即将量产32层NANDFlash。随后，福建晋华与联电携手对镁光发起知识产权诉讼，福州中级人民法院裁定镁光公司数款产品在中国大陆禁售。在国家意志的推动下，中国存储芯片已然成为打破欧美日韩在芯片上垄断的第一个突破口。　　　　顶层设计力图打破DRAM长期被外商所垄断格局　　DRAM被广泛应用于各种电子产品，比如电脑、服务器的内存条，以及智能手机、平板电脑的运行内存中都有DRAM的身影。由于三星和SK海力士在DRAM的市场份额合计高达70%，因而韩国企业可以轻易操纵DRAM市场。　　在三星等国外厂商恶意涨价的大背景下，在2017年，DRAM的价格疯涨，内

3、存条被网友调侃“都快涨成金条了”。市场规模也从2016年的415亿美元提升到2017年的722亿美元，涨幅高达74%。中国联想、华为、小米等整机厂和中国消费者都深受其害。而三星则借着存储芯片大涨价一举把Intel从垄断了20多年的霸主宝座上赶下了。因此，如何打破三星、SK海力士、镁光等公司的垄断，则是国内存储芯片企业的当务之急。　　其实，在2016年第四季度存储芯片大涨价之前，国家就已经着手布局存储芯片。当时国内5个城市对国家存储芯片项目进行了几轮的争夺，在几轮“淘汰赛”之后，国家存储基地落户武汉。原因就在于很多方面武汉比其他城市有优势，特别是武汉还有武汉新芯这家在

4、存储芯片方面有一定技术积累的企业，这使得武汉有一个很好的载体去承接国家存储芯片项目。　　不过，合肥在败给武汉之后，并没有气馁，反而在地方政府的主导下，决策继续做存储芯片。在资金上，投入了不少于460亿人民币，在技术上与日本前尔必达社长坂本幸雄合作，因而有日本媒体报道这是尔必达前社长坂本幸雄对韩国三星、SK海力士的复仇之战。　　用来打个比方的话，长江存储是“国家队”，合肥长鑫则是“省队”，而且长江存储与合肥长鑫做了分工，长江存储主攻NANDFlash，合肥长鑫主攻DRAM，这样就避免了两家企业重复建设和恶性竞争。　　根据原本的规划，合肥的存储芯片工厂预计量产时间为20

5、18年下半年，届时12英寸晶圆月产能高达10万片。不过，目前来看，这个指标要完成的难度非常大，希望合肥的存储芯片工厂能够早日实现预期的规划，把DRAM的产能提上来。　　对于境外企业有一定技术依赖性　　虽然合肥长鑫、福建晋华等国内存储企业纷纷传出好消息，但有一个事实必须明确，那就是在技术上，合肥长鑫、福建晋华对于境外企业都有一定的依赖性。　　在最初，合肥长鑫是打算和日本前尔必达社长坂本幸雄合作，不过，这场合作随后就淡出媒体的视野，不知是坂本幸雄非常低调，还是其他原因，媒体上看不到后续合作消息了。　　随后，又传出兆易创新投资合肥长鑫，并与合肥长鑫合作的消息。不过，兆易创

6、新只是在NorFlash上有一定技术积累，并在国外大厂纷纷退出NorFlash的大背景下，兆易创新抓住了镁光和Cypress等大厂退出留下的巨大市场空缺，在NorFlash市场上取得了商业上的成功，进而斩获了10%的市场。　　在DRAM上，兆易创新是不折不扣的白丁。之前，业界传出兆易创新将收购美国的ISSI以便获取DRAM相关技术，不过这项收购后来又告吹了。据业内人士披露，兆易创新的DRAM技术，其实也是源自外商授权的，并不是自主研发，只是当了一回“二传手”，一些媒体对兆易创新捧得太高了。　　同时，业界也传出合肥长鑫从中国台湾和韩国挖人的消息。虽然暂时没有明确合肥长

7、鑫的具体技术