电容电感的选择及emi中的应用

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1、电容电感的选择及EMI中的应用电容电感的选择及EMI中的应用电容电感的选择及EMI中的应用电容电感的选择及EMI中的应用云母电容：用金属箔或在云母片上喷涂银层做电极板，极板和云母一层一层叠合后，再压铸在胶木粉或封固在环氧树脂中制成。它的特点是介质耗费小，绝缘电阻大年夜、温度系数小，合实用于高频电路。陶瓷电容：用陶瓷做介质，在陶瓷基体两面喷涂银层，然后烧成银质薄膜做极板制成。它的特点是体积小，耐热性好、耗费小、绝缘电阻高，但容量小，合实用于高频电路。铁电陶瓷电容容量较大年夜，然则耗费和温度系数较大年夜，合实用于低频电路。薄膜电容：构造和纸介电容雷同，介质是涤纶或聚苯乙烯。涤纶薄膜电容，介电

2、常数较高，体积小，容量大年夜，稳定性较好，合适做旁路电容。聚苯乙烯薄膜电容，介质耗费小，绝缘电阻高，然则温度系数大年夜，可用于高频电路。金属化纸介电容构造和纸介电容基本相同。它是在电容器纸上覆上一层金属膜来代替金属箔，体积小，容量较大年夜，一般用在低频电路中。油浸纸介电容：它是把纸介电容浸在经过特别处理的油里，能加强它的耐压。它的特点是电容量大年夜、耐压高，然则体积较大年夜。铝电解电容：它是由铝圆筒做负极，里面装有液体电解质，插入一片曲折的铝带做正极制成。还须要经过直流电压处理，使正极片上构成一层氧化膜做介质。它的特点是容量大年夜，然则漏电大年夜，稳定性差，有正负极性，合实用于电源滤波或

3、低频电路中。应用的时刻，正负极不要接反。钽、铌电解电容：它用金属钽或铌做正极，用稀硫酸等配液做负极，用钽或铌外面生成的氧化膜做介质制成。它的特点是体积小、容量大年夜、机能稳定、寿命长、绝缘电阻大年夜、温度特点好。用在请求较高的设备中。半可变电容：也叫做微调电容。它是由两片或两组小型金属弹片，中心夹着介质制成。疗养的时刻改变两片之间的距离或面积。它的介质有空气、陶瓷、云母、薄膜等。可变电容：它由一组定片和一组动片构成，它的容量跟着动片的迁移转变可以持续改变。把两组可变电容装在一路同轴转动，叫做双连。可变电容的介质有空气和聚苯乙烯两种。空气介质可变电容体积大年夜，耗费小，多用在电子管收音机中

4、。聚苯乙烯介质可变电容做成密封式的，体积小，多用在晶体管收音机中。NPO(COG)：电气机能最稳定，基本上不随温度、电压与时光的改变面改变，实用于对稳定性请求高的高频电路；X7R(2X1)：电气机能较稳定,在温度、电压与时光改变时机能的变更其实不明显，实用于隔直、偶合、旁路与对容量稳定性请求不太高的鉴频电路，因为X7R是一种强电介质，因面能造出容量比NPO介质更大年夜的电容器；Y5V(2F4)(Z5U)：具有较低高的介电常数，常常应用于临盆比容较大年夜的、标称容量较高的大年夜容量电容器产品，但其容量稳定性较X7R差，容量、耗费对温度，电压等测试前提较敏感。1.14.1、退藕电容的一班设备

5、原则●电源输入端跨接一个10~100uF的电解电容器，假如印制电路板的地位许可，采取100uF以上的电解电容器的抗干扰后果会更好。●为每个集成电路芯片设备一个0.01uF的陶瓷电容器。如碰到印制电路板空间小而装不下时，可每4~10个芯片设备一个1~10uF钽电解电容器，这类器件的高频阻抗特别小，在500kHz~20MHz范围内阻抗小于1?，并且漏电流很小(0.5uA以下)。●对噪声才能弱、关断时电流变更大年夜的器件和ROM、RAM等存储型器件，应在芯片的电源线(Vcc)和地线(GND)间直接接入去耦电容。●去耦电容的引线不克不及太长，特别是高频旁路电容不克不及带引线。●在印制板中有接触器

6、、继电器、按钮等元件时.操作它们时均会产生较大年夜火花放电，必须RC电路来吸收放电电流。一般R取1~2K，C取2.2~47UF。●CMOS的输入阻抗很高，且易受感应，是以在应用时对不消端要接地或接正电源。●设计时应断定应用高频低频中频三种去耦电容，中频与低频去耦电容可根据器件与PCB功耗决定,可分别选47-1000uF和470-3300uF；高频电容计算为：C=P/V*V*F。●每个集成电路一个去耦电容。每个电解电容边上都要加一个小的高频旁路电容。●用大年夜容量的钽电容或聚酷电容而不消电解电容作电路充放电储能电容。应用管状电时，外壳要接地。因为大年夜部分能量的交换也是重要集中于器件的电源

7、和地引脚，而这些引脚又是自力的直接和地电平面相连接的。如许，电压的波动实际上主如果因为电流的不公道分布引发。但电流的分布不公道主如果因为大年夜量的过孔和隔离带酿成的。这类情况下的电压波动将重要传输和影响到器件的电源和地线引脚上。为减小集成电路芯片电源上的电压瞬时过冲，应当为集成电路芯片添加去耦电容。这可以有效去除电源上的毛刺的影响并削减在印制板上的电源环路的辐射。当去耦电容直接连接在集成电路的电源管腿上而不是连接在电源层上时，其腻滑