Xilinx可编程逻辑器件设计与开发（基础篇）连载23：Spartan.doc

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1、Xilinx可编程逻辑器件设计与开发（基础篇）连载23：Spartan5.1.4BRAM（BlockRAM）模块　　Virtex-6中嵌入BRAM，大大拓展了FPGA的应用范围和应用的灵活性。BRAM可被配置为单端口RAM、双端口RAM、内容地址存储器（CAM）以及FIFO等常用存储结构。　　Virtex-6中的BRAM是双端口RAM，每个BRAM存储36Kbit数据，支持写和读同步操作，两个端口对称且完全独立，共享存储的数据，可以改变每个端口的位宽和深度。36Kbit可配置成64K&TImes;1（和相

2、邻36KbitBRAM级联）、32K&TImes;1、16K&TImes;2、8K&TImes;4、4K×9、2K×18、1K×36或512×72的简单双口RAM；每个18Kbit的BRAM也可配置成16K×1、8K×2、4K×4、2K×9、1K×18或512×36的简单双口RAM。存储器内容可在配置比特流时设置。BRAM在写操作过程中，它的输出数据可以编程设置，或者是保持输出数据不变，或者反映正在写入的新数据，或者是正在被覆盖的旧数据。一、双端口RAM和单端口RAM　　全双口36KbBRAM有36Kb的

3、存储空间和两个独立的访问口：A口和B口。类似地，每个18KbitRAM包含一个18Kbit存储空间和2个全独立的访问口：A口和B口。结构是全对称的，数据可以写入其中的一个口或者两个，也可以从一个或者两个口读出。写操作是同步的，每个口有自己单独的地址、数据输入、数据输出、时钟、时钟允许和写允许信号。读操作也是同步的，并需要一个时钟边沿。　　需要注意的是，当两个端口同时对同一个地址进行操作的时候，由于双端口RAM内部没有专门的监控逻辑，因此需要用户自己控制两个时钟，以避免冲突。两个端口同时对同一个地址的写操作

4、虽然不会损坏该物理空间，但可能导致数据错误。　　双端口RAM和单端口RAM的原语如表5-10所示，可在HDL代码中直接例化。　　　　表5-10单端口RAM原语二、FIFO　　Virtex-6的BRAM中的专用逻辑让用户能够轻松地实现同步或异步FIFO。这样就不必为计数器、比较器或状态标记的生成使用其他CLB逻辑。　　Virtex-6中，FIFO可配置成18Kbit和36Kbit存储空间，对于18Kbit的FIFO，支持4K×4、2K×9、1K×18和512×36；对于36Kbit的FIFO，支持8K×4、

5、4K×9、2K×18、1K×36和512×72。三、ECC内置纠错　　当使用Virtex-6中的RAMB36E1（SPP模式）或者36KbitFIFO（FIFO36E1）时，可以使能其中的ECC纠错功能。ECC占用72位宽，其中64位数据，8位汉明码，它可以产生汉明位并纠正输出的数据错误，但不会纠正存储器内容。另外，它还可以输出错误位置的地址。　　在写操作过程生成八个保护位（ECCPARITY），与64位数据一起存到存储器中。这些ECCPARITY位在每次读操作过程中用来纠正任意单位元错误或检测（但不纠正

6、）任意双位元错误。　　在读操作过程中，72位数据从存储器读出并馈入ECC解码器。ECC解码器生成两个输出状态（SBITERR和DBITERR），用来指示三种可能的读操作结果：无错误、已纠正单位元错误、检测到双位元错误等。在标准ECC模式下，读操作不纠正存储器阵列中的错误，仅仅将已经纠正的数据送到DO。为了改善FMAX，可以将由DO_REG属性控制的可选寄存器用于数据输出（DO）、SBITERR和DBITERR。　　Virtex-6中的ECC还增加了一个新的功能，能回读当前数据输出对应的存储地址，支持修复错

7、位的数据位或者将该地址设置成无效。　　Virtex-6BRAM模块的详细资料请参考附带光盘上的《Virtex-6BRAM用户手册》。