电子产品制作工艺与实训

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1、一常用电子元器件1.按元器件性质分：电阻电容变压器半导体分立元件集成电路开关件接插件熔断器电声器件安装工艺：通孔插件元器件THC表面安装元器件SMCSMD，使用性质特点：有源器件（器件）必须有电源支持工作，输出取决于输入信号变化（三极管场效应管集成电路），无源器件（元件）无论电源信号变化都各自独立不变（电阻电感开关件接插件熔断器）2.电阻分压分流负载（能量转换），用于稳定调节控制电压电流大小材料：金属膜碳膜合成膜，数值：固定微调电位器，用途：高频高温光敏热敏，命名四部分：主称材料分类序号，性能参数：标称阻值额定功率温度系数标称E48+-1%，E24一级J5%，E12二

2、级K10%，E6三级20%温度系数：温度每变化1度一起的相对变化量（R2-R1）/R1(t2-t1)标注法：直标法文字符号法数码表示法（三位数码表）色标法（四色标法五色标法浅色背景碳膜电阻，红色背景金属膜金属氧化膜，深绿色背景线绕电阻敏感电阻：热敏光敏压敏湿敏气敏磁敏，固定电阻检测：外观检查断电选择适当的量程在路检测短路检测，电位器微调电阻故障：接触不良磨损严重元件断路，敏感电阻检测：热敏25度室温检测加温检测3.电容起耦合旁路隔直滤波移相延时，材料：涤纶云母瓷介电解，用途：耦合旁路隔直滤波，有无极性：电解电容无极性电容，主要性能参数：标称容值允许偏差额定工作电压击穿

3、电压（2倍额定工作电压）绝缘电阻标注方法：直标法文字符号法数码表示法色标法，电容故障：开路击穿漏电，检测：电容容量大小电容极性引脚检测电容质量好坏4.电感在电路中耦合滤波阻流补偿调谐作用，变压器利用互感原理传输能量，变压变流变阻抗耦合匹配电感量：固定微调可变，导磁性质：空芯线圈磁芯线圈铜芯线圈，用途：天线线圈扼流线圈震荡线圈，变压器工作频率：高频中频低频脉冲，导磁性质：空芯磁芯铁芯，用途：电源变压器输入变压器输出变压器耦合变压器电感器性能参数：标称电感量品质因数Q分布电容电感线圈直流电阻，变压器性能参数：变压比n额定功率效率绝缘电阻5.半导体分立器件：硅鍺硒多数金属氧

4、化物包括：半导体二极管桥堆晶体三极管晶闸管场效应管命名：电极数目+材料极性+类别+序号+规格6.二极管1PN结电极引线外壳封装，特点：单向导电性，作用：稳压整流检波开关光电转换，结构：点接触型二极管面接触型二极管，特殊：稳压二极管发光二级管光电二极管7.桥堆：4二极管桥式电路，整流作用。半桥堆：2二极管对外3引脚8.晶体三极管;2PN结3电极引线外壳封装，作用：放大电子开关控制，结构：NPN型PNP型，工作频率：高频管低频管，用途：放大管光电管检波管开关管极性：（红表笔）基极B和集电极C基极B和发射极E为2PN结正向电阻小9.晶闸管（硅可控整流元件SCR）：单向双向工

5、作在开关状态高电压大电流，常用于大电流场合下开关控制，无触点弱电控制强电，可控整流可控逆变变频电机调速10.场效应管FET：利用电场效应控制多数载流子运动半导体器件，输入电阻高热稳定性好噪声低抗辐射成本低易于集成结构：J-FET结型场效应管MOSFET绝缘栅（金属-氧化物-半导体场效应管）再分Ｎ沟道Ｐ沟道11.集成电路IntegratedCircuit将半导体分立器件电阻小电容电路连接导线继承与半导体硅片上形成一定功能电子电路，封装成整体的电子器件，形成材料元件电路三体一位传送信号：模拟集成电路数字集成电路，有源器件类型：双极性集成电路MOS型双极性-MOS集成度：小

6、规模集成度SSI中MSI大LSI超大VLSI封装形式：圆形金属封装变频陶瓷封装双列直插式封装单列直插式封装四列扁平式封装功能：集成运算放大电路集成稳压器集成模数数模转换器编码器译码器计数器命名：符号+类型+系列品种+工作温度+封装形式12.模拟集成电路产生放大处理加工随时间连续变化的模拟电信号工作频率宽电路信号小集成运算放大器:高电压增益高输入电阻低输出电阻的直接耦合模拟集成电路，用于电路运算信号大小比较模数信号转换常见通用型单运算放大器F0078FC7双运算放大器F353，集成稳压器：固定式三端可调式三端，555时基集成电路组成脉冲发生器方波发生器定时电路振荡电路脉

7、宽调制器13.数字集成电路处理加工在时间幅值离散变化数字电信号，电路状态简单抗干扰能力强可靠功耗低成本低通用性强保密。导电方式：双极性TTLDTLHTL单极性CMOSJFET用途：加法器编译码器储存器电路微处理器电路14.开关控制方式：机械电磁电子，接触方式：有触点无触点，机械动作;按动旋转拨动结构：单刀单掷单刀数掷多刀单掷多刀数掷，参数：额定工作电压额定工作电流绝缘电阻接触电阻使用寿命15.继电器小电流控制大电流器件铁芯线圈衔铁触点底座构成，起自动调节转换电路安全保护作用。按初始状态：常开常闭转换，动作速度：快速延时标准，按用途：启动步进过载16.