基于mems技术soi微压传感器研究

基于mems技术soi微压传感器研究

ID:23517356

大小:3.64 MB

页数:93页

时间:2018-11-08

基于mems技术soi微压传感器研究_第1页
基于mems技术soi微压传感器研究_第2页
基于mems技术soi微压传感器研究_第3页
基于mems技术soi微压传感器研究_第4页
基于mems技术soi微压传感器研究_第5页
资源描述:

《基于mems技术soi微压传感器研究》由会员上传分享,免费在线阅读,更多相关内容在学术论文-天天文库

1、分类号UDC密级公开硕士研究生学位论文基于MEMS技术SOI微压传感器研究申请人:李丹丹学号:2151263培养单位:电子工程学院学科专业:微电子学与固体电子学研究方向:传感器MEMS指导教师:赵晓锋教授完成日期:2018年5月19日中文摘要中文摘要本课题采用MEMS技术在SOI片(器件层为n型<100>晶向单晶硅)上设计、制作梁-膜结构的微压传感器,该结构包括弹性元件和敏感元件。弹性元件由方形硅膜结构和四个短梁结构组成,敏感元件由四个蛇形压敏电阻(R1、R2、R3和R4)组成,且分别制作在四个短梁的根部构成惠斯通电桥结构,基于压阻效应可实现外加压力的测量。与一般的C型、

2、E型等硅膜结构相比,该梁-膜结构在受到微压时可产生应力分布集中,通过平面应力集中效应,提高了压力传感器的灵敏度,可实现微压(0kPa-10kPa)的测量。本课题结合压力传感器的结构和工作原理,采用ANSYS有限元软件构建传感器结构的仿真模型,研究硅膜结构对传感器压敏特性的影响,给出优化的几何结构模型。仿真结果给出,梁-膜结构由于应力集中分布效应具有更好的压敏特性,并进一步仿真分析了梁-膜结构参数对压敏特性的影响,给出优化的几何结构参数。本文采用L-Edit软件实现梁-膜结构微压传感器芯片版图设计,并基于MEMS技术在SOI片上实现梁-膜结构微压传感器芯片的制作和封装,通过

3、采用全自动压力变送器测试系统、高低温实验箱和压力测试盘等搭建的测试系统,对传感器进行静态特性测试。实验结果给出:在室温20℃、工作电压V=5.0V和压力范围DD0kPa-10kPa下,梁-膜结构的微压传感器灵敏度为0.473mV/kPa、线性度为0.105%F.S.、重复性为0.316%F.S.、迟滞为0.211%F.S.和准确度为0.394%;当温度范围为-40℃到85℃变化时,灵敏度温度漂移为-25ppm/℃。关键词:梁-膜结构;应力集中;MEMS技术;SOI;微压传感器-I-黑龙江大学硕士学位论文AbstractInthispaper,thestructureofb

4、eam-membrane’smicropressuresensorsweredesignedandfabricatedonSOIsubstrates(n-typeSi<100>crystalorientationasdevicelayer)byMEMStechnology.Themicropressuresensorwasconstructedbyelasticelementandsensitiveelement.Theelasticelementwasconsistedofasquaresiliconmembraneandfourshortbeams,andtheWhe

5、atstonebridgewasconstitutedbyfourserpentinepiezoresistorsattherootoffourshortbeams,respectively.Basedonthepiezoresistiveeffect,theexternalpressurecanbemeasured.ComparedwithC-typemembrane,E-typemembraneandothersiliconmembranestructures,thestructureofbeam-membranecanproducethestressdistribu

6、tionconcentrationeffectwhenitissubjectedtomicropressure.Throughtheplanestressconcentrationeffect,thesensitivityofthepressuresensorwasgreatlyimproved,andthemeasurementofthemicropressure(0kPa-10kPa)canberealized.Basedonthestructureandworkingprincipleofsensor,theANSYSfiniteelementsoftwarewas

7、usedtoconstructthesimulationmodelofsensors.Theinfluenceofsiliconmembranestructureonpressuresensitivecharacteristicsofsensorswerestudied,andthemodelofoptimizedgeometricstructurewasgiven.Thesimulationresultsshowedthatthebeam-membranestructurehadbetterpressuresensitive

当前文档最多预览五页,下载文档查看全文

此文档下载收益归作者所有

当前文档最多预览五页,下载文档查看全文
温馨提示:
1. 部分包含数学公式或PPT动画的文件,查看预览时可能会显示错乱或异常,文件下载后无此问题,请放心下载。
2. 本文档由用户上传,版权归属用户,天天文库负责整理代发布。如果您对本文档版权有争议请及时联系客服。
3. 下载前请仔细阅读文档内容,确认文档内容符合您的需求后进行下载,若出现内容与标题不符可向本站投诉处理。
4. 下载文档时可能由于网络波动等原因无法下载或下载错误,付费完成后未能成功下载的用户请联系客服处理。