实验二场效应晶体管(fet)特性参数测量

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时间:2018-11-13

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1、实验二、场效应晶体管(FET)特性参数测量一、实验设备(1)半导体管特性图示仪(XJ4810A型),(2)BJT晶体管(S9014、S8050、S8550),(3)二极管(1N4001)二、实验目的1、熟悉BJT晶体管特性参数测试原理;2、掌握使用半导体管特性图示仪测量BJT晶体管特性参数的方法;3、学会利用手册的特性参数计算BJT晶体管的混合71型EM1模型参数的方法。三、MOS晶体管特性参数的测量原理1、实验仪器实验仪器为场效应管参数测试仪(BJ2922B),与测解:双极晶体管H流参数相似,但由于所检测的场效应管足电压控制器件,测景屮须将输入的基极电流改换为基

2、极电压,这可将基极阶梯选择选用屯压档(伏/级);也可选用屯流档(朵安/级),但选用电流档必须在测试台的B-E间外接一个电阻,将输入电流转换成输入电压。测暈吋将场效应管的管脚与双极管脚一一对应,即G(栅极)B(基极);S(源极)E(发射极);D(漏极)C(集电极)。值得注意的是,测fiMOS管时,若没冇外接电阻,必须避免阶梯选择直接采用电流档,以防止损坏管子。另外,由于场效应管输入阻抗很高,在栅极上感应出来的电荷很难通过输入电叽泄漏掉,电荷积累会造成电位升高。尤其在极间电容较小的情况下,常常在测试屮造成MOS管感应击穿,使管子损坏或指林下降。因而在检测MOS管吋,应

3、尽景避免栅极悬空,且源极接地要良好,交流电源插尖也最好采用三眼插尖,外将地线(E接线柱)与机壳相通。存放时,要将管子三个电极引线短接。2、参数定义(1)、输出特性曲线与转移特性曲线输出特性曲线(IDS-VDS)即漏极特性曲线,它与双极管的输fli特性曲线相似,如图2-1所示。在曲线屮,工作区可分为三部分:I是可调电阻区(或称非饱和区);II是饱和区;m是击穿区。转移特性曲线为IDS-VDS之间的太系曲线,它反映了场效应管栅极的控制能力。由于结型场效戍晶体管都屈于耗尽型,且栅源之闽相当于一个二极管,所以当栅灰正偏(VGS>0)丼人于0.5V吋,转移特性llll线开始

4、弯曲,如图2-2屮正向区域虚线所示。这足由于栅极正偏引起栅电流使输入电阻下降。这时如果外电路无保护措施,易将被测管烧毁,KlJMOS场效应管因其栅极有SiO2绝缘层,所以即使栅极正偏也不引起栅电流,曲线仍向上升。(2)、跨导(gm)跨导是漏源电压一定时,栅压微分增S与由此而产生的漏电流微分增fi之比。跨异表征栅电压对漏电流的控制能力,是衡景场效成管放人作用的重要参数,类似于双极管的电流放大系数,测量方法也很相似。跨导常以栅压变化IV时漏电流变化多少微安或毫安表示。它的单位是西门子,用s表示,1S=1A/V。或用欧姆的倒数“姆欧”表示,记作“-1”。(3)、夹断电压

5、VP和开启电压VT夹断电压VP是对耗尽型管而言,它表示在一定漏源电压VDS下,漏极电流减小到接近于零(或等于某一规定数值,如50uA)时的栅源电压。开启电压VT是对增强型管而言。它表示在-•定漏源电压VDS下,开始奋瀚电流吋对应的栅源电压值。MOS管的夹断电压和开启电压又统称阈值电压。(4)、最大饱和电流(IDSS)当栅源电压VGS=OV、漏源电压VDS足够大吋所对应的漏源饱和电流为最大饱和电流。它反映场效应管零栅压时原始沟道的导电能力。兄然这一参数只对粍尽型管冰有意义。对于增强型管,由于VGS=()时尚未开启,当然就不会有饱和电流了。(5)、源漏击穿电压(BVD

6、S)当栅源电压VGS为一定值时,使漏屯流IDS开始急剧增加的漏源电压值,用BVDS表示。注意,当VGS不同时,BVDS亦不同,通常把VGS=OV时对应的漏源击穿电压记为BVDS。(6)、栅源击穿电压(BVGS)栅源击穿电压是栅源之间所能承受的最髙电压。结型场效应管的栅源击穿电Ik,实际上是单个pn结的击穿电压,因而测试方法与双极管BVEBO的测试方法相同。对MOS管,山于栅极卜‘面的缘绝层是Si02,击穿是破坏性的,因而不能川XJ48I0图示仪测量MOS管的BVGS。①IDSS测量(条件:VGS=0V,VDS=10V)在负栅压情况K,取最上面一条输出特性曲线(VG

7、S=0),取x轴电压VDS=10V吋对应的Y轴电流,便为IDSS值。另一种方法是,将零电流与零电压扳键扳在“零电压”处,荧光解上只显示VGS=0的一根曲线,可读得VDS=10V时对应的IDSS位。这种方法可以避免阶梯调零不准引起的误差。若E、B间有外接电肌,扳键置于“零电流”椚亦可进行1DSS测量。②gm测量(条件VGS=0V,VDS=10V)gm位随工作条什变化,一般情况下测遭:最人的gm位,即测IDS=IDSS时的gm位若测量条件屮n)S值较人(如3mA),则需利川正栅压下的llh线进行测量。③Vp测量(条件:IDS=10pA,VDS=10V)利川负栅压时的输

8、出特性曲线

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