矽力杰笔试题

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1、前三题为必做题，全为英文描述题干1、写出电阻R、电容C、电感L的V/I关系式；2、给出的电压值求NPN型三极管的、(晶体管的开启电压为0.7v)VbVeVc010.7v20.7v3.在满足深度负反馈的条件下，求出以下放大电路的.整份试卷包含所有面试方向的题，最后一部分是IClayout方向的笔试题：1.简述CMOS的工艺流程2.给出nand2的管级图画出其layout。3.下图电路图中有两个MOSFET（MAandMB)假设每个MOSFET有两个gatefinger，右下版图应如何连接，才能使MA

2、andMB匹配。4.画出不同的电流镜图，并简述各自特点。面试时问到的问题技术部：1.晶体管的工作原理2.你在青软实训学到了什么3.你觉得怎样布局、布线，该注意哪些方面4.Latch-up的原理，形成示意图并提取其电路图5.ESD的工作原理，做ESD时你觉得应该注意哪些方面。。。。。。。。。。。。负责人：一直不停地从你回答的话中找问题，问问题，1.自对准工艺（SALICIDE）原理，后做栅会出现什么后果2.CMOS的工艺流程1.Latch-up的原理以及防止措施，Guardring的作用，保护作用具

3、体是怎样做到的。2.Bandgap的晶体管部分为什么做成方形。。。。。。。。。。。。。。。。。