晶体三极管及其基本放大电路.ppt

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1、第8章晶体三极管及其基本放大电路11.了解晶体三极管的类型、主要参数；掌握电流分配关系、特性曲线和放大、饱和、截止三种工作状态及条件；2.理解单管交流放大电路的放大作用和共发射极、共集电极放大电路的性能特点；3.掌握静态工作点的估算方法和放大电路的微变等效电路分析法；4.了解放大电路输入、输出电阻和多级放大的概念，了解互补功率放大电路的工作原理；5.了解场效应管的电流放大作用、主要参数；熟悉场效应管放大电路的分析方法。第8章晶体三极管及其基本放大电路本章基本要求：28.1晶体三极管8.2共发射极放大电路的静态分析8.4静态工作点的稳

2、定8.5射极输出器※8.7互补对称功率放大电路※8.8场效应晶体管及其放大电路8.3共发射极放大电路的动态分析8.6多极放大电路本章教学内容第8章晶体三极管及其基本放大电路3本章重点：本章难点：1.基本放大电路的电路结构2.基本放大电路的工作原理3.基本放大电路的分析方法4.基本放大电路的特点应用1.图解分析2.微变等效电路第8章晶体三极管及其基本放大电路48.1晶体三极管1.晶体三极管的基本结构晶体管的结构(a)平面型；(b)合金型BEP型硅N型硅二氧化碳保护膜铟球N型锗N型硅CBECPP铟球(a)(b)8.1.1三极管基本结构和电

3、流放大作用名词：晶体管是具有放大和开关作用的半导体器件5晶体管的结构示意图和表示符号(a)NPN型晶体管；(a)NNCEBPCETBIBIEIC(b)BECPPNETCBIBIEIC(b)PNP型晶体管CE发射区集电区基区集电结发射结NNP基极发射极集电极BCE发射区集电区基区P发射结P集电结N集电极发射极基极B8.1晶体三极管6基区：最薄，掺杂浓度最低发射区：掺杂浓度最高发射结集电结BECNNP基极发射极集电极结构特点：集电区：面积最大三个区：1.基区（P）2.发射区（N）3.集电区（N）二个结：1.发射结(B-E结)2.集电结(B

4、-C结)8.1晶体三极管7(a)NPN型晶体管+UBE+UCE电流方向和发射结与集电结电压极性发射结必须正向偏置，集电结必须反向偏置(b)PNP型晶体管2.电流放大作用（1）放大的外部条件和电流关系+UBE+UCEICIEIBCTEBIBIEICCTEB8.1晶体三极管8BECNNP1）发射结正偏、集电结反偏电源连接图PNP发射结正偏VBVE集电结反偏VC>VBEBRBECRC从电位的角度看：8.1晶体三极管9晶体管电流放大的实验电路设EC=6V，改变可变电阻R

5、B,则基极电流IB、集电极电流IC和发射极电流IE都发生变化，测量结果如下表：2）各电极电流关系mAAVVmAICECIBIERB+UBE+UCEEBCEB3DG1008.1晶体三极管10晶体管电流测量数据IB(mA)IC(mA)IE(mA)00.020.040.060.080.10<0.0010.701.502.303.103.95<0.0010.721.542.363.184.05结论:①IE=IB+IC符合基尔霍夫定律②ICIB，ICIE③ICIB把基极电流的微小变化能够引起集电极电流较大变化的特性称为晶体管

6、的电流放大作用。实质:用一个微小电流的变化去控制一个较大电流的变化，是CCCS器件。8.1晶体三极管111）发射区向基区扩散电子形成电流IE2）电子在基区复合与扩散形成电流IB3）集电区收集电子形成电流ICICIBBECNNPEBRBECIEIBEICEICBO（2）基本放大原理8.1晶体三极管12BECNNPEBRBECIEIBEICEICBO基区空穴向发射区的扩散可忽略。发射结正偏，发射区电子不断向基区扩散，形成发射极电流IE。进入P区的电子少部分与基区的空穴复合，形成电流IBE，多数扩散到集电结。从基区扩散来的电子作为集电结的少

7、子，漂移进入集电结而被收集，形成ICE。集电结反偏，有少子形成的反向电流ICBO。载流子的运动过程8.1晶体三极管13IC=ICE+ICBOICEICIBBECNNPEBRBECIEIBEICEICBOIB=IBE-ICBOIBEICE与IBE之比称为共发射极电流放大倍数集－射极穿透电流,温度ICEO(常用公式)若IB=0,则ICICE08.1晶体三极管14管子各电极电压与电流的关系曲线称为伏安特性曲线，是管子内部载流子运动的外部表现，反映了晶体管的性能，是分析放大电路的依据。为什么要研究特性曲线：(1)直观地分析管子的工

8、作状态(2)合理地选择偏置电路的参数,设计性能良好的电路重点讨论应用最广泛的共发射极接法的特性曲线8.1.2三极管的伏安特性曲线8.1晶体三极管15发射极是输入回路、输出回路的公共端共发射极电路输入回路输出回路测量晶体管