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时间:2020-09-28
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1、第4章晶体三极管及其基本放大电路4.1 晶体三极管4.2 放大电路的组成原则4.3 放大电路的基本分析方法4.4 晶体管放大电路的三种接法4.5 放大电路的频率响应§4.1晶体三极管一、晶体管的结构和符号二、晶体管的放大原理三、晶体管的共射输入特性和输出特性四、温度对晶体管特性的影响五、主要参数一、晶体管的结构和符号小功率管中功率管大功率管BJT的结构NPN型PNP型符号:--NNP发射区集电区基区发射结集电结ecb发射极集电极基极--PPN发射区集电区基区发射结集电结ecb发射极集电极基极晶体管有三个极、三个区、两个PN结。NPN型三极管集电区集电结
2、基区发射结发射区NN集电极C基极B发射极E再强化一下三极管的结构分类和符号PECB符号集电区集电结基区发射结发射区CBEN集电极C发射极E基极BNPPNPNP型三极管符号三极管的结构特点:(1)发射区的掺杂浓度>>集电区掺杂浓度。(2)基区要制造得很薄且浓度很低。二、晶体管的电流放大作用以共射极放大电路为例题:BJT放大,要求JBE_____JBC_____扩散运动形成发射极电流IE,复合运动形成基极电流IB。少数载流子的运动因发射区多子浓度高使大量电子从发射区扩散到基区因基区薄且多子浓度低,使极少数扩散到基区的电子与空穴复合因集电区面积大,在外电场作
3、用下大部分扩散到基区的电子漂移到集电区基区空穴的扩散1.内部载流子运动(以NPN型为例)NOTE2、电流分配:IE=IB+ICIE-发射区扩散运动形成的电流IB-基区复合运动形成的电流IC-集电区收集的电子形成电流穿透电流集电结反向电流共射直流电流放大系数交流电流放大系数类似:共基电流放大系数α等记住三、晶体管的共射输入特性和输出特性为什么UCE增大曲线右移?对于小功率晶体管,UCE大于1V的一条输入特性曲线可以取代UCE大于1V的所有输入特性曲线。为什么像PN结的伏安特性?为什么UCE增大到一定值曲线右移就不明显?1.输入特性两PN结并接集电极电场加
4、强,发射区入基区的电子越进集电区,基区参与复合的电子减少,同样大的ib需加大ube,使发射区注更多电子集电极电场足够强,电子几乎收集完2.输出特性对应于一个IB就有一条iC随uCE变化的曲线。uCE较小时iC随uCE变化很大,进入放大状态曲线几乎是横轴的平行线饱和区放大区截止区饱和区——iC受uCE显著控制的区域,该区域内uCE<0.7V。此时发射结正偏,集电结也正偏。截止区——iC接近零的区域,相当iB=0的曲线的下方。此时,发射结反偏,集电结反偏。放大区——曲线基本平行等距。此时,发射结正偏,集电结反偏。该区中有:饱和区放大区截止区晶体管的三个工作
5、区域晶体管工作在放大状态时,输出回路的电流iC几乎仅仅决定于输入回路的电流iB,即可将输出回路等效为电流iB控制的电流源iC。补练习四、温度对晶体管特性的影响题:受温度影响的三个参数为何?如何影响?五、主要参数直流参数:共射直流电流放大系数共基直流电流放大系数极间反向电流集-基极反向饱和电流ICBO:发射极开路,C、B极间加一反向电压时的反向电流。集-射极反向饱和电流ICEO(穿透电流):基极开路,C、E间加一反向电压时的反向电流,又称穿透电流。ICEO=ICBO(1+β)二者都是衡量BJT质量的重要参数。题:何为ICBO,为何与温度有关?交流参数:特
6、征频率(截止频率)fT:使β=1的信号频率共射交流电流放大系数共基交流电流放大系数通常取极限参数:ICM、PCM、U(BR)CEO集电极最大允许电流ICM:β下降到额定值的2/3时的集电极电流集电极最大允许耗散功率PCM:集电结上允许损耗功率的最大值。PC=ICUCE记住安全工作区反向击穿电压:三极管的各个电极所允许加的最大反向电压。U(BR)CEO:集-射极反向击穿电压U(BR)CBO:集-基极反向击穿电压U(BR)EBO:射-基极反向击穿电压低频小信号模型三极管的低频微变等效电路记住rbb’题目若未给,用200;若给,用给值三种连接组态共射极电路练
7、习4.64.2放大电路的组成原则一、电路的组成及各元件的作用二、设置静态工作点的必要性三、波形分析四、放大电路的组成原则一、电路的组成及各元件的作用VBB、Rb:使UBE>Uon,且有合适的IB。VCC:使UCE≥UBE,同时作为负载的能源。Rc:将ΔiC转换成ΔuCE(uo)。动态信号作用时:输入电压ui为零时,晶体管各极的电流、b-e间的电压、管压降称为静态工作点Q,记作IBQ、ICQ(IEQ)、UBEQ、UCEQ。共射由于(IB,UBE)和(IC,UCE)分别对应于输入、输出特性曲线上的一个点,所以称为静态工作点。IBUBEQIBUBEQUCEI
8、CICUCEIB为什么要设置静态工作点?放大电路建立正确的静态工作点,是为了使三极管工作在线性
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