《硅片相关知识》word版

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1、硅片相关知识单质硅有无定形及晶体两种。无定形硅为灰黑色或栗色粉末，更常见的是无定形块状，它们是热和电的不良导体、质硬，主要用于冶金工业（例如铁合金及铝合金的生产）及制造硅化物。晶体硅是银灰色，有金属光泽的晶体，能导电（但导电率不及金属）故又称为金属硅。高纯度的金属硅（≥99．99％）是生产半导体的材料，也是电子工业的基础材料。一、单晶硅掺杂有微量硼、磷等元素的单晶硅可用于制造二极管、晶体管及其他半导体器件。由于半导体技术不断向高集成度，高性能，低成本和系统化方向发展，半导体在国民经济各领域中的应用更加广泛。单晶硅片分类单晶硅片按使用性质可分为两大类：生产用硅片和测试用硅片。  半导体元

2、件所使用的单晶硅片系采用多晶硅原料再经由单晶生长技术所生产出来的。单晶硅棒的品质和规格单晶硅棒的主要技术参数：型号P型或A型晶向<111><100>电阻率0.0001ohm.cm-100ohm.cm电阻率均匀性<25%位错密度无位错OISF密度<500cm２氧含量根据客户要求碳含量<1ppma主要考面取向密度根据客户要求其中电阻率、OISF密度、以及碳含量是衡量单晶硅棒等级的关键参数。这些参数在单晶成型后即定型，无法在此后的加工中进行改变。7测试方法电阻率：用四探针法。OISF密度：利用氧化诱生法在高温、高洁净的炉管中氧化，再经过腐蚀后观察其密度进行报数。碳含量：利用红外分光光度计进行

3、检测。单晶硅抛光片品质规格单晶硅抛光片的物理性能参数同硅单晶技术参数：厚度（T）200-1200um总厚度变化（TTV）＜10um弯曲度（BOW）＜35um翘曲度（WARP）＜35um单晶硅抛光片的表面质量：正面要求无划道、无蚀坑、无雾、无区域沾污、无崩边、无裂缝、无凹坑、无沟、无小丘、无刀痕等。背面要求无区域沾污、无崩边、无裂缝、无刀痕单晶硅片主要技术参数单晶制备方法CZ导电类型P掺杂剂B晶向＜100＞晶向偏离度＜±2°电阻率范围1-3Ωm少数载流子寿命≥8μs氧含量≤1.0×1018/cm³碳含量≤5.0×1016/cm³硅片尺寸125×125±0.5mm;156×156±0.5m

4、m硅片直径150±0.5mm;165±0.5mm;00±0.5mm倒角宽度29.76±1.0mm;12.23±1.0mm(150;165)厚度200±20μm总厚度变化≤30μm线痕≤15μm翘曲度≤30μm崩边无崩边外观外观检测无污点，无针孔，无裂纹例1.山东舜亦新能源有限公司7例2.嘉兴五神光电材料有限公司品名类型掺杂剂边长尺寸直径电阻率少子寿命氧含量碳含量厚度总厚度变化弯曲度晶向6英寸单晶硅片PB125*125±0.5mm150±0.5mm1-3Ω.cm或3-6Ω.cm≥10μs1×1018atoms/cm35×1016atoms/cm3200±20μm≤50μm200±20μm

5、〈100〉±1°6.5英寸单晶硅片PB125*125±0.5mm165±0.5mm1-3Ω.cm或3-6Ω.cm≥10μs1×1018atoms/cm35×1016atoms/cm3200±20μm≤50μm200±20μm〈100〉±1°8英寸单晶硅片PB156*156±0.5mm200±0.5mm1-3Ω.cm或3-6Ω.cm≥10μs1×1018atoms/cm35×1016atoms/cm3200±20μm≤50μm200±20μm〈100〉±1°单晶硅棒主要技术参数例：嘉兴五神光电材料有限公司品名类型掺杂剂边长直径电阻率少子寿命氧含量碳含量晶向位错密度6英寸单晶硅圆棒PB/≥

6、153mm1-3Ω.cm或3-6Ω.cm≥10μs1×1018atoms/cm35×1016atoms/cm3〈100〉±1°≤1000ea/cm26.5英寸单晶硅圆棒PB/≥168mm1-3Ω.cm或3-6Ω.cm≥10μs1×1018atoms/cm35×1016atoms/cm3〈100〉±1°≤1000ea/cm28英寸单晶硅圆棒PB/≥203mm1-3Ω.cm或3-6Ω.cm≥10μs1×1018atoms/cm35×1016atoms/cm3〈100〉±1°≤1000ea/cm26英寸单晶硅方棒PB125*125±0.5mm150±0.5mm1-3Ω.cm或3-6Ω.cm≥

7、10μs1×1018atoms/cm35×1016atoms/cm3〈100〉±1°≤1000ea/cm26.5英寸单晶硅方棒PB125*125±0.5mm165±0.5mm1-3Ω.cm或3-6Ω.cm≥10μs1×1018atoms/cm35×1016atoms/cm3〈100〉±1°≤1000ea/cm28英寸单晶硅方棒PB156*156±0.5mm200±0.5mm1-3Ω.cm或3-6Ω.cm≥10μs1×1018atoms/cm35