脉冲电流计时电位溶出法理论和实验

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时间:2018-10-12

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1、脉冲电流计时电位溶出法的理论和实验 脉冲电流计时电位溶出法的理论和实验  汤宏胜1,董社英1,2,于科岐1,胡婕1,高鸿1  (1.西北大学分析科学研究所,陕西西安710069;2.西安建筑科技大学理学院,陕西西安710055)  摘要:提出了一种新的计时电位溶出方法-脉冲电流计时电位溶出法(APC-CPSA),推导了其τ,溶出曲线方程及其微分导数方程,并从实验上进行了验证。实验结果表明:当方波脉冲电流与阴极电流、阳极电流交替流过电解池时,已溶出的部分离子会重新沉积在电极表面并再度氧化溶出,如此反复延长了过渡时间τ,提高了灵敏度。该方法操作简单,用

2、计算机很容易实现。关键词:电位溶出分析,计时电位溶出分析,脉冲电流计时电位溶出分析中图分类号:O657.1文献标识码:A文章编号:1000-274X(2003)0024-06    1976年,JAGNER[1]提出电位溶出分析法(PSA)不久,计时电位溶出法(CPSA)[2,3]也很快发展起来。为进一步提高灵敏度,H.P.BECK[4]等曾提出电位溶出法交变脉冲电流技术(APC-PSA)。本文在此基础上,提出了脉冲电流计时电位溶出法(APC-CPSA),推导了其τ,溶出曲线方程及其微分倒数方程,并从实验上进行了验证。该方法在已有溶出电流的基础上再

3、施加高频方波脉冲电流,延长了过渡时间τ,提高了灵敏度,并且由于它控制的是电流而不是电位,其他物质的干扰小。1理论推导  在理论推导之前,作以下假设:①电极表面的汞膜厚度各处均匀一致,溶出前膜中汞齐的浓度各处也均匀一致;②电极表面有一稳定的扩散边界层,它的厚度决定于溶液的条件(转速、粘度等),认为对所有的分析物,边界层的厚度是不变的;③所加电流是严格的方波脉冲,则最终加在电解池上的电流是方波脉冲电流与CPSA原有溶出电流的加和。设阳极电流为,一周期内它流过的时间为;阴极电流为,它流过的时间为,控制,;④富集与溶出阶段经历一个休止期,静止溶出,以确保在

4、电极表面存在分析物的高浓度区域,溶出在静止的条件下进行。  工作电极表面如图1所示,为汞膜厚度,为玻碳到汞膜表面的距离,为汞膜表面到溶液本体的距离。若氧化还原电对是可逆的,则分析物的氧化速率由分析物在汞膜中的扩散速率控制。基于上述假定的扩散方程及初始和边界条件分别为扩散方程,(1)    玻碳    电极          汞膜    图1玻碳汞膜电极表面示意图Fig.1Surfacedrawingontheglassycarbonmercuryfilmelectrode初始条件,,(2)边界条件,,(3)  ,,(4)其中:是还原态金属的浓度;是

5、还原态金属在汞膜中的扩散系数;是富集后汞膜中汞齐的浓度。理想状态下    (5)但是,实际上体系中不可避免地有背景电流、充电电流、物质扩散等因素的影响,使电流不能完全作用在每一个金属原子或离子的反应上,这就产生了效率问题。设的溶出效率为(),的沉积效率为()。由于溶出的离子向溶液本体扩散,所以,。实际状态的    (6)  初始条件表明,金属的初始浓度是富集后汞齐的浓度,为一定值;第一个边界条件表明金属的扩散限制在汞膜当中;第二个边界条件表明在电极表面()处,金属的氧化速率受和的控制。电流与物质的扩散是反向的。  经Laplace变换,解得    

6、(7)其中(8)时,(9)当时,,得(10)实际情况的修正公式为,即为APC-CPSA法的定量分析依据。(11)与CPSA中[5]进行比较,设交变参数,,过渡时间的比值为      (理想)(12)      (修正)(13)该比值即为脉冲电流计时电位溶出法相对于CPSA的放大系数。因为,所以。可见,与的绝对值无关,只与它们各自的比值有关。  为了确定溶出过程中电极表面金属离子的浓度。扩散方程及初始和边界条件如下扩散方程(14)初始条件(15)边界条件(16)(17)解扩散方程在时,(18)电极表面的电位由Nernst方程确定,(19)将式(9,1

7、8)代入(19)得  (理想)(20)  (修正)(21)  上式为APC-CPSA的表达式,与常规PSA的表达式比较,形式完全一致。这表明溶出过程无论是用氧化剂氧化,恒电流氧化还是加上脉冲电流氧化,其曲线的形状都是一致的。实质上它们的区别从上已反映出来。  为进一步提高灵敏度,对式(20)作微分倒数处理,参照文献[6],可类似得出当时,有极大值(理想)(22)     (修正)(23)  这是经过微分倒数处理后,峰高与浓度的定量关系。2实验验证2.1仪器与试剂  M283型恒电位/恒电流仪(EG&G公司,普林斯顿应用研究所,美国);交变脉冲电流用

8、该仪器所提供的开发平台编程,通过外输入加到仪器上。采用三电极系统:工作电极为直径3mm的玻碳汞膜电极;参比电极为饱和Ag-

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