SJT10557.2-1994高压电解电容器用铝箔晶粒织构测量方法.pdf

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1、L90中华人民共和国电子行业标准sJ/T10557.2-94I石】压电解电容器用铝箔晶粒织构测量方法Mathodfortexturemeasurementofaluminiumfoilforhighvoltageelectroyticcapacitor1994-08-08发布1994-12-01实施中华人民共和国电子工业部发布中华人民共和国电子行业标准高压电解电容器用铝箔的织构SJ/T10557.2-94测量方法Mathodfortexturemeasurementofaluminiumfoilf

2、orhighvoltageelectroyticcapacitor1主题内容与适用范围本标准规定了高压电解电容器用铝箔的织构测量方法.本标准适用子高压电解电容器用铝箔。2术语2.1织构Texture多晶材料中晶粒出现的择优取向称之为织构。2.2反极图inversepolefigure晶体中某一宏观座标在各结晶方向上投影分布密度表示试样择优取向情况的方法。2.3晶面指数millerindices晶面在基矢上的截距的倒数比简约为互质整数比，所得的互质整数即为晶面指数，又称密勒指数，用{hkl}表示。3

3、原理晶粒择优取向测定是根据x射线衍射反极图法，测量试样的衍射全谱，量出{(hkl)峰的积分强度，并在相同狭缝系统下，测量铝粉(无序试样)各衍射峰的积分强度，求出二试样对应衍射峰强度比，经计算可得出{hkl}晶面在试样表面的占有情况。(hkl}晶体在表面占有率按式(1)计算:EP，二〔I(hkI)IR(hkbICOW’ICPhkl'I(hkl)IR(hW刃””‘”“”””’.“”””””、上少式中:Phw-(hkl}晶面多重因子的权重系数;几(*)—无序试样{hki片汀射峰的积分强度尸I(hku铝箔

4、(hkl)衍射峰的积分强度。(hk讨晶面族在表面的占有率按式(4)计算:月。:二W,、二尸卜‘.·······························⋯⋯(2)中华人民共和国电子工业部1994-08-08批准1994-12-01实施一1一SJ/T10557.2-94_尸摘’一’r.4.今二二丙r一............................................·一L6)一乙才夕hW式中:尸，*—多重因子。假设艺尸*二1，因而可得:一尸*·口(hW)/IR(hk.〕口

5、NiMCPW·了t*，/了，‘卜k.，〕4仪器采用X射线粉末衍射仪，测角仪的精度为30"，带有祥品旋转装置及石墨单色器.5测t程序5‘飞样品的制备与安装铝箔经平整处理并用无水乙醇擦洗干净，装入样品架，并使其表面与样品架表面齐平。5.2测量条件铜靶，大狭缝系统:发散狭缝(DS)二20,防散狭缝(SS)=20，接收狭缝(RS)二。.3mm。石墨单色器，闪炼计数管，样品架以77r/min旋转，扫描速度40/min,5.3衍射峰积分强度的测定和计算。从衍射图中扣除背底，由衍射峰形面积求出积分强度，如图1所

6、示。在自动衍射仪中，当选择好某一衍射峰的起点和终点，计算机可以自动完成扣除背底和积分强度的计算。54织构的计算按(4)式进行计算6测f误住6.1强度统计误差衍射图采用数率仪连续扫描，其强度的相对标准偏差按式(5)计算:a(%)二(a/P)X100=(了2rP)一'X100.................................(5)式中:P—计数率;r—数率仪的时间常数。采用较高计数率，置信度较高。6.2织构测量误差织构测量误差按式(9)计算:_.尸“二I....麟1‘。.，A一-.二一

7、IR(W)·.........................................(6)_A口“。二三-................................................(7)艺AAW式(7)微分.可得:一2一SJ/T10557.2-94AftdA,,=+馨Aw(8)目!1‘日L!生砖由于黯EA6,,N}"AAA,k,=,所以，Aft二，AA,=二，(Aleu,W.-,」.-犷--一⋯，二，““二，.⋯、甘，目一A-一、I(nm1R(卜目)式中，AI/I主

8、要由强度的相对标准偏差决定，侧浪盆奋0空20(度)图1附加说明:本标准由电子工业部标准化研究所归口。本标准由电子工业部第四十六研究所负责起草。本标准主要起草人:张世敏.—3一