国外集成电路命名方法

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1、国外集成电路命名方法国外主要集成电路生产厂家的集成电路命名方法缩写字符：AMD译名：先进微器件公司（美）器件型号举例说明 AM29L509PCBAMD首标器件编号封装形式温度范围分类 "L"：低功耗；D：铜焊双列直插C：商用温度，没有标志的 "S"：肖特基；（多层陶瓷）；（0-70）℃或为标准加工 "LS"：低功耗肖特基；L：无引线芯片载体：（0-75）℃；产品，标有 21：MOS存储器；P：塑料双列直插；M：军用温度，"B"的为已 25：中规范（MSI）；E：扁平封装（陶瓷扁平）；（-55-125）℃；老化产品。 26：计算机接口；X：管芯；H：商用， 　27：双极存储器或EP

2、ROM；A：塑料球栅阵列；（0-110）℃； 　28：MOS存储器理；B：塑料芯片载体I：工业用， 　29：双极微处理器；C、D：密封双列；（-40～85）℃； 　54/74：同25；E：薄的小引线封装；N：工业用， 　60、61、66：模拟，双极；G：陶瓷针栅陈列；（-25～85）℃； 　79：电信；Z、Y、U、K、H：塑料K：特殊军用， 　80：MOS微处理器；四面引线扁平；（-30～125）℃； 　81、82：MOS和双极处围电路；J：塑料芯片载体（PLCC）；L：限制军用， 　90：MOS；L：陶瓷芯片载体（LCC）；（-55-85）℃＜ 　91：MOSRAM：V、M：薄

3、的四面125℃。 　92：MOS；引线扁平； 　　93：双极逻辑存储器P、R：塑料双列； 　　94：MOS；S：塑料小引线封装； 　　95：MOS外围电路；W：晶片； 　　1004：ECL存储器；也用别的厂家的符号： 　　104：ECL存储器；P：塑料双列； 　　PAL：可编程逻辑陈列；NS、N：塑料双列； 　　98：EEPROM；JS、J：密封双列； 　　99：CMOS存储器。W：扁平； 　　　R：陶瓷芯片载体； 　　　A：陶瓷针栅陈列； 　　　NG：塑料四面引线扁平； 　　　Q、QS：陶瓷双列。 　AD644ASH/883BANA首标器件附加说明温度范围封装形式筛选水平AD：

4、模拟器件编号A：第二代产品；I、J、K、L、M：D：陶瓷或金属气MIL-STD-HA：混合 DI：介质隔离产（0-70）℃；密双列封装883B级。A/D； 品；A、B、C：（多层陶瓷）； HD：混合 Z：工作在+12V（-25-85）℃；E：芯片载体； D/A。 的产品。（E：ECL）S、T、U：F：陶瓷扁平；    （-55-125）℃。G：PGA封装     （针栅阵列）；     H：金属圆壳气     密封装；     M：金属壳双列    密封计算机部件；     N：塑料双列直插；     Q：陶瓷浸渍双列     （黑陶瓷）；     CHIPS：单片的芯片。 同时

5、采用其它厂家编号出厂产品。