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1、------------------------------------------------------------------------------------------------【底偏置折叠级联输】低压NMOS衬底偏置折叠级联输入Gilbert混频器2008年7月Journalof北京航空航天大学学报Be讲ngUniversityofAemnaulicsandAstronauticsJulvV01.342008No.7第34卷第7期低压NMOS衬底偏置折叠级联输入Gilbert混频器宋丹张晓林夏温博(北京航空航天大学电子信息
2、工程学院,北京100191)摘要:利用衬底偏置技术和折叠级联输入的方法,采用sMIc0.18“mcM0s工艺,解决了在0.8V电源电压下输入管和开关管的“堆叠”问题,实现了一种低压N沟道金属一氧化物一半导体场效应晶体管衬底——————————————————————————————————————------------------------------------------------------------------------------------------------偏置折叠级联输入Gilbert混频器,用于某双系统接收
3、机.以其中的GPs(Global1Positionsystem)系统为例:射频信号、本振信号和中频信号分别为MHz.测试表明:该混频器变频增益超过15.66dB,双边带噪声575.42MHz,1570MHz和5.42系数为16.5dB,输入ldB压缩点约为一10dBm,在0.8V的电源电压条件下,消耗功率约为1.07mw.该混频器功耗低、增益高、线性度好,可用于航空航天领域的电子系统.关键词:双系统接收机;低电压;衬底偏置;折叠级联;混频器文章编号:1001—5965(2008)07Ⅲ844m5中图分类号:TN47文献标识码:ALOwVO
4、ItageNMOSbuIk—biasedfoIded—cascOdeGiIbertmi×erSong(school——————————————————————————————————————------------------------------------------------------------------------------------------------ofElectronicsandInfo丌nationDanZhangXiaolinXiaWenboAstmnautics,Be玎ing10019l,China)
5、E“ginee““g,Beiji“gUniVer8ityofAemnauticsandAbStract:Byusingthebulk—biasedtechnologyandfolded—cascodeapproach,thepmblemofstackingin—put—andswitching—transistorswithin0.8Vsupplyv01tagewass01ved.AlowvoltageNchannelmetal-oxide—ina——————————————————————————————————————--------
6、----------------------------------------------------------------------------------------semiconductor(NMOS)bulk-biasedfolded—cascodeGilbertmixer(BBFCM)wasimplementedSMICO.18“mCMOSprocess.Themixerwasusedinsomedouble—systemreceiver,whichincludestheglobalposi.tionsystem(GPS)
7、system.InordertotestthepeIformanceofthemixer,taketheGPSsignalforexample:thefrequencyoftheradiofrequency(RF)signal,localoscillator(L0)andtheinte瑚ediatefI.equency(IF)sig—in—nalarel——————————————————————————————————————--------------------------------------------------------
8、----------------------------------------575.42MHz,1570MHzand5.42MHz,respectively.Measurementresu
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