符合《光伏制造行业规范条件》

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1、符合《光伏制造行业规范条件》　　篇一：光伏制造行业规范条件　　《光伏制造行业规范条件(XX年本)》（修订版）　　为加强光伏行业管理，引导产业加快转型升级和结构调整，推动我国光伏产业持续健康发展，根据国家有关法律法规及《国务院关于促进光伏产业健康发展的若干意见》（国发[XX]24号），按照优化布局、调整结构、控制总量、鼓励创新、支持应用的原则，制定本规范条件。　　一、生产布局与项目设立　　（一）光伏制造企业及项目应符合国家资源开发利用、环境保护、节能管理等法律法规要求，符合国家产业政策和相关产业规划及布局

2、要求，符合当地土地利用总体规划、城市总体规划、环境功能区划和环境保护规划等要求。　　（二）在国家法律法规、规章及规划确定或省级以上人民政府批准的基本农田保护区、饮用水水源保护区、自然保护区、风景名胜区、重要生态功能保护区和生态环境敏感区、脆弱区等法律、法规规定禁止建设工业企业的区域不得建设光伏制造项目。上述区域内的现有企业应逐步迁出。　　（三）严格控制新上单纯扩大产能的光伏制造项目。对加强技术创新、降低生产成本等确有必要的新建和改扩建项目，报行业主管部门及投资主管部门备案。新建和改扩建光伏制造项目，最低

3、资本金比例为20%。　　二、生产规模和工艺技术　　（一）光伏制造企业应采用工艺先进、节能环保、产品质量好、生产成本低的生产技术和设备。　　（二）光伏制造企业应具备以下条件：在中华人民共和国境内依法注册成立，具有独立法人资格；具有太阳能光伏产品独立生产、供应和售后服务能力；具有省级以上独立研发机构、技术中心或高新技术企业资质，每年用于研发及工艺改进的费用不低于总销售额的3%且不少于1000万元人民币；申报符合规范名单时上一年实际产量不低于本条第（三）款产能要求的50%。　　（三）光伏制造企业按产品类型应分

4、别满足以下要求：　　1.多晶硅项目每期规模不低于3000吨/年；　　2.硅锭年产能不低于1000吨；　　3.硅棒年产能不低于1000吨；　　4.硅片年产能不低于5000万片；　　5.晶硅电池年产能不低于200MWp；　　6.晶硅电池组件年产能不低于200MWp；　　7.薄膜电池组件年产能不低于50MWp；　　8.逆变器年产能不低于200MWp（微型逆变器不低于10MWp）。　　（四）现有光伏制造企业及项目产品应满足以下要求：　　1.多晶硅满足《太阳能级多晶硅》（GB/T25074）1级品的要求；　　2.

5、多晶硅片（含准单晶硅片）少子寿命大于2μs，碳、氧含量分别小于10和16PPMA；单晶硅片少子寿命大于10μs，碳、氧含量分别小于1和16PPMA；　　3.多晶硅电池和单晶硅电池的光电转换效率分别不低于17%和%；　　4.多晶硅电池组件和单晶硅电池组件的光电转换效率分别不低于%和16%；　　5.硅基、铜铟镓硒（CIGS）、碲化镉（CdTe）及其他薄膜电池组件的光电转换效率分别不低于8%、11%、11%、10%；　　6.含变压器型的光伏逆变器中国加权效率不得低于96%，不含变压器型的光伏逆变器中国加权效率

6、不得低于98%（微型逆变器相关指标分别不低于94%和95%）。　　（五）新建和改扩建企业及项目产品应满足以下要求：　　1.多晶硅满足《硅多晶》（GB/T12963）2级品以上要求；　　2.多晶硅片（含准单晶硅片）少子寿命大于μs，碳、氧含量分别小于8和6PPMA；单晶硅片少子寿命大于11μs，碳、氧含量分别小于1和16PPMA；　　3.多晶硅电池和单晶硅电池的光电转换效率分别不低于%和20%；　　4.多晶硅电池组件和单晶硅电池组件光电转换效率分别不低于%和17%；　　5.硅基、CIGS、CdTe及其他薄

7、膜电池组件的光电转换效率分别不低于12%、13%、13%、12%。　　（六）多晶硅电池组件和单晶硅电池组件衰减率在1年内分别不高于%和3%，25年内不高于20%；薄膜电池组件衰减率在1年内不高于5%，25年内不高于20%。　　三、资源综合利用及能耗　　（一）光伏制造企业和项目用地应符合国家已出台的土地使用标准，严格保护耕地，节约集约用地。　　（二）光伏制造项目能耗应满足以下要求：　　1.现有多晶硅项目还原电耗小于65千瓦时/千克，综合电耗小于120千瓦时/千克；新建和改扩建项目还原电耗小于55千瓦时/千

8、克，综合电耗小于100千瓦时/千克；　　2.现有硅锭项目平均综合能耗小于千瓦时/千克，新建和改扩建项目小于7千瓦时/千克；如采用多晶铸锭炉生产准单晶或高效多晶产品，项目平均综合能耗的增加幅度不得超过千瓦时/千克；　　3.现有硅棒项目平均综合能耗小于45千瓦时/千克，新建和改扩建项目小于40千瓦时/千克；　　4.现有多晶硅片项目平均综合能耗小于45万千瓦时/百万片，新建和改扩建项目小于40万千瓦时/百万片；现有单晶硅片项目平均综合能耗小于40