国外集成电路命名方法

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1、国外集成电路命名方法器件型号举例说明 (缩写字符:AMD译名:先进微器件公司(美))AM29L509PCBAMD首标器件编号封装形式温度范围分类 "L":低功耗;D:铜焊双列直插C:商用温度,没有标志的 "S":肖特基;(多层陶瓷);(0-70)℃或为标准加工 "LS":低功耗肖特基;L:无引线芯片载体:(0-75)℃;产品,标有 21:MOS存储器;P:塑料双列直插;M:军用温度,"B"的为已 25:中规范(MSI);E:扁平封装(陶瓷扁平);(-55-125)℃;老化产品。 26:计算机接口;X:管芯;H:商用,  27:双极存储器或EPROM;A:塑料

2、球栅阵列;(0-110)℃;  28:MOS存储器理;B:塑料芯片载体I:工业用,  29:双极微处理器;C、D:密封双列;(-40~85)℃;  54/74:同25;E:薄的小引线封装;N:工业用,  60、61、66:模拟,双极;G:陶瓷针栅陈列;(-25~85)℃;  79:电信;Z、Y、U、K、H:塑料K:特殊军用,  80:MOS微处理器;四面引线扁平;(-30~125)℃;  81、82:MOS和双极处围电路;J:塑料芯片载体(PLCC);L:限制军用,  90:MOS;L:陶瓷芯片载体(LCC);(-55-85)℃<  91:MOSRAM:V、

3、M:薄的四面125℃。  92:MOS;引线扁平;   93:双极逻辑存储器P、R:塑料双列;   94:MOS;S:塑料小引线封装;   95:MOS外围电路;W:晶片;   1004:ECL存储器;也用别的厂家的符号:   104:ECL存储器;P:塑料双列;   PAL:可编程逻辑陈列;NS、N:塑料双列;   98:EEPROM;JS、J:密封双列;   99:CMOS存储器。W:扁平;    R:陶瓷芯片载体;    A:陶瓷针栅陈列;    NG:塑料四面引线扁平;    Q、QS:器件型号举例说明(缩写字符:ANA译名:模拟器件公司(美))AD

4、644ASH/883BANA首标器件附加说明温度范围封装形式筛选水平AD:模拟器件编号A:第二代产品;I、J、K、L、M:D:陶瓷或金属气MIL-STD-HA:混合 DI:介质隔离产(0-70)℃;密双列封装883B级。A/D; 品;A、B、C:(多层陶瓷); HD:混合 Z:工作在+12V(-25-85)℃;E:芯片载体; D/A。 的产品。(E:ECL)S、T、U:F:陶瓷扁平;    (-55-125)℃。G:PGA封装     (针栅阵列);     H:金属圆壳气     密封装;     M:金属壳双列     密封计算机部件;     N:塑料

5、双列直插;     Q:陶瓷浸渍双列     (黑陶瓷);     CHIPS:单片的芯片。 同时采用其它厂家编号出厂产品。通用器件型号举例说明(缩字字符:BUB译名:布尔-布朗公司(美))ADC803XXXX首标器件编号通用资料温度范围封装筛选水平  A::改进参数性能;J、K、L:M:铜焊的金属壳封装;Q:高可  L:自销型;(0-70)℃;L:陶瓷芯片载体;靠产品;  Z:+12V电源工作;A、B、C:N:塑料芯片载体;/QM:  HT:宽温度范围。(-25-85)℃;P:塑封(双列);MIL   R、S、T、V:H:铜焊的陶瓷封装STD   (-55

6、-125)℃。(双列);883产品。    G:普通陶瓷(双列);     U:小引线封装。模拟器件产品型号举例说明(缩字字符:BUB译名:布尔-布朗公司(美))---XXX 首标器件编号温度范围封装筛选水平   H、J、K、L:M:铜焊金属壳封装;Q:高可靠产品;   (0-70)℃;P:塑封;/QM:MIL-STD-   A、B、C:(-25-85)℃;G:陶瓷。883产品。   R、S、T、V:     (-55-125)℃。   军用器件产品型号举例说明(放大器/多路转换器/ADC/VFC)OPA105XM/XXX 首标器件编号温度范围封装高可靠性等

7、级   V:(-55-125)℃;M:金属的;MIL-STD-883B。   U:(-25-85)℃;L:芯片载体。    W:(-55-125)℃。   DAC的型号举例说明DAC87XXXXX/XXX首标器件编号温度范围输入代码输出MIL-STD-883B表示  V:(-55-125)℃;CBI:互补二进制V:电压输出;   U:(-25-85)℃。输入;I:电流输出。    COB:互补余码补偿     二进制输入;     CSB:互补直接二进制     输入;     CTC:互补的两余码     输入。  首标的意义:放大器 转换器ADC:A/D

8、转换器;OPA:运算放大器;ADS:有采样/保持的A

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