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时间:2020-03-24
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1、第26卷第6期传感技术学报V0l_26No.6CHINESEJOURNALOFSENSORSANDACTUATORSJun.20132013年6月ResearchofaMicromachinedResonantPressureSensorBasedonSOIⅥferCAOMingwei,CHENDeyong,WANGJunbo,JIAOHailong,ZHANGJian(StateKeyLaboratoryofducerTechnology,InstituteofElectronics,ChineseAcademyofSciences,Beijing100190,China
2、)Abstract:AmicromachinedresonantpressuresensorwithH-·typedoubly--clampedbeamswasproposedbasedonelectromagneticallydrivenanddifferentiallydetectionmethods.ThebeamsweremadeofaSO1wafer’Ssingle-crystalsilicondevicelayerwithlowresistivity,whichwerea]soactedastheexcitedandsensedelectrodesinstead
3、ofcommonlyusedmetallayerelectrodes.Finiteelementanalysiswasutilizedtooptimizethedesignofthepressuresensor.Thesensorwasfabricatedbydeepreactiveionetchingprocessandbufferedoxideetcherreleaseprocess,andthevacuumpackageofthesensorwasrealizedbyanodicbonding.Experimentalresultsshowasensitivityof
4、14.96Hz/hPaandlinearcorrelationcoefficientof0.999996intherangeof500hPato1100hPa.Keywords:micro—electromechanicalsystem(MEMS);resonantpressuresensor;SOI;differentiallydetection;anodicbondingEEACC:7230;7230Edoi:10.3969/j.issn.1004-1699.2013.06.009基于SOI.MEMS工艺的谐振式压力传感器研究冰曹明威,陈德勇,王军波,焦海龙,张健(中国
5、科学院电子学研究所传感技术国家重点实验室,北京100190)摘要:提出了一种电磁激励、差分检测的谐振式MEMS压力传感器,该器件采用低电阻率的SOI器件层单晶硅制作“H”型谐振梁,并作为激励和检测电极。根据对传感器数学模型的分析,利用有限元分析方法优化了传感器结构设计。采用等离子深刻蚀制作传感器结构,并用湿法腐蚀SOI二氧化硅层的方法释放。利用硅一玻璃阳极键合技术,实现了传感器的圆片级真空封装。采用开环扫描检测和闭环自激振荡方式,测定压力传感器的特性。实验结果表明:传感器一致性良好,在500hPa~11O0hPa的检测范围内,差分检测灵敏度为14.96Hz/hPa,线性相关
6、系数为0.999996。关键词:微电子机械系统;谐振式压力传感器;绝缘体上硅;差分检测;阳极键合中图分类号:TP212.1文献标识码:A文章编号:1004—1699(2013)06—0801-05谐振式压力传感器是高精度压力传感器中的典河电机Ikeda等人研制了电磁激励、电磁检测的谐型代表,在现代航空航天领域具有非常重要的作用。振式MEMS压力传感器,制作过程涉及扩散、多晶硅它利用压力的变化来改变物体的谐振频率,从而通过外延生长和多次薄膜沉积工艺,制作过程非常复杂。测量频率变化来间接测量压力⋯。谐振式MEMS压国内在这方面也有相关研究,中科院电子学研究所陈力传感器有机地结合
7、了微机电加工技术和机械谐振德勇等人制作出了电热激励、压阻检测的谐振式式传感技术,不仅具有传统机械谐振传感器精度高、MEMS压力传感器,但采用氮化硅制作谐振梁,导致稳定性好、准数字输出等优点,还具有体积小、功耗热应力较大。史晓晶_6J、李玉欣_2,等人采用扩散硅低、与集成电路工艺兼容、易于大批量生产等特点J。工艺制作了梁膜一体的谐振式MEMS压力传感器,其自上世纪八十年代,国内外众多公司与研究机构器件采用扩散硅层制作谐振梁,利用浓硼扩散自停止广泛开展谐振式MEMS传感器的研究。其中DRUCK技术实现谐振梁的释放,但是
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