DRAM价格居高不下，发改委约谈三星.doc

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1、DRAM价格居高不下，发改委约谈三星　　近年来，DRAM供货吃紧，价格居高不下，在去年底，就传出国家发改委曾约谈三星，关注储存芯片价格问题。　　在近日，又有双方签署MOU的消息，市场预期将可能抑制DRAM价格。集邦咨询半导体研究中心（DRAMeXchange）指出，内存价格涨势延续超过6季上扬，造成许多中国手机厂不堪成本压力，因而引来政府关注，将可能使今年第一季的DRAM价格受到抑制。而目前三星是全球最大的存储器芯片厂商，有近48％的全球市占率。　　　　DRAMeXchange研究协理吴雅婷指出，中国的存储器市场不管是内需或外销，都已越来越重要，目前供货商在生产移动内存的获利已远低于其他

2、类别产品，而第一季智能手机需求也很低迷，预期未来价格涨幅将受抑制。且为应对中国方面对于内存价格持续上涨所表达的强烈不满，对供货商而言，成本下降不易的考虑下，扩张产能的可能性将大增。　　MOU无关价格　　不过消息指出，曾向政府举报高通垄断的手机中国联盟秘书长王艳辉表示，近期发改委与三星签署的MOU无关价格问题，是高技术局与三星之间有关半导体领域的相关技术合作，及扩大在中国投资等议题，而非价监局的手笔。的确价监局曾经就DRAM涨价一事约谈过三星，但现在尚不能确定会对三星采取何种措施，如果三星被确认参与价格操纵，那发改委同样很可能会进行处罚。　　目前市场分析认为，今年新增的DRAM产能，还无法

3、跟上市场需求，尤其是物联网和高速运算应用，都需要高速内存芯片支持，无论是DRAM或NANDFlash今年在供货松绑且需求不减的情况下，可望进一步推升出货量，预计相关业者营收还是相当稳健。。　　台湾工研院产业趋势中心也认为，今年虚拟货币挖矿业者也加入扫货，服务器需求仍然强劲下，预估今年全球DRAM产值会再成长23％，虽然涨幅不如去年，但主要供应商增产仍有节制，预计平均销售单价仍会上扬近32％，年产值达900亿美元，将续创新高。　　不过DRAMeXchange也指出，由于三星、东芝、英特尔、长江存储等都大力扩展NANDFlash所以未来产能效应将转趋明显，尤其3D－NANDFlash产能将可

4、能翻倍，恐怕在2019年就会出现供过于求的状况。