国外集成电路命名方法

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1、国外集成电路命名方法器件型号举例说明 (缩写字符：AMD译名：先进微器件公司（美）)AM29L509PCBAMD首标器件编号封装形式温度范围分类 "L"：低功耗；D：铜焊双列直插C：商用温度，没有标志的 "S"：肖特基；（多层陶瓷）；（0-70）℃或为标准加工 "LS"：低功耗肖特基；L：无引线芯片载体：（0-75）℃；产品，标有 21：MOS存储器；P：塑料双列直插；M：军用温度，"B"的为已 25：中规范（MSI）；E：扁平封装（陶瓷扁平）；（-55-125）℃；老化产品。 26：计算机接口；X：管芯；H：商用，  27：双极存储器或EPROM；A：塑料

2、球栅阵列；（0-110）℃；  28：MOS存储器理；B：塑料芯片载体I：工业用，  29：双极微处理器；C、D：密封双列；（-40～85）℃；  54/74：同25；E：薄的小引线封装；N：工业用，  60、61、66：模拟，双极；G：陶瓷针栅陈列；（-25～85）℃；  79：电信；Z、Y、U、K、H：塑料K：特殊军用，  80：MOS微处理器；四面引线扁平；（-30～125）℃；  81、82：MOS和双极处围电路；J：塑料芯片载体（PLCC）；L：限制军用，  90：MOS；L：陶瓷芯片载体（LCC）；（-55-85）℃＜  91：MOSRAM：V、

3、M：薄的四面125℃。  92：MOS；引线扁平；   93：双极逻辑存储器P、R：塑料双列；   94：MOS；S：塑料小引线封装；   95：MOS外围电路；W：晶片；   1004：ECL存储器；也用别的厂家的符号：   104：ECL存储器；P：塑料双列；   PAL：可编程逻辑陈列；NS、N：塑料双列；   98：EEPROM；JS、J：密封双列；   99：CMOS存储器。W：扁平；    R：陶瓷芯片载体；    A：陶瓷针栅陈列；    NG：塑料四面引线扁平；    Q、QS：器件型号举例说明(缩写字符：ANA译名：模拟器件公司（美）)AD

4、644ASH/883BANA首标器件附加说明温度范围封装形式筛选水平AD：模拟器件编号A：第二代产品；I、J、K、L、M：D：陶瓷或金属气MIL-STD-HA：混合 DI：介质隔离产（0-70）℃；密双列封装883B级。A/D； 品；A、B、C：（多层陶瓷）； HD：混合 Z：工作在+12V（-25-85）℃；E：芯片载体； D/A。 的产品。（E：ECL）S、T、U：F：陶瓷扁平；    （-55-125）℃。G：PGA封装     （针栅阵列）；     H：金属圆壳气     密封装；     M：金属壳双列     密封计算机部件；     N：塑料

5、双列直插；     Q：陶瓷浸渍双列     （黑陶瓷）；     CHIPS：单片的芯片。 同时采用其它厂家编号出厂产品。通用器件型号举例说明(缩字字符：BUB译名：布尔-布朗公司（美）)ADC803XXXX首标器件编号通用资料温度范围封装筛选水平  A：:改进参数性能；J、K、L：M：铜焊的金属壳封装；Q：高可  L：自销型；（0-70）℃；L：陶瓷芯片载体；靠产品；  Z：+12V电源工作；A、B、C：N：塑料芯片载体；/QM：  HT：宽温度范围。（-25-85）℃；P：塑封（双列）；MIL   R、S、T、V：H：铜焊的陶瓷封装STD   （-55

6、-125）℃。（双列）；883产品。    G：普通陶瓷（双列）；     U：小引线封装。模拟器件产品型号举例说明(缩字字符：BUB译名：布尔-布朗公司（美）)---XXX 首标器件编号温度范围封装筛选水平   H、J、K、L：M：铜焊金属壳封装；Q：高可靠产品；   （0-70）℃；P：塑封；/QM：MIL-STD-   A、B、C：（-25-85）℃；G：陶瓷。883产品。   R、S、T、V：     （-55-125）℃。   军用器件产品型号举例说明（放大器/多路转换器/ADC/VFC）OPA105XM/XXX 首标器件编号温度范围封装高可靠性等

7、级   V：（-55-125）℃；M：金属的；MIL-STD-883B。   U：（-25-85）℃；L：芯片载体。    W：（-55-125）℃。   DAC的型号举例说明DAC87XXXXX/XXX首标器件编号温度范围输入代码输出MIL-STD-883B表示  V:(-55-125)℃；CBI：互补二进制V：电压输出；   U：（-25-85）℃。输入；I：电流输出。    COB：互补余码补偿     二进制输入；     CSB：互补直接二进制     输入；     CTC：互补的两余码     输入。  首标的意义：放大器 转换器ADC：A/D

8、转换器；OPA：运算放大器；ADS：有采样/保持的A