fqc-w-200ledchip检验规范

《fqc-w-200ledchip检验规范》由会员上传分享，免费在线阅读，更多相关内容在工程资料-天天文库。

1、1•目的1.1制訂LEDCHIPFQC檢驗規範。1.2訂定成品入庫批允收程序，以確保產品品質達一定水笮。2.範圍本公司生產之所有LED產品均屬之。3.内容3.1檢驗測試項鬥3.1.1光電性檢驗3.1.2外觀檢驗3.1.3数值標示檢驗。3.2抽樣計畫(片數定義:晶片片數)3.2.1依「產品檢驗抽樣計剷」(WI-20-0101)抽/f執行檢驗。3.2.2光電特性檢驗(Vfh、Vfl、IV)(1)抽樣位置：分頁片邊緣4顆，分頁片内凼6顆，均勻取樣。(2)抽樣数景：每片10顆。(3)每片抽樣数，每一顆不良，則列一個缺

2、點。3.2.3外觀檢.驗(1)FSTYPE不良晶粒＞2ea/sheet,列入一個缺點。(2)5丁丫卩£或？5丁丫卩£分百时積敁長距離＜6.5(：01者，不良晶粒〉5ca/sheet，K＞10ca/wafer列入一個缺點。(3)缺點項目之限樣標準由製造、FQC兩單位共同製作，作為人員檢驗之依據。3.3缺點等級代字3.3.1主要缺點代字：MA(Major)。3.3.2次要缺點代字：MI(Minor)o3.4參考文件3.4.1本公司產品鬥錄規格書3.4.2研發工程產品測試分類規格3.4.3其他相關之品質文件4.光

3、電特性檢驗4.1順向電壓VFH4.1.1依特定之額定電流點測，須低於規格上限。4.1.2规格上限應參考測試分類规格及GaP、GaAsP、AlGaAs產品T/S前測站作業指導杏。4.1.1缺點等級：MA4.2顺14電ffiVr4.2.1依特定之額定電流點測，須高於规格卜*限，低於上限。4.2.2規格：GaP窆1.5V,GaAsP会1.3V，AlGaAs（1.25^Vn^1.5V）,IR（0.70-1.0V）o4.2.3缺點等級：MI4.3亮度Iv/Po4.3.1依特定之额定電流點測，須高於規格下限。4.3.2规

4、格卜*限應參考測試分類规格及各產品T/S前測站作業指禅書判定。4.3.3缺點等級：MA5.外觀檢驗（共同標準）檢.驗項H說明圖缺點等級5.1晶粒厚度5.1.1同一晶片晶粒厚度差芸2mil5.1.2UR同一晶片晶粒厚度差兰3MA5.2正而電極5.2.1電榼中心點1/3半徑範圍内，不得有任何異常（不含刮傷）R/3MA5.2.2電極破損、鋁泡（金泡）、非化嘐藥水污染（沾膠、雜物、矽膠粒、Ink...）、重工造成之金屬殘印子（如殘鈦）而稍應S1/5原電極而稍。(DMA5.2.3電楠刮傷自動川PS應芸1/5原電倾而積材

5、質：AlGalnP適用MA5.2.4電極擴大縮小：0.9倍＜原訂位4）＜1.1倍◎MA5.2.5二道偏移應*1.1倍"oMI5.2.6電極偏移a/b含2/11,MA5.2.7電極不得脊鋁黃、藥水污染MA5.2.8A動川PS電極小得有粗糙程度不一致影響機器辨视CMA5.2.9長腳電極斷裂應$1隻腳面積PowerChip（524,540相關產品）Pad小可形成掉腳XMA5.2.10長腳電極縮小寬度（B）應S1/2原寬度（A）MA5.3正面晶粒5.3.1晶粒污染、沾膠、藥水殘需芸1/5發光區面禎MA5.3.2全切品

6、粒未切穿者不作PS（半切晶粒及手動用NS之未切穿面積應S1/5原品粒面積）MA5.3.3晶粒切割内斜需$1/10原晶粒面積MA5.3.4晶粒不得為長方形

7、b/a

8、90%ObaMA檢驗項H說明岡示缺點等級5.3正面品粒5.4背面W：極5.5背面晶粒5.6晶粒排列5.3.5屯械周圍未粗化到的乃眉形區域，Imil5.3.6發光區傷到面積•自動用(PS)應芸1/5發光區面積•手動用(NS)A/B芸2/15.3.7發光區金屬殘餘應^1/5窀極iflitt5.3.8發光區刮傷應芸1/5原發光而秸且刮傷寬度應=10um/

9、line5.3.9SR,DR，UR氧化層膜脱落面積■一般規格(NX、NL、PX)應芸1/2原發光區面積•均勻性规格及tl動川(PS)應$1/5原發光區面積(PD、ND、PM)5.3.10脱離屯極之钔(金)紛k度應U/2屯極U:度5.3.11正崩•正面損傷、暗傷面積應51/5單邊長界限内•均勻性產品不得冇暗傷背面屯極總面禎1/2應侖總向積5.5.1背面晶粒污染面積應S1/2原晶粒面積5.5.2背面损傷面積應$1/5原晶粒面積5.5.3GaP產品8mil背崩而積應含1/3原品粒而積5.5.4TK508SRT，UY

10、T背崩面積應1/2原晶粒面積5.6.1同一排晶粒排列歪斜需顆晶粒5.6.2相鄰之品粒，排列不齊需$1/2品粒5.6.3晶粒角度不正芸±30'5.6.4iffl粒傾倒芸2ea/sheet5.6.5品粒問距自動用PS不得超過0.5〜1.0倍晶粒寬，手動用NS不得超過0.5〜1.2倍晶粒宽5.6.6晶粒排列ti動用PS•空洞超過5eaX5ea應兰2處/sheet(念晶片外閛有四洞者)•空洞率應芸20%•補