厦公采2008174c02号

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1、厦公采〔2008〕174C02号关于GW2008-174C实验室设备项目的补充通知各潜在投标人：根据采购人要求，GW2008-174C实验室设备项目的招标文件作如下修改：一、合同包二光电子实训室设备更改如下：合同包序号项目名称主要技术参数数量二2-1光电特性综合实验系统详见附件一4套2-2光电传感器系统实验仪详见附件二4套2-3光纤信息与光纤传感实验系统详见附件三4套2-4激光多功能光电测试系统详见附件四4套2-5LED光强分布自动测试仪详见附件八1套2-6增强型光谱分析系统详见附件九1套2-7超声手动金丝球焊机详见附件五1套2

2、-8半自动灌胶机详见附件六1套2-9电热鼓风干燥箱详见附件七1套2-10交换机24百兆+2千兆上行以太网交换机(220VAC、24FE、19英寸、标准机架式)3台附件一：光电特性综合实验系统1．系统概况及特点:本实验系统主要围绕发光光源（低压汞灯、卤钨灯、发光二极管、激光二极管）、及光电探测器（光电二极管、光敏电阻、硅光电池、PIN管、雪崩光电二极管、光电倍增管两大部分进行，是了解和掌握近代科技发展中光电技术科学知识、为掌握光谱与光电探测技术的原理奠定实物概念和建立应用技术基础。实验适用于信息专业、光学专业、物理专业、计量测试专

3、业、仪器科学专业等的教学实验。系统配置：半导体发光器件及驱动电源——发光二极管（LED）、激光二极管（LD）等；光电探测器及驱动电源——光电二极管、光敏电阻、硅光电池、PIN管、APD（雪崩管）、PMT（光电倍增管）等；自动光栅色谱仪一套；电学特性测试箱一个；光学测试平台（720×600mm）一块；进口滑动导轨三支；实验选配电阻箱一个；实验用器件支架一套；计算机实验软件一套（计算机由用户自行配置）2．实验内容（可进行光电器件特性精确测试）附有实验指导书第一部分发光二极管原理及特性测试实验一LED伏安特性（V-I）测试实验二LED

4、辐射强度空间分布及半值角的测量实验三LED的电光转换特性（P-I）实验四LED光谱特性测试第二部分激光二极管原理及特性测试实验五半导体激光二极管原理演示实验八六激光二极管（LD）伏安特性（V-I）的测量实验七激光二极管的辐射强度空间分布及半角值的测量实验八激光二极管电光转换特性（P-I）实验九激光二极管的阈值电流Ith的确定实验十激光二极管的量子效率实验十一激光二极管光谱特性测量第三部分光电传感器原理及特性测试实验实验十二光电探测器相对光谱响应度的测试实验十三光敏二极管、光敏三极管、光电阻暗电流的测试实验十四光电倍增管PMT暗电

5、流的测试实验十五PMT阴极伏安特性的测试实验十六PMT阳极伏安特性及放大倍数的测试实验十七雪崩光电二极管APD反向电压的测试实验十八雪崩光电二极管APD暗电流的测试实验十九雪崩光电二极管APD倍增特性的测试附件二：光电传感器系统实验仪本设备特点是将各种光电器件、被测体、信号源、仪表显示、信号采集、处理电路及实验所需的温度、位移、光源、旋转装置集中于一机，可以方便地对十种光电器件进行光谱特性、光电特性、温度特性等二十余种实验。并可根据实验原理自主开发出更多的实验内容。实验仪主要由实验工作台、信号控制及仪表显示、图象和数据采集、光电

6、转换/处理电路、数据与图象实验处理软件组成。光电器件：（十种）1、光敏二极管：由具有光敏特性的PN结制成，不同的二极管光谱范围是不同的。2、光敏三极管：具有NPN或PNP结构的半导体光敏管，引出电极二个，较之光敏二极管具有更高的灵敏度。3、光敏电阻：CdS材料制成，其电阻值随光照强度而改变。4、光电池：根据光生伏特效应原理制成的半导体PN结，光谱响应范围在50~100μm光波长之间。5、光断续器：透过型的红外发射-接收器件。6、光纤传感器：导光型红外发射-接收传感器，可测位移、转速、振动温度、压力等。7、PSD光电位置传感器：一

7、维线阵半导体光点位置敏感传感器，传感器尺寸≤10mm，采用工业三角测量法，位置测试范围≤25mm。灵敏度≥0.01mm。1、CCD电荷耦合图像传感器：物体轮廓与图像监测，光敏面尺寸4mm×3.5mm。2、热释电红外传感器：工作范围波长5~10μm红外光,探测距离≥5m。3、光栅传感器：光栅及光栅组，完成光栅衍射及光栅距测试、光栅莫尔条纹精密位移测试（计算机软件自动记数，完成精密位移测量）。仪器包含：图像卡：32位图像采集卡，可以从任意视频源中采集图像并支持所有VGA分辨率。实验软件：配合图像卡与CCD传感器进行图像采集与分析，完

8、成CCD物径测试与莫尔条纹自动记数测距实验。软件可以对BMP图像进行如图像的反转、镜像、二值化、颜色、多种滤波方式的处理。温度源：电加热器，温升≤100℃。光源：12V安全电压，高亮度卤钨灯；各色高亮度LED发光管，红外发光管。固体激光器：波长650nm，输出功