一百条模拟设计经验

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时间:2018-08-04

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1、一百条模拟设计经验1/电容和电阻有寄生电感,表面黏着的的元件约为0.4nH,引脚式元件约为4nH。2/如果您不想一个高带宽的晶体管发生振荡,在至少在3个引脚中的2个引脚放置有损组件。铁氧体磁珠工作很好。3/当在电路中进行直流测量,发现数据没有任何意义,应怀疑有东西在振荡。4/运算放大器驱动容性负载时往往振荡。5/一个小信号晶体管的基极发射极电压Vbe大约为0.65V并其压降约2mV/degC.Vbe随温度上升而下降。6/用电阻的欧姆值的平方根乘以0.13nV找到1Hz带宽中的噪音。然后再乘以带宽(HZ)的平方根给出了总噪声电压。7/约翰逊噪声电流随电阻的增

2、加而下降。8/一个晶体管发射极的阻抗在室温为26欧姆/Ie毫安。9/所有放大器都是差分的,因为它们都总有某处相对于地。10/典型金属膜电阻有大约100ppm/摄氏度的温度系数。11/一个安静的运算放大器的输入噪声电压是1nV/sqrt(赫兹),但很多都可以提供20nV/sqrt(赫兹)的。双极前端运算放大器比FET前端运算放大器具有较低的电压噪声和较高的电流噪声。12/使用LC电路作为电源滤波器实际上在过滤器的共振频率里可以使电源噪声倍增。可使用低Q值的电感来克服这种情况。13/使用比较器作比较,运算放大器作放大,不要认为可以混合两者使用。14/陶瓷电容器

3、,除NPO介质陶瓷电容器外任何其他介质的,应仅用于旁路的应用。15/一个N沟道增强型场效管需求+Ve栅-源电压,去控制漏-源沟道形状。??16/小信号JFETS作为低泄漏二极管是非常好,通过连接在漏极和源极一起日志电流到电压转换器和低漏电输入保护。将小信号双极性管的B-C结绑在一起也会是一个很好的低泄漏二极管。??17/低带通滤波器使用贝塞尔低的至少过冲量在时间域和Cauer(或椭圆形)为最快的频率域衰减。??18/分贝总是2个力率的比例对数的10倍。??19/在低频时,一个晶体管的集电极电流与其基极应用电流同相。在高频率时电流在集极落后于基极90度。你必

4、须明白这个简单的事实才了解高频振荡器。20/最常见的玻璃环氧树脂印刷电路板材料(FR4)有一个约4.3的介电常数,要制作一阻抗特性为100欧姆的线路,使用厚度约为板厚度0.4倍的线路与接地平面成对面。对于一个50欧姆阻抗特性的线路则使用2倍的厚度。21/如果你需要一个可编程动态电流源,去了解运算跨导放大器。大部分的问题都可以搞清楚。22/一个带射极跟随器的CMOS的输出可以很好的驱动一个5V继电器因为继电器通常有一规格必备的3.5V。这样可以节省电力,也无需反激式元件。23/典型热电偶电电位为30uV/degC。差分的传送信号,沿着相同的路径,避免温度梯度

5、。双刀双掷闭锁继电器当复用这些信号时不会发热。24/你应该被一个看起来凌乱,杂乱或间接的设计打扰。这不舒服的感觉是少数迹象之一,表明有一个更好的方法。25/避免从一个可变电阻的滑动接点脚取电流。该接点的接触电阻会导致问题(局部加热,噪声偏移等)。26/大多数的数字相位检测器有一个死波段是在2个输入重合时的小范围模拟输出不会改变。这个往往被忽视的事实有助于建立一些非常嘈杂的锁相环(使用高阻值出血电阻以确保始终在死波段有电流流)。27/一个锁相压控振荡器的相位噪声将至少6dB逊于参考的划分的每个八度之间的比较频率和压控振荡器输出频率的相位噪声。??28/你几乎

6、总是能利用一个欧姆表去确定双极型晶体管的接脚。B-E结和B-C结就像测量正向偏置的二极管,BC结测量得的读数将略低于B-E结的读数。29/对于低失真,前端差分放大器的漏极(或集极),应自举到源极(或射极),以便于零件的电压不受输入信号调制。30/如果你的设计采用3美元的运算放大器,而你需要生产一千套,你要花3000美元。你是否够聪明会去弄清楚如何使用0.30美元的运算放大器取代呢?31/一个LC谐振电路的Q值主要由电感中以串列形式的等效电阻R的损失。Q=omega.L/R。32/每增加10degC的温度泄漏电流将双倍增加。33/当大多数JFET运算放大器的

7、输入超过该部件的共模范围,输出可能反极性。这现像将会终生困扰这些零件的设计者,因为它应该!34/你指定使用开关时要了解“先接后断”和“先断后接”之间的差异。35/TO-220封装的3端稳压器是美妙的部件。他们很便宜,坚固耐用,带热保护,非常灵活。在几乎任何你需要一个受保护的功率晶体管的地方可以使用它们。它们还可以做成不错的调幅功率调制器。36/用阶跃恢复二极管,当您需要100ps以下的快速边沿(热载流子甚至更快)。37/老LM723稳压器仍是最低噪声的稳压器之一!(2.5uVrms100Hz-10K的)。38/你可以用一个交流二极管,电容和一个电阻制作一个

8、非常简单的振荡器。39/NPN晶体管在性能上通常优于对应的NPN晶

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