晶体三极管及其基本放大电路

晶体三极管及其基本放大电路

ID:27665407

大小:5.82 MB

页数:216页

时间:2018-12-05

晶体三极管及其基本放大电路_第1页
晶体三极管及其基本放大电路_第2页
晶体三极管及其基本放大电路_第3页
晶体三极管及其基本放大电路_第4页
晶体三极管及其基本放大电路_第5页
资源描述:

《晶体三极管及其基本放大电路》由会员上传分享,免费在线阅读,更多相关内容在教育资源-天天文库

1、第5章晶体三级管及其放大电路9/25/20211电路与模拟电子技术基础BJT:BipolarJunctionTransistor——双极型晶体管——(晶体三极管、半导体三极管)﹡双极型器件两种载流子(多子、少子)9/25/20212电路与模拟电子技术基础几种常见晶体管的外形9/25/20213电路与模拟电子技术基础5.1.1晶体管的结构及其类型ecb发射极基极集电极发射结集电结基区发射区集电区NPNcbeNPN(a)NPN管的原理结构示意图(b)电路符号(base)(collector)(emitter)符号中发射极上的箭头方

2、向,表示发射结正偏时电流的流向。9/25/20214电路与模拟电子技术基础晶体管的结构9/25/20215电路与模拟电子技术基础PNPcbe(b)电路符号(a)PNP型三极管的原理结构符号中发射极上的箭头方向,表示发射结正偏时电流的流向。9/25/20216电路与模拟电子技术基础图2-3平面管结构剖面图*结构特点1、三区两结2、基区很薄3、e区重掺杂c区轻掺杂b区掺杂最轻4、集电区的面积则比发射区做得大,这是三极管实现电流放大的内部条件。9/25/20217电路与模拟电子技术基础5.1.2晶体管的电流分配与放大作用(以NPN管

3、为例)一、放大状态下晶体管中载流子的运动BJT处于放大状态的条件:内部条件:发射区重掺杂(故管子e、c极不能互换)基区很薄(几个m)集电结面积大外部条件:发射结正偏集电结反偏9/25/20218电路与模拟电子技术基础NPN型晶体管的电流关系9/25/20219电路与模拟电子技术基础外加偏置电压要求对NPN管UC>UB>UEUCUEUB对PNP管要求UC<UB<UEUCUEUB9/25/202110电路与模拟电子技术基础共射极直流电流放大系数一般1、直流电流放大系数9/25/202111电路与模拟电子技术基础5.1.3晶体管的

4、共射特性曲线晶体管特性曲线:描述晶体管各极电流与极间电压关系的曲线。icebiBC输出回路输入回路ecbiBiEceiEiCb(a)共发射极(b)共集电极(c)共基极9/25/202112电路与模拟电子技术基础下面以共射极电路为测试电路μAmAVViBiCUCCUBBRCRB+-uBE+-uCE+-9/25/202113电路与模拟电子技术基础5.1.3.1共射极输入特性曲线共射组态晶体管的输入特性:μAmAVViBiCUCCUBBRCRB+-uBE+-uCE+-它是指一定集电极和发射极电压UCE下,三极管的基极电流IB与发射结

5、电压UBE之间的关系曲线。9/25/202114电路与模拟电子技术基础cICeIENPNIBRCUCCUBBRBbIBNIENICN9/25/202115电路与模拟电子技术基础5.1.3.2共射极输出特性曲线共射组态晶体管的输出特性:它是指一定基极电流IB下,三极管的输出回路集电极电流IC与集电结电压UCE之间的关系曲线。9/25/202116电路与模拟电子技术基础uCE/V5101501234iC/mAIB=40A30A20A10A0AcICeIENPNIBRCUCCUBBRB15VbIBNIENICN9/25/2

6、02117电路与模拟电子技术基础共射输出特性曲线9/25/202118电路与模拟电子技术基础一、放大区★发射结正向偏置,集电结反向偏置1、基极电流iB对集电极电流iC的控制作用很强uCE/V5101501234饱和区截止区iB=-ICBO放大区iC/mAuCE=uBEIB=40A30A20A10A0A在数值上近似等于β问题:特性图中β=?β=1009/25/202119电路与模拟电子技术基础2、uCE变化时,iC影响很小(恒流特性)uCE/V5101501234饱和区截止区iB=-ICBO放大区iC/mAuCE=u

7、BEIB=40A30A20A10A0A即:iC仅决定于iB,与输出环路的外电路无关。放大区9/25/202120电路与模拟电子技术基础二、饱和区★发射结和集电结均正向偏置uCE/V5101501234饱和区截止区iB=-ICBO放大区iC/mAuCE=uBEIB=40A30A20A10A0A临界饱和:uCE=uBE,uCB=0(集电结零偏)9/25/202121电路与模拟电子技术基础IcCeIENPNIBRCUCCUBBRBIbIBNIEPIENICNC1饱和区(1)iB一定时,iC比放大时要小三极管的电流

8、放大能力下降,通常有iC<βiB(2)uCE一定时iB增大,iC基本不变图2-6饱和区载流子运动情况9/25/202122电路与模拟电子技术基础三、截止区★发射结和集电结均反向偏置iB=-iCBO(此时iE=0)以下称为截止区。工程上认为:iB=0以下即为截止区。9/25/2

当前文档最多预览五页,下载文档查看全文

此文档下载收益归作者所有

当前文档最多预览五页,下载文档查看全文
温馨提示:
1. 部分包含数学公式或PPT动画的文件,查看预览时可能会显示错乱或异常,文件下载后无此问题,请放心下载。
2. 本文档由用户上传,版权归属用户,天天文库负责整理代发布。如果您对本文档版权有争议请及时联系客服。
3. 下载前请仔细阅读文档内容,确认文档内容符合您的需求后进行下载,若出现内容与标题不符可向本站投诉处理。
4. 下载文档时可能由于网络波动等原因无法下载或下载错误,付费完成后未能成功下载的用户请联系客服处理。