01---半导体名词解怿

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1、ACTIVEAREA主动区(工作区)主动晶体管(ACTIVEFRANSISTOR)被制造的区域即所谓的主动区(activearea)在标准之MOS制造过程中ACTIVEAREA是由一层氮化硅光罩及等接氮化硅蚀刻之后的局部特区氧化(LOCOSOXIDATION)所形成的，而由于利用到局部场氧化之步骤．所以ActiveAREA会受到鸟嘴(BIRD’SBEAK)之影响而比原先的氮化硅光罩所定义的区域来得小以及长，0.6UM的场区氧化而言大概会有0.5UM之BIRD'SBEAK存在也就是说ACTIVEAREA比原在之氮化硅光罩定义之区域小0.5UM Acetone丙酮1.丙酮是有机溶剂的一种，分子式为

2、CH3COCH32.性质：无色，具剌激性薄荷臭味之液体3.用途：在FAB内之用途，主要在于黄光室内正光阻之清洗、擦拭4﹒毒性：对神经中枢具中度麻醉性，对皮肤粘膜具轻微毒性，长期接触会引起皮肤炎，吸入过量之丙酮蒸气会刺激鼻、眼结膜、咽喉粘膜、甚至引起头痛、念心、呕吐、目眩、意识不明等。5﹒允许浓度:1000ppm ADI显影后检查AfterDevelopingInspection之缩写目的：检查黄光室制程;光阻覆盖®对准®曝光弓显影。发现缺点后，如覆盖不良、显影不良‥‥等即予修改(Rework)﹒以维产品良率、品质。方法：利用目检、显微镜为之。 AEI蚀刻后检查1.AEI即AfterEtchin

3、gInspection，在蚀刻制程光阻去除、前反光阻去除后，分别对产品实施主检或抽样检查。2.AEI之目的有四：2-1提高产品良率，避免不良品外流。2-2达到品质的一致性和制程之重复性。2-3显示制程能力之指针。2-4防止异常扩大，节省成本3.通常AEI检查出来之不良品，非必要时很少做修改。因为重去氧化层或重长氧化层可能造成组件特性改变可靠性变差、缺点密度增加。生产成本增高，以及良率降低之缺点。 AirShower空气洗尘室进入洁净室之前，须穿无尘衣，因在外面更衣室之故﹒无尘衣上沽着尘埃，故进洁净室之前﹒须经空气喷洗机将尘埃吹掉。 54Alignment对准目的：在IC的制造过程中，必须经过6

4、至10次左右的对准、曝光来定义电路图案，对准就是要将层层图案精确地定义显像在芯片上面。方法：利用芯片上的对准键﹒一般用十字键﹒和光罩上的对准键合对为之方式：1.人眼对准，2.用光、电组合代替人眼，即机械式对准。 ALLOY/Sinter合金化ALLOY之目的在使铝与硅衬底（SILICONSUBSTRATE）的接触有OHMIC特性，即电压与电流成线性关系。ALLOY也可降低接触的阻力值。 AL/SI铝/硅靶此为金属溅镀时所使用的一种金属合金材料利用AR游离的离子，让其撞击此靶的表面，把AL/SI的原子撞击出来，而镀在芯片表面上，一般使用之组成为AL/SI(1%)，将此当做组件与外界导线连接。  

5、AL/SI/CU铝/硅/铜金属溅镀时所使用的原料名称，通常是称为TARGET，其成份为0.5%铜，1%硅及98.5%铝，一般制程通常是使用99%铝1%硅．后来为了金属电荷迁移现象(ELECTROMIGRATION)故渗加0.5%铜降低金属电荷迁移 ALUMINUM铝此为金属溅镀时，所使用的一种金属材料，利用AR离子，让其撞击此种材料做成的靶表面﹒把AL原子撞击出来，而镀在芯片表面上，将此做为组件与外界导线之连接。 ANGLELAPPING角度研磨ANGLELAPPING的目的是为了测量JUNCTION的深度，所作的芯片前处理，这种采用光线干涉测量的方法就称之ANAGLELAPPING。公式为X

6、j=l/NF，即JUNCTION深度等于入射光波长的一半与干涉条纹数之乘积。但渐渐的随着VLSI组件的缩小，准确度及精密度都无法因应，如SRP(SPREADINGRESISTANCEPRQBING)也是应用﹒ANGLELAPPING的方法作前处理，采用的方法是以表面植入浓度与阻质的对应关系求出JUNCTION的深度，精确度远超过入射光干涉法。 ANGSTROM埃是一个长度单位，其大小为1公尺的佰亿分之一，约人的头发宽度之伍拾万分之一。此单位常用于IC制程上，表示其层(如SiO2，POLY，SIN‥)厚度时用。 54APCVD(ATMOSPRESSURE)常压化学气相沉积APCVD为ATMOSP

7、HERE(大气),PRESSURE（压力）,CHEMICAL(化学),VAPOR(气相)及DEPOSITION(沉积)的缩写，也就是说，反应气体(如SIH4(g)，PH3（g）,B2H6和O2（g）)在常压下起化学反应而生成一层固态的生成物(如BPSG)于芯片上。 As75砷．自然界元素之一。由33个质子﹒42个中子及75个电子所组成。．半导体工业用的砷离子(As+)可由AsH气体分解而得到。．A