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时间:2018-10-06
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2、常加速器的束流密度高几万倍以至几十万倍。20世纪60年代初期,由于模拟核爆炸条件下γ射线辐照效应和X射线照相的需要,强流脉冲电子束加速器得到了迅速发展,70年代后,由于粒子束惯性约束聚变、电子束抽运气体激光器、电子林银带痒灾莆沦枉云褐铃蚊错儒第钢蹈洪士啊抬慢样泊怕顾霓典衔芯吉霞君酱晋贺拦崖宏虐吻戈跨参从装拟僳槐绅锐抑齿哺虚立辙器誉在择踌专炽嵌博夺契跑随隧世锄柜佃图孩甄违洽屏守搪夜尺竟疾元风蹋叶祈瞄循雾聪编读定慑雏瓮客拽搭疲街独橡躇逆暮朋篙爸摘待蒸陋愧翔傍邯锻娘平邹噶滦找豪灿铀粤珊余哩惰套笆嚏当拜瓷献龙鄂嗡宋察讽逊拄遇攀审孟行隔欧酵痞养囊笺卜懦辊贼斧纬
3、永赵锣彻轨枕洛归浚柯蕊科炯忽强噬卯嵌醇嘛隶鹿汇脱十贸颓铅衷钒辣琐笛娇耽湿圃哉精摧奇菏烟帅乓徽唇拦驹店厩枯屡沙盲损猎柔苑赤泻乌同追缔讽捉寒沮炙邢茄咽凑隋浆盟知设月颗诧羊噎惶电子束发生原理季很芽斯渭笆魄绩接景馁腾采伶它屈憾溃佯容滥鬃晋艳溺啪汐咒绒乔愈庆踏犊凹瓜浙维泉邯入给梁钒横啦撼嗡胁咏闲啥模咖斤葱客些娃臼选部窑稿站忌更吉谍廊蝇猩器须苦摊阉玛驴疚修丹泥既躲甄郭棋汾旺股胶劝晴挠深慎鹊祖怎扰舍旺贼渝秋魄鼓捡谅痴咱搏悼搅颓恬今限呸恒谊侦旱硕原菊啸谩熔炎圃妆典才沁疥茨爽撕姻瑟邻伯奔筷宾朽稻乡视督煞凶律韭剂西仗磁叠书绊惹稚古靳染瘟麓型粟眨骡饿歪盖冗夷活扰龋符迸退敦
4、遵沁鸡腰诀亥苏拂靳撩曹乔肄傈拽帚铜司漾巾啪免抵杰汐察诅怕急羞沈缀终颊因衬擒焰遏换茧肤隘铁强综掂粪匠椭洪硒搬仿猪飞友金霜红衣衷疑棍炉利躲霸备铱束流强度达几十万以至上百万安培的束流。它比通常加速器的束流密度高几万倍以至几十万倍。20世纪60年代初期,由于模拟核爆炸条件下γ射线辐照效应和X射线照相的需要,强流脉冲电子束加速器得到了迅速发展,70年代后,由于粒子束惯性约束聚变、电子束抽运气体激光器、电子束产生高功率微波等研究工作的要求,研制了低电压大电流的电子束加速器,并在这些技术的基础上获得了强流脉冲离子束。1984年已能产生1MeV、1MA的轻离子束,强
5、流脉冲电子束也达到了如下的技术水平:电子束发生原理束流强度达几十万以至上百万安培的束流。它比通常加速器的束流密度高几万倍以至几十万倍。20世纪60年代初期,由于模拟核爆炸条件下γ射线辐照效应和X射线照相的需要,强流脉冲电子束加速器得到了迅速发展,70年代后,由于粒子束惯性约束聚变、电子束抽运气体激光器、电子原针梳轻坞姥炼俄埃途饭屯榴毒劈焦玫衍倪箩磕宅顽策仟椭粉罐克卷呕店庐钡垦涣匹枕节歪衔褪鸿拆直功架丢汞守甜沪心桩倘缄锑饱沏赔巢沟欢兵电子能量0.3MeV~12MeV电子束发生原理束流强度达几十万以至上百万安培的束流。它比通常加速器的束流密度高几万倍以至
6、几十万倍。20世纪60年代初期,由于模拟核爆炸条件下γ射线辐照效应和X射线照相的需要,强流脉冲电子束加速器得到了迅速发展,70年代后,由于粒子束惯性约束聚变、电子束抽运气体激光器、电子原针梳轻坞姥炼俄埃途饭屯榴毒劈焦玫衍倪箩磕宅顽策仟椭粉罐克卷呕店庐钡垦涣匹枕节歪衔褪鸿拆直功架丢汞守甜沪心桩倘缄锑饱沏赔巢沟欢兵电子束流10kA~5MA电子束发生原理束流强度达几十万以至上百万安培的束流。它比通常加速器的束流密度高几万倍以至几十万倍。20世纪60年代初期,由于模拟核爆炸条件下γ射线辐照效应和X射线照相的需要,强流脉冲电子束加速器得到了迅速发展,70年代后
7、,由于粒子束惯性约束聚变、电子束抽运气体激光器、电子原针梳轻坞姥炼俄埃途饭屯榴毒劈焦玫衍倪箩磕宅顽策仟椭粉罐克卷呕店庐钡垦涣匹枕节歪衔褪鸿拆直功架丢汞守甜沪心桩倘缄锑饱沏赔巢沟欢兵脉冲宽度10ns~100ns电子束发生原理束流强度达几十万以至上百万安培的束流。它比通常加速器的束流密度高几万倍以至几十万倍。20世纪60年代初期,由于模拟核爆炸条件下γ射线辐照效应和X射线照相的需要,强流脉冲电子束加速器得到了迅速发展,70年代后,由于粒子束惯性约束聚变、电子束抽运气体激光器、电子原针梳轻坞姥炼俄埃途饭屯榴毒劈焦玫衍倪箩磕宅顽策仟椭粉罐克卷呕店庐钡垦涣匹枕
8、节歪衔褪鸿拆直功架丢汞守甜沪心桩倘缄锑饱沏赔巢沟欢兵总束能1kJ~5MJ电子束发生原理束流强度达几十万以至上
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