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《层状复合稀土氢氧化物的制备、插层及其发光性能研究(可编辑)》由会员上传分享,免费在线阅读,更多相关内容在教育资源-天天文库。
1、北京化工大学硕士学位论文层状复合稀土氢氧化物的制备、插层及其发光性能的研究姓名:王琳申请学位级别:硕士专业:化学工程与技术指导教师:陆军20100410摘要层状复合稀土氢氧化物的制备、插层及发光性能的研究摘要层状稀土氢氧化物,是一类具有层状结构的新型无机层状功能材料。该类物质结合了无机稀土离子和层状材料的优点,是一种新型的、很有发展潜力的功能发光材料。本论文的主要工作如下:、采用水热法制备了二元、三元体系、化学组成可调性的层状复合稀土氢氧化物,略.,;.舭,通过、、.等测试手段表征了产物的晶体结构组成
2、和形貌。研究表明,当层板上引入其他稀土离子时并没有破坏的层状结构,产物晶型良好,结晶度高。另外又进一步详细研究了,峨..的发光性能。结果表明,』《.大部分产物和,疆‰..分别在?、位置处出现了最强发射峰。层板上发光离子”的浓度对样品的发光性能有关键作用。样品的发光位置不随着浓度的变化而改变,但对其发射峰强度有显著影响。.和.样品出现了浓度%、%。同时鉴于猝灭现象,其中的最佳浓度分别为工.各样品中蓝光区域?跃迁与绿光区域?跃迁、,.各样品中红光区域跃迁与橙光区域跃迁的相对强度比值不同,得到了层板发光颜北
3、京化工大学博士学位论文色不同的.。、采用离子交换法制备得到了三.羟基喹啉..磺酸合铝/十二烷基磺酸根插层二元层状稀土氢氧化物复合材料?/?,通过、等表征手段表明和通过静电相互作用和氢键的主体.客体相互作用、以单分子层的方式定位于主体层板间,形成稳定的超分子结构,从而使得插层产物间的配合物稳定性较纯配合物有显著提高。进一步研究了主体层板中离子、层间发光配合物含量对插层产物荧光性能的影响。层板的含量在较低.%或较高慌时产物只出现了的特征发射峰。随着浓度的增加,产物中的荧光特征峰出现了蓝移,其荧光强度呈现先
4、增大后减小的趋势,当的含量为.%时发光最强。不同浓度的插层产物都出现了和的特征发射峰。随着含量的增加,的发射峰位置未发射明显变化,的发射峰发生了红移;各发射峰的强度都呈现%时发光最强。通过调先增大后减小的趋势,当的含量为变主体和客体的含量从而得到了一系列发光可调性的无机.有机复合材料。、采用焙烧层状前体方法得到了掺杂型稀土氧化物:。研究发现,随着焙烧温度的增加,:的粒径逐渐增大。通过对:粉体的表征,表明了::粉体在。出现了温度猝灭现象,:粉体的发光强度则逐渐增强。关键词:层状复合稀土氢氧化物,插层,焙
5、烧,荧光,可控性摘要,.?..:?.《氓。,;茎.,,北京化工大学博士学位论文...??一...,%%,.??,眦,,.旷,,?,..一一一.?/?,..?/摘要艉..:?.,.:,:.:,,,,北京化工大学位论文原创性声明本人郑重声明:所呈交的学位论文,是本人在导师的指导下,独立进行研究工作所取得的成果。除文中已经注明引用的内容外,本论文不含任何其他个人或集体已经发表或撰写过的作品成果。对本文的研究做出重要贡献的个人和集体,均己在文中以明确方式标明。本人完全意识到本声明的法律结果由本人承担。??彦作
6、者签名:至坠日期:关于论文使用授权的说明学位论文作者完全了解北京化工大学有关保留和使用学位论文的规定,即:研究生在校攻读学位期间论文工作的知识产权单位属北京化工大学。学校有权保留并向国家有关部门或机构送交论文的复印件和磁盘,允许学位论文被查阅和借阅;学校可以公布学位论文的全部或部分内容,可以允许采用影印、缩印或其它复制手段保存、汇编学位论文。保密论文注释:本学位论文属于保密范围,在上年解密后适用本授权书。非保密论文注释:本学位论文不属于保密范围,适用本授权书。日期:三旦:兰兰堡第一章绪论第一章绪论.稀
7、土材料的研究概述稀土元素具有相似的外层电子结构,而且其内层电子能级的构型都比较相近且电子能级结构丰富,因而稀土化合物表现出许多独特的化学性质和物理性质,其在光、电、磁等领域得到了广泛的应用,被誉为新材料的宝库【引。在稀土功能材料的发展中,尤其以稀土发光材料格外引人注目。在我国储藏着十分丰富的稀土资源,我们利用稀土化合物独特的发光性能,将其广泛地应用在工业、农业、医药学及其他高技术产业中。因此对稀土功能材料的研究有着重要的理论指导意义及应用研究价值。..稀土元素的结构特点稀土元素是指镧系元素加上同属族的
8、和,共种元素。其中镧系元素包括元素周期表中原子序数从一号种元素,它们是、、、,,,,,,,,,,,表.列出了稀土元素原子和离子的电子排布。从中可以看出镧系元素原子电子层结构的特点:原子的最外层都具有个电子;次外层电子结构相似;倒数第三层规道上的电子数随着原子序数增加而增加;同时需要注意的是,由于电子只能屏蔽所增加核电荷中的一部分约%,在原子中由于电子的电子云的弥散作用没有在离子中大,造成屏蔽系数略大,因此当原子序数增加时,外层电子所受到有效电荷的引力实际