半导体制造的常用名词

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1、半导体制造的常用名词半导体制造的常用名词[2007-5-917:11:00

2、By:sexlex]1.acceptancetesting(WAT:waferacceptancetesting)2.acceptor:受主，如B，掺入Si中需要接受电子3.ACCESS：一个EDA（EngineeringDataAnalysis）系统4.Acid：酸5.Activedevice：有源器件，如MOSFET（非线性，可以对信号放大）6.Alignmark(key)：对位标记7.Alloy：合金8.Aluminum：铝9.Ammonia：氨水10.Ammoniu

3、mfluoride：NH4F11.Ammoniumhydroxide：NH4OH12.Amorphoussilicon：α-Si，非晶硅（不是多晶硅）13.Analog：模拟的14.Angstrom：A（1E-10m）埃15.Anisotropic：各向异性（如POLYETCH）16.AQL(AcceptanceQualityLevel)：接受质量标准，在一定采样下，可以95%置信度通过质量标准（不同于可靠性，可靠性要求一定时间后的失效率）17.ARC(Antireflectivecoating)：抗反射层（用于METAL等层的光刻）18.Anti

4、mony(Sb)锑19.Argon(Ar)氩20.Arsenic(As)砷21.Arsenictrioxide(As2O3)三氧化二砷22.Arsine(AsH3)23.Asher：去胶机24.Aspectration：形貌比（ETCH中的深度、宽度比）25.Autodoping：自搀杂（外延时SUB的浓度高，导致有杂质蒸发到环境中后，又回掺到外延层）26.Backend：后段（CONTACT以后、PCM测试前）27.Baseline：标准流程28.Benchmark：基准29.Bipolar：双极30.Boat：扩散用（石英）舟31.CD：（Cr

5、iticalDimension）临界（关键）尺寸。在工艺上通常指条宽，例如POLYCD为多晶条宽。32.Characterwindow：特征窗口。用文字或数字描述的包含工艺所有特性的一个方形区域。33.Chemical-mechanicalpolish（CMP）：化学机械抛光法。一种去掉圆片表面某种物质的方法。34.Chemicalvapordeposition（CVD）：化学汽相淀积。一种通过化学反应生成一层薄膜的工艺。35.Chip：碎片或芯片。36.CIM：computer-integratedmanufacturing的缩写。用计算机控制和

6、监控制造工艺的一种综合方式。37.Circuitdesign：电路设计。一种将各种元器件连接起来实现一定功能的技术。38.Cleanroom：一种在温度，湿度和洁净度方面都需要满足某些特殊要求的特定区域。39.Compensationdoping：补偿掺杂。向P型半导体掺入施主杂质或向N型掺入受主杂质。40.CMOS：complementarymetaloxidesemiconductor的缩写。一种将PMOS和NMOS在同一个硅衬底上混合制造的工艺。41.Computer-aideddesign（CAD）：计算机辅助设计。42.Conductiv

7、itytype：传导类型，由多数载流子决定。在N型材料中多数载流子是电子，在P型材料中多数载流子是空穴。43.Contact：孔。在工艺中通常指孔1，即连接铝和硅的孔。44.Controlchart：控制图。一种用统计数据描述的可以代表工艺某种性质的曲线图表。45.Correlation：相关性。46.Cp：工艺能力，详见processcapability。47.Cpk：工艺能力指数，详见processcapabilityindex。48.Cycletime：圆片做完某段工艺或设定工艺段所需要的时间。通常用来衡量流通速度的快慢。49.Damage：

8、损伤。对于单晶体来说，有时晶格缺陷在表面处理后形成无法修复的变形也可以叫做损伤。50.Defectdensity：缺陷密度。单位面积内的缺陷数。51.Depletionimplant：耗尽注入。一种在沟道中注入离子形成耗尽晶体管的注入工艺。（耗尽晶体管指在栅压为零的情况下有电流流过的晶体管。）52.Depletionlayer：耗尽层。可动载流子密度远低于施主和受主的固定电荷密度的区域。53.Depletionwidth：耗尽宽度。53中提到的耗尽层这个区域的宽度。54.Deposition：淀积。一种在圆片上淀积一定厚度的且不和下面层次发生化学反

9、应的薄膜的一种方法。55.Depthoffocus（DOF）：焦深。56.designofexperiments(DOE)