第二届光、电子、材料与应用国际会议OEMAXX

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1、第二届光、电子、材料与应用国际会议OEMAXX1.相关信息:  OEMAXX于XX年3月6日在重庆海宇温泉大酒店召开,所有录用文章会后一个月内全部Ei检索;OEMAXX所有录用文章将由AMR出版并将全部EI核心检索。  本次会议的优秀论文经评审并扩展后可以推荐到高级EI源刊上发表,预期推荐期刊量为60-80篇。2.会议情况介绍:  第二届光、电子、材料与应用国际会议OEMAXX将于XX年5月4日至6日在中国重庆召开,会议得到了湖南工程学院、上海交通大学、河南科技学院、沈阳理工大学与重庆师范大学的相关专家的支持,同时会议还得到了瑞士知名的出版社TTP的大力支持,并将由TTP旗下的国

2、际期刊AdvancedMaterialsResearch(AMR)Journal(ISSN:1022-6680)出版并EI核心检索。  所有投稿稿件请在投稿系统里投稿,文章中不得有中文字符,文章请严格按模板进行排版。其中AMR的长度为4页到5页,低于4页将不安排发表,超过5页的将加收超页费。截止日期XX-12-31录用通知XX-01-10注册截止XX-01-25出版社官方链接/conference-5564.主题  会议征稿范围主要为以下内容,但不仅限于以下内容:光电子材料和器件光学材料和器件可持续材料和应用NEMS/MEMS材料与器件电气与电子工程电子材料与仪器建模,仿真与应用

3、计算机与通信工程人工智能与控制工程5.收费标准与注册  OEMAXX的收费标准为普通作者2600元,学生与增加的文章2400元,无文章参会者1000元。  注册的注意事项:  1、请在注册时交汇款凭证的扫描件、终稿、注册表、版权页、学生证明一并发到oemaXX@。邮件的标题通常为:oema+编号+注册,附件名分别是oema+编号+汇款凭证,oema+编号+文章终稿等字样。2、请仔细检查文章的格式是否正确,页数是否符合要求(4-5页,超过页数交超页费),建议在最后一页多留两行空白,以防止超页.3、注册后一般一到两天就会有回复,非有特殊原因,不要重复发送注册资料,否则不知哪上版本是正

4、确的。4、请严格按照附件里关于EI检索对摘要,题目和英文语法的相关的要求对文章终稿进行修改。CallforpapersSubmissionandPublicationOnlyoriginalandunpublishedpaperwillbeconsidered.AllacceptedpaperswillbepublishedbyTTP,inAdvancedMaterialsResearch(AMR)Journal(ISSN:1022-6680),whichisonlineavailableinfulltextviatheplatformAMRshouldbeindexedbyEI

5、accordingthepreviousTTPindexresults.所有录用的文章将由TTP旗下的国际学术期刊AMR出版并将EI检索,OEMAXX全部文章会后不到一个月EI检索。AllpapersshouldbeinPDFformat,andsubmittedelectronicallythroughtheconferencewebsite.ThemanuscriptsshouldbewritteninEnglish,andfollowtheAMRformatprovidedontheconferencewebsite.Papersarelimitedtotopages,an

6、dshorterpapers(lessthanpages)willberejecteddirectly.ImportantDatesFullpaperdueDecember1,011AcceptancenotificationJanuary10,012Camera-readycopyJanuary5,012ImportantDatesCallforPapersInternationalConferenceonOptical,ElectronicMaterialsandApplications01May-6,012,Chongqing,ChinaFullpaperdueDecemb

7、er1,011AcceptancenotificationJanuary10,012Camera-readycopyJanuary5,012OEMA201TopicsSubmissionsofpapersdescribingoriginalworkin,butnotlimitedto,thefollowingtopicsareenthusiasticallyencouraged.1.PhotonicsMaterialsandDevices  SolidstatelightingS

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