某着名公司光刻工艺及设备

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1、光刻加工平台http://snff.sinano.ac.cn时文华曾春红王逸群Email：whshi2007@sinano.ac.cnchzeng2007@sinano.ac.cnyqwang2008@sinano.ac.cnTEL：62872500，62872517.光刻培训流程到平台秘书处报名预约培训理论培训需付费人签字填写培训申请表上机培训实习期内不得独立上机操作，需相关人员陪同实习期•正式授权后如一年内未进行上正式授权使用机操作者需从新授权使用光刻简介光刻的本质是把制作在掩膜版上的图形复制到以后要进行刻蚀和离子注入的晶圆上。其原理与照相相似，不同的是半导体晶圆与光刻胶代替了照相底片

2、与感光涂层。光刻流程图前部工艺清洗表面处理涂胶前烘对准&曝光坚膜显影后烘核心工艺否去胶检查黄光室通过刻蚀注入基本工艺流程•旋转涂胶•对准和曝光•显影光源光刻版光刻胶衬底光刻胶光刻胶是一种有机化合物，受紫外曝光后，在显影溶液中的溶解度会发生变化。晶片制造中所用的光刻胶通常以液态涂在硅片表面，而后被干燥成胶膜。负性光刻胶　负性光刻胶在曝光后硬化变得不能溶解。正性光刻胶正性光刻胶曝光后软化变得可溶。UV负性胶衬底显影正性胶衬底resister衬底光刻版光刻胶表面处理•表面处理晶圆容易吸附潮气到它的表面。光刻胶黏附要求要严格的干燥表面，•涂胶所以在涂胶之前要进行脱水烘焙和黏附剂的涂覆。脱水烘焙的温

3、度通•前烘常在140度到200度之间。有时还要用到黏附剂，黏附剂通常使用HMDS•对准和曝光（六甲基二硅胺脘）。表面处理的主要作用是提高光刻胶与衬底之间•显影•图形检查的粘附力，使之在显影过程中光刻胶不会被液态显影液渗透。（如下•坚膜图）光刻胶显影液粘附力好表面渗透Attractiveinteraction衬底是否要使用黏附剂要根据图形大小、衬底及光刻胶的种类来决定，HMDS可以用浸泡、喷雾和气相方法来涂覆。粘附力差的表面涂胶•表面处理•涂胶•前烘•对准和曝光•显影•图形检查•坚膜12341.滴胶（静态、动态）2.加速旋转3.甩掉多余的胶4.溶剂挥发膜厚:实验室现有匀胶设备：国产匀胶台SS

4、E涂胶台双轨自动涂胶显影机ProcessTroubleshooting表面出现气泡•滴胶时胶中带有气泡•喷嘴尖端切口有问题或带刺放射状条纹•胶液喷射速度过高•设备排气速度过高•胶涂覆前静止时间过长•匀胶机转速或加速度设置过高•片子表片留有小颗粒•胶中有颗粒中心漩涡图案•设备排气速度过高•喷胶时胶液偏离衬底中心•旋图时间过长中心圆晕•不合适的托盘•喷嘴偏离衬底中心胶液未涂满衬底•给胶量不足•不合适的匀胶加速度针孔•光刻胶内存在颗粒或气泡•衬底上纯在颗粒较薄的区域如衬底图形台面过高，要考虑到在台面上resist的光刻胶要薄与实际希望的匀胶厚度（这会影响到后步工艺）衬底上突起结构厚边匀胶后在衬底

5、边缘处会形成较厚的边（这会影响到光刻的图形精度）。可在涂胶过程中加入去边及背喷工艺侧视图顶视图掩膜光光表面反射对图形的影响(反射切口效应)衬底前烘•表面处理•涂胶前烘:•前烘•对准和曝光目的是蒸发掉胶中的有机溶剂成分，使晶圆表面•显影的胶固化。•图形检查这个过程中胶中的溶剂基本被蒸发掉，因而通常•坚膜情况下胶的厚度会变薄（大约减少25%）前烘可在热板或烘箱中进行。每一种胶都有其特定的前烘温度和时间,更厚的胶可能需要更长的时间烘箱：90度30分钟热板：95度1分钟•烘烤过度:减小光刻胶中感光成分的活性•前烘不足:光刻胶中的溶剂不能完全被蒸发掉，这将阻碍光对胶的作用并且影响到其在显影液中的溶解

6、度（如下图）•肌肤效应对准和曝光•表面处理•涂胶曝光工具:•前烘•对准和曝光•接触式光刻机•显影•接近式光刻机•图形检查•步进重复式曝光系统•坚膜•扫描式曝光系统分辨率：0.7㎛分辨率：0.7㎛套刻精度：±1㎛套刻精度：±0.5㎛曝光面积：150*150mm国产光刻机SUSSMA6光刻机SUSSMA6及国产光刻机是设计用于实验室扩展研发、小批量生产或者试制生产环境下的高分辨率光刻系统。该机器提供了最好的基片适应性，可夹持不同厚度不规则形状、可变厚度的晶片。同时标准尺寸基片最大直径为150mm或可达6″×6″。控制柜NIKON分步投影光刻系统（NSR-1755i7B）分辨率：0.5㎛；线宽的

7、均匀性：MAX-MIN≤0.09㎛；最大曝光场：17.5*17.5（mm）；曝光均匀性：2.0%；套刻精度：LSA：lXl+3σ≤0.12㎛；FIA：lXl+3σ≤0.14㎛；产能：30-60wafer/h曝光光源ApplicationNameWavelengthfeature(nm)Size(µm)G-line4360.50MercuryLampH-line405I-line3650.35XeF351ExcimerLa