全面屏手机边框可以做到多窄？是否能够做到100%？.doc

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1、全面屏手机边框可以做到多窄？是否能够做到100%？　　要说今年手机圈最热门的话题是什么，必然非全面屏莫属。事实上全面屏的概念并非今年才提出，早在2年前夏普在日本就推出过一款Crystal的类全面屏手机，只是品牌影响力的关系并没有在手机圈内引起关注。　　后来小米在2016年10月推出了首款以全面屏为黑科技卖点的手机小米Mix，全面屏手机边框可以做到多窄？是否能够做到100%？　　要说今年手机圈最热门的话题是什么，必然非全面屏莫属。事实上全面屏的概念并非今年才提出，早在2年前夏普在日本就推出过一款Crystal的类全面屏手机，只是品牌影响力的关

2、系并没有在手机圈内引起关注。　　后来小米在2016年10月推出了首款以全面屏为黑科技卖点的手机小米Mix，惊艳的外观以及小米公司制造话题的能力，瞬间将全面屏这个词推升到了手机界热搜榜的头名。雷军更是直言全面屏手机手机是未来10年的方向，今年会有全面屏手机大战。这之后，三星S8的推出似乎验证了雷军的预测，曲面屏＋全面屏的设计概念一扫去年Note7的颓势，各机构纷纷调升三星销量预测，在去年众媒体口中像比萨塔般即将倾倒三星大厦瞬间被扶正。　　作为唯一可以和三星手机正面硬恁的苹果当然不会让三星独美于世，于是有意无意间新一代iPhone8的渲染图琵琶

3、半遮面般的来到公众眼前。梦幻般的全面屏设计一下子引来无数惊叹，当然也夹杂着些许男士摸着荷包的叹息声。至此，全面屏概念已经彻底引爆手机圈，雷军先生在得意自己预测的准确性之外可能也会偷偷心疼一下小米Mix的销量。　　　　SamsungS8　　在Computex台北光电展期间，CINNO以《合作发展？共赢未来》为主题举办了首场台湾论坛，论坛上CINNOCEO陈丽雅便以《全面屏时代开启智慧手机市场发展展望》为题做了精彩报告（论坛资料下载请点击文末阅读原文）。这里就借报告靓图一用来开启我们全面屏的讨论。　　　　以专业的角度，来解构全面屏实现的可能性和

4、制造过程中的难点　　全面屏的技术要点有五个方向，分别是①SlimBorder②COF③18：9AA④C／R／LAngle⑤Ucut．。其实从本质上来讲就是三个方面，18：9AA区显示规范，四边窄边框和异形结构。本文主要讲述的是窄边框方面的解决方案，异形结构将在下文再详细解说。　　18：9AA区显示规范　　18：9的显示比较16：9更能贴合手机的尺寸，可以在同样大小的手机模具内放下更大尺寸的屏幕，显著提升屏占比。这样的设计变更理论上对面板设计不会有任何挑战，反而是手机操作系统和各APP软件需要配合新的长宽比做重新优化设计以取得更佳的使用体验，

5、避免出现黑边。　　窄边框　　面板窄边框的概念已经持续了很多年，要解释窄边框的问题首先我们要先简单了解一下显示面板的驱动原理。　　　　从上图我们可以看到，我们的显示面板是由RGB三色像素矩阵排列而来，并由横向的Gate线和纵向的Source线（data线）串联起来。Gate线功能相当于开关一样，打开即代表该行像素开始充电显示，Source信号则决定了该像素显示的亮度，通常会分为256个灰阶。这样Gate线按顺序逐行扫描，像素逐行点亮并利用人眼视觉滞留效应最终形成我们看到的图案。　　早期的面板有两个信号输入端，即Gate端子部和Source端子

6、部，通常端子部的宽度都比较宽，一般在5mm左右，面板为了设计对称，因此当时并没有窄边框的观念。　　GIA使得三边窄边框成为现实　　　　Gate驱动信号如上图显示，只有简单的开和关两种状态，因此随着TFT设计的改进，功能比较单一的GateIC被整合到TFT线路上，单独的GateIC被取消，Gate端子部也就不存在了，这就是GIA（GateinArray）技术。下图即为一个简易的GIA等效电路图和实体图。　　　　GIA技术解决了GateIC的问题，这样面板就只剩下了底部的Source端子部，其余三边就有了设计窄边框的可能。　　那么SourceI

7、C能否做同样的设计呢。答案是暂时不行，我们来看Source驱动信号如下图，通常被分为256种状态对应我们显示需要的256灰阶，相对Gate驱动信号要复杂的多，因此暂时没有办法集成到TFT线路中去。　　　　这里再补充说明一下256灰阶的意义。所谓灰阶，是将最亮（纯白）与最暗（纯黑）之间的亮度变化，区分为若干份，以便于进行信号输入相对应的屏幕亮度管控。目前显示领域主要采用的是256灰阶，下图可以清晰的显示各灰阶下我们得到的显示图像质量。　　　　三边窄边框　　现在我们来看手机的三边边框有什么，从AA区向外，决定边框宽度的就剩下我们的GIA线路和粘

8、合TFT／CF玻璃的框胶。　　　　框胶在生产过程中是一种软性固态胶，被涂布在玻璃上，需要照射紫外光后才能被固化。在a－Si制程中，GIA线路中部分半导体器件尺寸会在100um左右