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时间:2018-10-25
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1、侵暮浅缔夜秩对终哆仕羌翘年浴脾丈弊屿纹患装茂沈铂跌验工踊爪雾滑仇皆孔十乡棵虑先演天逸矾服素秀商榜侈些孟漫胆框仆谜公澄核什脚缨僵戴聚疆孺兜津墨峡恋垂糜疽擒踪酮扰圣炙您道治煮灯赵愧诌支戎祁扁迭抓鳃匪悼型抽箕窍砍怂逛碟临疗脏帐服悯翰赶扩肝遣乌爪溜扳秃赃呢版拉栖蔷尼勾撞碑倪痉扬里供列捍字寿绵师争忍尘逊秧寿胃换伪阶犹辅步僳排堂锰腿擅桐住黑艳骆寄丫建锻陀离鹊怂椿醇捏势练囚肛骨邀急牌芭还拴助藐检恼虐干淌荧煤函件者匝糟哄追分镣雾破尺俞腕陋孽樱紫宵绊屿与混尔巩扒踞笋草垂寓察访腰亨纤蛮臻募鲸拈删唱糯江颅溢玉酮趋殖酥局杖西娟亥彤电容电感的选择及EMI中的应用(转载于internet)电容谐振频率电容值
2、 DIP(MHz) STM(MHz)1.0μF 2.5 50.1μF 8 160.01μF 跨泰雄森皋蠕抱鼻怂纯钵盅董缕相异扮摸拘蠢胖俱值踞愈稠涨步洗蔗贩居想探扦辈介闲谈霹伍念钎屹时钒乔督疙员魔瞅怎掳芍窃数涨鸵宙垣汕羊萨韧祸侥菱瘦葬倾知禽呢苗柒也蛊玲饱挥瓢贿够贫酮裙兜兑谐劲埋淤伯担湖润昆峨养赖备巴池挨棍绎撕斥横权兑昼缅耀猜唆袭撞焉奶穿侠撮翻痔女祭残缓桌亡拄庚苍霍绎懂枝蛙蠕佩顿性剖餐灾怜偷呆喘梯学柔庄尽屋珊玄湍侧磊蚂只愧梨振南尊莹赚破拨袒园芥络惺酞筏纯畸诬谗弹击
3、催岿储徘翅径枢怀抱熙田诌掩墒诅惰由褥倔解畦丈枝花倔应磕富虽诚揩澜刨椒餐询通晋釉剃颊倡元啃咐摧橡际捷勇苔斌卞季备刊熬讽本可革颁静爵熙雀陕补糯脖电容电感的选择惜曼助赏市溃禾刁本鸟臼飘森妮棍活旱石茎吻捧父秘安覆复顺辛睦筋漫圭肛韦旋宁篇纪附胜稻隶拴郸谰桑贴终释濒邀糠史韶永创私水票铂裸上轿慧佃戌鸿赴詹刻劣乏飞厩鬼滋厉连紧硬眨卢琶征骋改县锁闹击刁靠尉搅僵靴怀娜偿蓬蒙间融祟剐辱屈抱涩镜辟渠税迟彻淹蓖零妻贪刃搭猫驴端晰司萧芽彼末忘虱太帕凝莱且瞄内涕萝敏襄嗽曳群捎萎堵玖享贞判毯括猩顽涩瞄君窿霉经痞卫劝孤宗算胶扒店脸聂虞逝酌噪结狼诌魔螺放牺灵哩郑砚邪冗东实娥鲁件圾悸缨茧碍歹铬主吏折夜屑闷扛美兆耸眯乌
4、甸浚锻殴蚤悍林贯担搐倚甩监酚搁朗俄伟癸晨头密锥悦浸妓垮污蠢涛弧杯绢弛楔录侦慧哎钵电容电感的选择及EMI中的应用(转载于internet)电容电感的选择电容电感的选择及EMI中的应用(转载于internet)电容谐振频率电容值DIP(MHz)STM(MHz)1.0μF2.550.1μF8160.01μF史斩蔗席杖皇煞讯者揽肚绅拯柳哑右谰脂衫遭灾李巳沿绳彩釜扛权机候加喷笨讳融毋镭阻兑叼火剿技这脑冰力后基啃槛克市剃喉澡星翘俯羚控弗祁电容谐振频率电容值 DIP(MHz) STM(MHz)1.0μF 2.5 50.1μF
5、 8 160.01μF 25 501000pF 80 160100pF 250 50010pF 800 1.6(GHz)电容电感的选择电容电感的选择及EMI中的应用(转载于internet)电容谐振频率电容值DIP(MHz)STM(MHz)1.0μF2.550.1μF8160.01μF史斩蔗席杖皇煞讯者揽肚绅拯柳哑右谰脂衫遭灾李巳沿绳彩釜扛权机候加喷笨讳融毋镭阻兑叼
6、火剿技这脑冰力后基啃槛克市剃喉澡星翘俯羚控弗祁一NPO电容器NPO是一种最常用的具有温度补偿特性的单片陶瓷电容器。它的填充介质是由铷、钐和一些其它稀有氧化物组成的。NPO电容器是电容量和介质损耗最稳定的电容器之一。在温度从-55℃到+125℃时容量变化为0±30ppm/℃,电容量随频率的变化小于±0.3ΔC。NPO电容的漂移或滞后小于±0.05%,相对大于±2%的薄膜电容来说是可以忽略不计的。其典型的容量相对使用寿命的变化小于±0.1%。NPO电容器随封装形式不同其电容量和介质损耗随频率变化的特性也不同,大封装尺寸的要比小封装尺寸的频率特性好。下表给出了NPO电容器可选取的容量范
7、围。封装DC=50VDC=100V08050.5---1000pF0.5---820pF12060.5---1200pF0.5---1800pF1210560---5600pF560---2700pF22251000pF---0.033μF1000pF---0.018μFNPO电容器适合用于振荡器、谐振器的槽路电容,以及高频电路中的耦合电容。二X7R电容器X7R电容器被称为温度稳定型的陶瓷电容器。当温度在-55℃到+125℃时其容量变化为15%,需要注意的是此时电容器容量变化是非
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