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时间:2018-11-22
《荧光分光光度法测定大黄中游离蒽醌的含量》由会员上传分享,免费在线阅读,更多相关内容在学术论文-天天文库。
1、荧光分光光度法测定大黄中游离蒽醌的含量作者:王佩琪,承伟,郭兴杰,范会瑜【摘要】目的采用荧光分光光度法,建立了大黄中游离蒽醌类成分含量测定的方法。方法以丙酮为溶剂,在λex=460nm和λem=540nm处测定荧光强度。结果测得游离蒽醌含量在0.25~3.0μg/ml范围内呈良好的线性关系,线性回归方程为F=122.81C+46.224(r=0.9996),最低检测限为0.25μg/ml,表明该法灵敏度高、重现性较好,且操作简便。结论该研究为测量大黄中活性成分游离蒽醌提供了一种有效可靠的分析方法。【关键词】大黄;游离蒽醌;荧光分光光度法 Fluorescence
2、SpectrophotometryforFreeAnthraquinonesinRheumemodi Abstract:ObjectiveethodsTakeacetoneassolventagent,andλem=540nmdeterminationfluorescencestrength.ResultsFreeanthraquinonecontentsll.ThemethodeasuringlivepositionoffreeanthraquinoneinRheumemodiECC)及毛细管电泳色谱法(CEC)。色谱方法通常需要较长的分离分析时间,与之相比光
3、谱法具有显而易见的快速特点;同时荧光分光光度法可用于药物的微量或恒量物质分析,并具有灵敏度高、选择性强、试样量少和方法简便等优点,因此在药物定量尤其是中药有效成分检测上的应用日趋广泛。已有利用荧光分光光度法测定中药决明子中总蒽醌含量测定的报道[1]。本实验利用羟基蒽醌的荧光特性,在丙酮溶液中,建立了中药大黄中游离蒽醌荧光测定的新方法。 1仪器与试药 1.1仪器电子天平(上海精密科学仪器有限公司FA1004型),KQ-500B型超声器(昆山市超声仪器有限公司),LD4-2型低速离心机(北京医疗离心机厂),RE-52A型旋转蒸发器(上海正荣生化仪器厂),970CR
4、T荧光分光光度计(上海精密仪器有限公司)。 1.2材料1,8二羟基蒽醌对照品(中国药品生物制品检定所),95%乙醇(沈阳市东陵区红日化工厂)、丙酮(盛森试剂有限公司)均为分析纯,大黄药材(购自锦州市药材公司),水为亚沸高纯去离子水。 2方法与结果 2.1测定波长的选择用2ml3.1μg/ml的1,8二羟基蒽醌标准液在300~600nm波长范围内进行激发波长扫描,蒽醌的最大激发波长(λex)为460nm,固定该激发波长,扫描得发射谱图,得到其发射波长(λem)为540nm。结果见图1。 图1蒽醌标准液的激发波长和荧光波长(略) 选择该最大激发波长和最大
5、发射波长(即λex/λem=460nm/540nm)作为后继测定的工作条件。 2.2标准曲线的制备精密称取105℃干燥至恒重的1.8二羟基蒽醌2.5mg置50ml棕色容量瓶中,加丙酮溶解并稀释至刻度,摇匀得对照原液。精密量取对照原液0.05,0.1,0.2,0.3,0.4,0.5,0.6ml分别置10ml棕色容量瓶中,用丙酮定容,以丙酮试剂为空白,在λex=460nm和λem=540nm处测其溶液的荧光强度,结果表明溶液的荧光强度(IF)与溶液浓度(C)在0.25~3.0μg/ml范围内呈良好的线性关系。见图2。 图2游离蒽醌荧光强度标准曲线图(略) 2.
6、3条件考察 2.3.1溶剂的影响选择丙酮、甲醇、氯仿试剂,考察了对反应体系的影响,结果表明样品在丙酮中荧光强度大、灵敏度高,且空白溶剂在此范围内几乎无荧光吸收(与 表1放置时间对游离蒽醌荧光强度的影响(略) 2.4样品的测定 2.4.1样品溶液的制备取摄氏60℃干燥1h的大黄粗粉80mg,加50ml95%乙醇,先在25kHz频率下超声20min,然后水浴上加热至微沸,回流1.5h,采用3000r/min的转速离心30min,取上清液,残渣再加50ml95%乙醇液加热回流30min,离心取上清液,合并两次上清液,浓缩后挥去乙醇,残渣加二次蒸馏水10ml,1m
7、ol/LNaOH2滴、氯仿15ml,分离后将水溶液于冰水浴中并加乙醚10ml、盐酸0.4ml后立即密封振摇3min,静止分层,如此方法萃取3次合并乙醚液,挥尽乙醚后加50ml丙酮,得样品溶液。 2.4.2精密度实验分别精密吸取样品溶液1ml于5个10ml棕色容量瓶中,加丙酮定容。在λex/λem=460nm/540nm下测荧光强度。结果见表2。RSD为0.3%,表明该方法的精密度良好。 表2精密度实验结果(略) 2.4.3重现性实验精密称取大黄粗粉80mg5份,按样品溶液的制备项下的方法制备样品液,在λex/λem=460nm/540nm下测荧光强度。结果见
8、表3。RS
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