中国半导体产业有望借存储技术崛起，成为半导体的未来之一.doc

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1、中国半导体产业有望借存储技术崛起，成为半导体的未来之一　　为了推动自主存储芯片的发展，我国以国家战略和意志建设半导体产业链，至今为止我国仅能批量生产55nm级别的NORFlash（NOR闪存），用于主板BIOS芯片等小容量、写入慢的逻辑芯片。3DNAND闪存也仅在实验室状态下，完成9层结构的存储芯片的存储器功能的电学验证。DRAM则干脆处于技术储备、规划当中，短期内无量产可能，如果靠我国纯正血统的技术、团队在几年时间追赶国外领先的存储芯片水平，其难度远高于我国的大飞机项目，且不论容量大小，不允许有任何失误。因此我们找到①技术的合作伙伴、②有经验的优秀团队以及③矽知识产权，将是加速我国

2、存储芯片量产的三大关键因素。　　　　中国完成DRAM技术飞跃的契机　　据日经新闻报道，由日本尔必达的元社长坂本幸雄所设立的半导体设计公司兆基科技（SinoKingTechnology）和安徽省合肥市政府正式签署工厂兴建契约，兆基科技将主导合肥市政府总额高达8000亿日元（460亿人民币（6.7180，0.0130，0.19%））的大规模半导体工厂兴建企划。新工厂将生产由兆基科技所设计研发、具备低耗电力的计算机内存（DRAM），计划在2018年下半年开始量产，以12吋晶圆换算的月产能达10万片的国内最大的内存芯片工厂。其实兆基科技现在只有10名日藉员工，从理论上讲应该是一个半导体设计公

3、司，他们也准备从中国、日本和台湾三国招募1000名半导体技术人员。合肥的计划当然是政府振新半导体行业的一部分，但是合肥市政府如此巨额的投资，为什么要和一个刚建立不久且员工只有10名的无名小辈合作呢？社长坂本幸雄个人的魅力是一个很重要的一点，但最重要的原因应该和武汉新芯和飞索联合作获取3DNANDFlash生产技术一样，是为了获取DRAM的生产技术。日本尔必达倒产以后，生产DRAM的只有三星、美光和SKHynix三巨头，紫光在美光收购和SKHynix入股的接连失败后，兆基科技成为现阶段获取DRAM技术的唯一选择。　　　　中国半导体选择存储芯片崛起的原因　　中国半导体行业选择存储芯片作为

4、崛起的突破口最重要的原因是迎合“大数据”和“云计算”时代的到来。根据野村证券的研报，现在世界在网络上的数据为8ZG（1ZB=270bit）左右，而其中15%的1.2ZB是储存在存储芯片里，90%由硬盘（HDD）存储，10%存储在像NAND那样的闪存里。到2020年，人类在虚拟空间积累的数据将达到44ZB，而且为了能对这些数据进行“云计算”，储存在闪存的数据将达到15ZB。这个数据是以现在NAND的价格为前提计算的，如果像3DNANDFlash那样的技术能提高存储容量和降低价格的话，2020年时闪存所占的比例将会为50%-70%，即22-30ZB左右，按此计算的话，月产10万片的超级工

5、厂需要234座，而现在世界上只有15座，在未来的4-5年间，世界需要219座超级工厂，“大数据”和“云计算”时代会给以3DNANDFlash为代表的闪存带来几何式增长需求。　　另一原因，一大半以上的“大数据”和“云计算”设备在中国生产应该是没有任何悬念，在生产阶段，中国将消费大部分的存储芯片。再则，随着中国“虚拟现实”、“互联网金融”等的发展，中国自身对存储芯片的需求也会成爆发式增长，这些“钢性需求”对新参的中国企业来说无疑是天赐良机。从战略层面上讲，现在是发展存储芯片难得的时间窗口。