硅片相关知识简介

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1、硅片相关知识简介硅片相关知识简介（制造工艺、用途）公司设备简介公司产品简介及主要用途说明一、硅片相关知识简介（制造工艺、用途）固体材料半导体材料概论名词解释硅单晶制备硅片制造固体材料原子排列的方式称为固体的结构。固体材料分为三大类：晶体、非晶体和准晶体。理想晶体中原子排列是十分有规则的，主要体现是原子排列具有周期性，或者称为是长程有序的。晶体：Cu、Ag、Ge、Si、金属、C非晶体：玻璃、石蜡、沥青、塑料等，内部原子的排列则是杂乱无章、长程无序的。准晶体是最近发现的一类新物质，其内部原子排列既不同

2、于晶体，也不同于非晶体。半导体材料概论物质就其导电性质来说，可分为绝缘体，半导体和导体。电阻率大于1010欧姆▪厘米者为绝缘体，小于10-3欧姆▪厘米者为导体电阻率介于10-3---1010欧姆▪厘米的称为半导体。半导体材料电阻率不同于导体和绝缘体外，它还具有在光和热的作用下，能使电子激发，从而使导电性显著增加的热敏性，光敏性以及对杂质的敏感性等特点。半导体材料分为：1、元素半导体：如硅，锗，硒等；2、二元化合物半导体：如GaAs(主要用于制作超高速电路，微波器件等)，InSb（主要用于制作红外器

3、件）,PbS（主要用于制作热敏器件），β-SiC(主要用于制作发光管)；3、三元化合物半导体：如GaAsAl(主要用于制作发光管)；4、固容体半导体：如GaAs-GaP(主要用于制作发光二极管)。固容体半导体是元素半导体或无机化合物半导体相互溶解而成的半导体材料。Si的介绍元素符号Si，原子序数14，原子量28.086，位于第三周期第ⅣA族，共价半径117皮米，离子半径42皮米。有晶体和无定形两种同素异形体。晶体硅呈银灰色，有明显的金属光泽、晶格和金刚石相同，硬而脆，能导电，但导电率不如金属且随温

4、度的升高而增加，属半导体。密度2.33克/厘米3，熔点1420℃，沸点2355℃，硬度7。低温时单质硅不活泼，不跟空气、水和酸反应。室温下表面被氧化形成1000皮米二氧化硅保护膜。高温时能跟所有卤素反应，生成四卤化硅，跟氧气在700℃以上时燃烧生成二氧化硅。跟氯化氢气在500℃时反应，生成三氯氢硅SiHCl3和氢气。高温下能跟某些金属(镁、钙、铁、铂等)反应，生成硅化物。硅片厚度：硅片正反面中心点的垂直距离为硅片的厚度，以δ来表示。表示厚度的常用单位是um，1mm=103um。名词解释1晶体缺陷：

5、原子偏离理想晶格中有规则的排列，这种偏离，严重影响晶体的力学、电学和其他特性。2晶体缺陷种类：点缺陷、线缺陷、面缺陷、体缺陷3线缺陷又叫位错，有两种基本类型，刃型位错、螺型位错，实际晶体中的位错既不是单纯的螺位错，也不是刃型位错，是他们的混合形式，故称之为混合位错。同一晶体中不同平面上符号相刃型位错模型反的两根刃位错的二维模型位错的检测方法腐蚀坑法<111>晶面上的位错腐蚀坑呈现三角形，<100>晶面上的位错腐蚀坑呈四方形。螺型位错模型4本征半导体：晶格完整且不含杂质的单晶半导体，其中参与导电的电

6、子和空穴数目相等。5载流子：固体中一种能传输电荷的载体，又称荷电载流子。例如：半导体中的导电空穴和导电电子。6载流子浓度：单位体积的载流子数目。7多数载流子：大于载流子总浓度一半的那类载流子。例如：p型半导体中的空穴。8少数载流子：小于载流子总浓度一半的那类载流子。例如：p型半导体中的电子。9N型半导体：多数载流子为电子的半导体。P型半导体：多数载流子为空穴的半导体。10我们公司用X射线衍射定向法测定晶向。在粘接时主要用到的设备是定向仪、粘接仪、复检仪。11解理面：晶体受到机械力作用时，沿晶体结构

7、所确定的某一晶面劈裂，这种劈裂面称为解理面。12总厚度变化（TTV）：在厚度扫描或一系列点的厚度测量中，所测晶片的最大厚度与最小厚度的绝对差值。13中心面：与晶片的正面和背面等距离的点的轨迹。14弯曲度(Bow)：晶片中心面凹凸形变的一种度量，它与晶片可能存在的任何厚度变化无关。弯曲度是晶片的一种体性质而不是表面特性。15翘曲度(Warp)：晶片中心面与基准平面之间的最大与最小距离的差值。翘曲度是晶片的体性质而不是其表面特性。16平整度：晶片表面与基准平面之间最高点和最低点的差值。正面中心面背面2

8、4崩边：晶片边缘或表面未贯穿晶片的局部缺损区域，当崩边在晶片边缘产生时，其尺寸由径向深度和周边旋长给出。25缺口：上下贯穿晶片边缘的缺损。26刀痕:晶锭切割时，在晶片表面留下的圆弧装痕迹。27亮点：硅片研磨或抛光后，表面上残留下来一些孤立的机械损伤点，呈现为由可观察到的孤立的小亮点。硅单晶制造高纯硅制备高纯硅的制备一般首先由硅石（SiO）制得工业硅（粗硅），2再制成高纯的多晶硅，最后拉制成半导体材料单晶硅。工业粗硅是用硅石（SiO）和焦碳以一定比例混合，在电炉中2加热至1600-1