模拟集成电路设计经验总结

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1、BasicprecautionsandtipsthatanAnalogDesignershouldknow.半导体,微电子,集成电路,IC,工艺,设计,器件,封装,测试,MEMS(b4Z!c)B%d/J/L  }.P3@,U!y  &A1.Minimumchannellengthofthetransistorshouldbefourtofivetimestheminimumfeaturesizeoftheprocess.Wedoit,tomakethelambdaofthetransistorlowi.e.therateofchangeofIdw.r.ttoVdsislow.  o

2、-U2J2T:G7e.R"L  V*ywww.microe.cn.b&s)]$F#p半导体,微电子,集成电路,IC,工艺,设计,器件,封装,测试,MEMS晶体管最小沟长为工艺最小特征尺寸的4-5倍，用来减小沟长调制效应"J8}  L7f  

3、8P  A:b2j2Xwww.microe.cn2.Presentartofanalogdesignstillusesthetransistorinthesaturationregion.SooneshouldalwayskeepVgsoftheTransistor30%abovetheVt.(D.{'a!l4I:C8p(X5^7?=>半导体,微

4、电子,集成电路,IC,工艺,设计,器件,封装,测试,MEMS%j6H,D1P%y%半导体,微电子,集成电路,IC,工艺,设计,器件,封装,测试,MEMS目前模拟设计仍然是使晶体管工作在饱和区，故应使Vgs大于Vt约30%:S2o  ?$y4T&x2K&Bwww.microe.cn"Q  K-~0@)C2L$Q=>半导体,微电子,集成电路,IC,工艺,设计,器件,封装,测试,MEMS3.Oneshouldalwayssplitthebigtransistorintosmalltransistorshavingwidthorlengthfeaturesize

5、K#D5H2K$P7t$d%K=>半导体,微电子,集成电路,IC,工艺,设计,器件,封装,测试,MEMS/I+o6R.U'G-L5Y  ~&}6h=>半导体,微电子,集成电路,IC,工艺,设计,器件,封装,测试,MEMS应把大管分成小晶体管，使其宽/长特征尺寸<或=15um半导体,微电子,集成电路,IC,工艺,设计,器件,封装,测试,MEMS/q-s$

6、3{3H,f4[.m  z4P'g-L3[1@3u:

7、*}=>半导体,微电子,集成电路,IC,工艺,设计,器件,封装,测试,MEMS4.W/LRatiooftransistorsofthemirrorcircuitshouldbele

8、ssthanorequalto5,toensurethepropermatchingofthetransistorsinthelayout.Otherwise,itresultstotheSystamaticOffsetinthecircuit.=>半导体,微电子,集成电路,IC,工艺,设计,器件,封装,测试,MEMS7G._9i+i.c1C!Z9B8Uwww.microe.cn0~%电流镜电路的晶体管的w/l比应小于或等于5，以保证较好的Matching,否则会有系统失调8"}9g;t)q*q5.Oneshouldmakealltherequiredpinsintheschmet

9、icbeforegeneratingthelayoutview.Becauseit’sdiffculttoaddapininthelayoutview.AllIOpinsshouldbeametal2pinswhereasVddandGroundshouldbemetal1pins4h*V,Y!}  Z3?,M*I;h4k7X3]:b*Y在电路中画出所有的管脚（pin），之后才作layout。因为在layout中增加一个pin是比较困难的。所有的IOpin应该用metal2pin，Vdd和GND用metal1pin半导体,微电子,集成电路,IC,工艺,设计,器件,封装,测试,MEMS

10、(k!M8A1a5

11、9M(R4I2k%Q.d2^*y,Z"R1Y%y6[www.microe.cn6.Oneshouldfirstsimulatethecircuitwiththetypicalmodelparametersofthedevices.SinceVtofthetrasistorcanbeanythingbetweenVt(Typical)-/+20%.Sowecheckourcircuitfortheextremecasesi.e.Vt+20