【化学】河南省开封市2015届高三冲刺模拟考试

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1、2015届开封市高三理综冲刺模拟考试(化学部分)注意事项:1.本试卷分第Ⅰ卷(选择题)和第Ⅱ卷(非选择题)两部分。答卷前,考生务必将自己的姓名、准考证号填写在答题卡上。2.回答第Ⅰ卷时,选出每小题答案后,用铅笔把答题卡上对应题目的答案标号涂黑。如需改动,用橡皮擦干净后,再选涂其他答案标号。写在本试卷上无效。3.回答第Ⅱ卷时,将答案写在答题卡上。写在本试卷上无效。4.考试结束后,将本试卷和答题卡一并交回。可能用到的相对原子质量:H1C12N14O16Ti48I127W184第Ⅰ卷选择题(每小题6分

2、,共42分,每小题只有一个合理的选项)7.下列有关物质应用的说法正确的是A.玻璃容器可长期盛放各种酸B.P2O5可用于干燥Cl2和NH3B.Si和SiO2都用于制造光导纤维D.Na2S可除去污水中的Cu2+8.下列除杂操作可行的是A.通过浓硫酸除去HCl中的H2OB.通过灼热的镁粉除去N2中的O2C.制二氧化氮时,用水或NaOH溶液吸收尾气D.制氯气时,用饱和NaHCO3溶液和浓硫酸净化气体9.卤代烃在生产生活中具有广泛的应用,下列说法正确的是A.多氯代甲烷中分子结构为正四面体的是二氯甲烷和四氯

3、化碳B.多氯代烷常为有机溶剂,工业上分离这些多氯代物的方法是萃取C.三氟氯溴乙烯(CF3CHClBr)是一种麻醉剂,有4种同分异构体(不考虑立体异构)D.聚氯乙烯是生活中常用的塑料,工业上以乙烯为原料经过加成、消去和聚合反应可生成聚氯乙烯10.X、Y、Z、W均为短周期元素,X是地壳中含量最高的元素,Z2+与X2-具有相同的电子层结构,W原子的最外层电子数是其内层电子数的2倍,Y与W同主族。下列说法正确的是A.原子序数:X>Y>Z>W9B.Y的气态氢化物的热稳定性比W的强C.原子半径的大小顺序:r

4、(Z)>r(Y)>r(W)>r(X)D.X分别与Y、Z形成的化合物中化学键类型相同11.我国科学家报道了如图所示的水溶液锂离子电池体系。下列叙述正确的是A.a为电池的负极B.放电时,溶液中的Li+从a向b迁移C.放电时,a极锂元素的化合价发生变化D.电池充电反应为LiMn2O4=Li1-xMn2O4+xLi12.茶叶中铁元素的检验可经以下四个步骤完成,各步骤中选用的实验用品不能都用到的是BA.将茶叶灼烧灰化,选用①、②和⑨B.用浓硝酸溶解茶叶灰并加蒸馏水稀释,选用④、⑥和⑦C.过滤得到滤液,选用

5、④、⑤和⑦D.检验滤液中的Fe3+,选用③、⑧和⑩13.将Cl2通人适量KOH溶液,产物中可能有KC1、KClO、KC1O3,且的值与温度高低有关。当n(KOH)=amol时,下列有关说法不正确的是A.参加反应的氯气的物质的量等于1/2amolB.改变温度,产物中KC1O3的最大理论产量为1/7amolC.若某温度下,反应后=11,则溶液中=1/2D.改变温度,反应中转移电子的物质的量ne的范围:1/2amol≤ne≤5/6amol第Ⅱ卷(一)必考题26.(14分)氮化硅(Si3N4)是一种优良

6、的高温结构陶瓷,在航天航空、汽车发动机、机械等领域有着广泛的用途。工业上有多种方法来制备氮化硅,常见的方法有:9(1)在1300-l400℃时,高纯粉状硅与纯氮气化合,其反应方程式为_________。(2)在高温条件下利用四氯化硅气体、纯氮气、氢气反应生成氮化硅和HCl。①已知:25℃,101kPa条件下的热化学方程式: 3Si(s)+2N2(g)=Si3N4(s)△H=-750.2kJ/mol Si(s)+2Cl2(g)=SiCl4(g)△H=-609.6kJ/mol H2(g)+Cl2(g

7、)=HCl(g)△H=-92.3kJ/mol 四氯化硅气体与氮气、氢气反应的热化学方程式为____________________。②工业上制取高纯硅和四氯化硅的生产流程如下:已知:X,高纯硅、原料B的主要成分都可与Z反应,Y与X在光照或点燃条件下可反应,Z的焰色呈黄色。上述生产流程中电解A的水溶液时,阳极材料能否用Cu?___________(填“能”或“不能”)。写出Cu为阳极电解A的水溶液开始一段时间阴阳极的电极方程式。阳极:;阴极:。(3)由石英砂合成氮化硅粉末的路线图如下所示(把图中的

8、①·⑤改为I-V)①石英砂不能与碱性物质共同存放,以NaOH为例,用化学方程式表示其原因:。 ②图示I-V的变化中,属于氧化还原反应的是。③SiCl4在潮湿的空气中剧烈水解,产生白雾,军事工业中用于制造烟雾剂。SiCl4水解的化学方程式为___________________。④在反应IV中四氯化硅与氨气反应生成Si(NH2)4和一种气体(填分子式);在反应V中Si(NH2)4受热分解,分解后的另一种产物的分子式为。927.(14分)硝基苯甲酸乙酯在OH—存在下发生水解反应:两种反应物的初始浓度

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