场效应管放大电路(2)

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1、场效应管放大电路一、选择填空（只填①、②…字样）1．晶体管是依靠⑤导电来工作的⑦器件；场效应管是依靠①导电来工作的⑥器件（①多数载流子，②少数载流子，③电子，④空穴，⑤多数载流子和少数载流子，⑥单极型，⑦双极型，⑧无极型）。2．晶体管是②；场效应管是①（①电压控制器件；②电流控制器件）3．晶体管的输入电阻比场效应管的输入电阻③（①大得多；②差不多；③小得多）。4．晶体管的集电极电流②；场效应管的漏极电流①（①穿过一个PN结，②穿过两个PN结，③不穿过PN结）5．放大电路中的晶体管应工作在②；场效应管

2、应工作在①（①饱和区，②放大区，③截止区，④夹断区，⑤可变电阻区）。6．绝缘栅型场效应管是利用改变栅源两极的大小来改变沟道电阻的大小，从而达到控制漏极电流的目的；根据栅源两极电压为零时，有无漏极电流的差别，MOS管可分为耗尽型和增强型两种类型。7．NMOS管最大的优点是输入电阻较大；其栅—源电压的极性为负，漏—源电压的极性为正；对于增强型NMOS管，这两种电压的极性为正，对增强型PMOS管这两种电压的极性为负。8．耗尽型场效应管在恒流区的转移特性方程为，它们都是反映栅源两端电压对漏极电流控制特性的。

3、9、当场效应管的漏极直流电流ID从2mA变为4mA时，它的低频跨导gm将。A.增大B.不变C.减小答案：A二、解答题2.已知场效应管的输出特性曲线如图P1.22所示，画出它在恒流区的转移特性曲线。图P1.22解：在场效应管的恒流区作横坐标的垂线〔如解图P1.22（a）所示〕，读出其与各条曲线交点的纵坐标值及UGS值，建立iD＝f（uGS）坐标系，描点，连线，即可得到转移特性曲线，如解图P1.22（b）所示。解图P1.223.结型场效应管外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压，才能保证其RG

4、S大的特点。（）答案：√4.若耗尽型N沟道MOS管的UGS大于零，则其输入电阻会明显变小。（）答案：×5.电路如图1.23所示，T的输出特性如图P1.22所示，分析当uI＝4V、8V、12V三种情况下场效应管分别工作在什么区域。解：根据图P1.22所示T的输出特性可知，其开启电压为5V，根据图P1.23所示电路可知所以uGS＝uI。当uI＝4V时，uGS小于开启电压，故T截止。当uI＝8V时，设T工作在恒流区，根据输出特性可知iD≈0.6mA，管压降uDS≈VDD－iDRd≈10V因此，uGD＝uG

5、S－uDS≈－2V，小于开启电压，图P1.23说明假设成立，即T工作在恒流区。当uI＝12V时，由于VDD＝12V，必然使T工作在可变电阻区。6.UGS＝0V时，能够工作在恒流区的场效应管有。A.结型管B.增强型MOS管C.耗尽型MOS管答案：A7.电路如图P5.14所示，已知Cgs＝Cgd＝5pF，gm＝5mS，C1＝C2＝CS＝10μF。试求fH、fL各约为多少，并写出的表达式。图P5.14解：fH、fL、的表达式分析如下：：图2图1（5）UGS＝0V时，能够工作在恒流区的场效应管有。A.结型管

6、B.增强型MOS管C.耗尽型MOS管（5）AC8.一个JFET的转移特性曲线如图题4.1.3所示，试问：（1）它是N沟道还是P沟道FET？（2）它的夹断电压VP和饱和漏极电流IDSS各是多少？解由图题4．1．3可见，它是N沟道JFET，其VP＝–4V，IDSS＝3mA。9.一个MOSFET的转移特性如图题4．3．3所示（其中漏极电流iD的方向是它的实际方向）。试问：（1）该管是耗尽型还是增强型？（2）是N沟道还是P沟道FET？（3）从这个转移特性上可求出该FET的夹断电压VP，还是开启电压VT？其值

7、等于多少？解：由图题4.3.3可见，它是P沟道增强型MOSFET，其VT＝－4V。10.增强型FET能否用自偏压的方法来设置静态工作点？试说明理由。解由于增强型MOS管在vGS=0时，vD=0（无导电沟道），必须在

8、vGS

9、＞

10、VT

11、（VT为开启电压）时才有iD，因此，增强型的MOS管不能用自偏压的方法来设置静态工作点。11.已知电路参数如图题4．4．4所示，FET工作点上的互导gm＝1ms，设rd>>Rd。（1）画出小信号等效电路；（2）求电压增益Av；（3）求放大电路的输人电阻Ri。解（1）画小

12、信号等效电路忽略rd，可画出图题4.4.4的小信号等效电路，如图解4.4.4所示。（2）求Av（3）求Ri12.电路参数如图题4.5.1所示。设FET的参数为gm＝0.8ms，rd＝200kΩ；3AG29（T2）的β＝40，rbe＝1kΩ。试求放大电路的电压增益Av和输入电阻Ri。解（1）求由于rd＞＞Rd，故rd可忽略，图题4.5.1的小信号等效电路如图解4.5.1所示。由图有（2）求Ri13.电路如图题4.5.4所示，设FET的互导为gm，rd很大；BJT的电流放