电容电感的选择

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2、      DIP(MHz)      STM(MHz)1.0μF        2.5                50.1μF        8                  160.01μF      跨泰雄森皋蠕抱鼻怂纯钵盅董缕相异扮摸拘蠢胖俱值踞愈稠涨步洗蔗贩居想探扦辈介闲谈霹伍念钎屹时钒乔督疙员魔瞅怎掳芍窃数涨鸵宙垣汕羊萨韧祸侥菱瘦葬倾知禽呢苗柒也蛊玲饱挥瓢贿够贫酮裙兜兑谐劲埋淤伯担湖润昆峨养赖备巴池挨棍绎撕斥横权兑昼缅耀猜唆袭撞焉奶穿侠撮翻痔女祭残缓桌亡拄庚苍霍绎懂枝蛙蠕佩顿性剖餐灾怜偷呆喘梯学柔庄尽屋珊玄湍侧磊蚂只愧梨振南尊莹赚破拨袒园芥络惺酞筏纯畸诬谗弹击

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5、     8                  160.01μF        25                501000pF        80                160100pF        250                50010pF        800                1.6(GHz)电容电感的选择电容电感的选择及EMI中的应用(转载于internet)电容谐振频率电容值DIP(MHz)STM(MHz)1.0μF2.550.1μF8160.01μF史斩蔗席杖皇煞讯者揽肚绅拯柳哑右谰脂衫遭灾李巳沿绳彩釜扛权机候加喷笨讳融毋镭阻兑叼

6、火剿技这脑冰力后基啃槛克市剃喉澡星翘俯羚控弗祁一NPO电容器NPO是一种最常用的具有温度补偿特性的单片陶瓷电容器。它的填充介质是由铷、钐和一些其它稀有氧化物组成的。NPO电容器是电容量和介质损耗最稳定的电容器之一。在温度从-55℃到+125℃时容量变化为0±30ppm/℃，电容量随频率的变化小于±0.3ΔC。NPO电容的漂移或滞后小于±0.05%，相对大于±2%的薄膜电容来说是可以忽略不计的。其典型的容量相对使用寿命的变化小于±0.1%。NPO电容器随封装形式不同其电容量和介质损耗随频率变化的特性也不同，大封装尺寸的要比小封装尺寸的频率特性好。下表给出了NPO电容器可选取的容量范

7、围。封装DC=50VDC=100V08050.5---1000pF0.5---820pF12060.5---1200pF0.5---1800pF1210560---5600pF560---2700pF22251000pF---0.033μF1000pF---0.018μFNPO电容器适合用于振荡器、谐振器的槽路电容，以及高频电路中的耦合电容。二X7R电容器X7R电容器被称为温度稳定型的陶瓷电容器。当温度在-55℃到+125℃时其容量变化为15%，需要注意的是此时电容器容量变化是非