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1、气压对VHF-PECVD制备的μc-Si:H薄膜特性影响的研究本文由wujinfeng05贡献pdf文档可能在WAP端浏览体验不佳。建议您优先选择TXT,或下载源文件到本机查看。维普资讯http://www.cqvip.com第3卷第3期 32OO4年6月 人工 晶体 学 报 V13 No30.3. JRN 0 s j唧OUALF1rI1 CYSASCRTL Jn2o ue.04气压对V-EVHFPCD制备的 -iHS: 薄膜特性影响的研究 张晓丹,朱张德坤, 锋,颖,国付,赵侯魏长春,建,孙 任慧志,薛俊明,耿新华,熊绍珍 (南开大学光电子所,天
2、津307)001 摘要:文主要研究了用VFPCD方法制备的不同工作气压的微晶硅薄膜样品。结果表明:积速率随反应气 本H-EV沉压的增大而逐渐增大;光敏性(电导/电导)光暗和激活能测试结果给出了相同的变化规律;傅立叶红外测试、x射 线衍射和室温微区喇曼谱的结果都表明了样品的晶化特性;通过工艺的具体优化得出了器件级的微晶硅材料。 关键词:甚高频等离子体增强化学气相沉积;微晶硅薄膜;叶变换红外光谱;氢化傅立x射线衍射;区喇曼光谱 微中图分类号:K1T5 文献标识码: A文章编号:0-8X20)3440 105(040-1-0905A td nteIfun
3、eo pstnPesr ntePoetso esuyo h nec fDeoio rsueo h rpre ft liihpcS:H i arctdb —iFlFbiae yVHF—ECVD msPZNG iodn,ZHAXa-aHU eg,ZAOYnFnH ig,HOU ,WE hn-hn,SN in,ICagcuUJa ZA -uHNGDekn,RN ih,XUJnmig,GNGXi-uEHu-izE u-nE nha,XINGSa-hnO hoze (ntueo hteemisakinvrt,T衄j 001hn)Isttfo-lte,NnaU
4、isyji307,Cia i Poer ein(∞矗5Nmn2O)Re olO3  ̄Ah鼬耐:alspeae tieeteoio rsueb HFPC r uid.h eerhrsl Smpe rprda frn pstnpesr yV-EVDweesdeTersac eutdditssodta h eoio aeigaul nacdwt h nraeo eoio rsueteieta hwe ttedpstnrt srdalehne iteices fdpstnpesr;h dnilhi yhicrglriidctdb h euto htest
5、i n citneeg.Tersl fForrnnf eua iae ytersl fpoonivtadatao nryh euto lui a 0snssiyvisemlifrd,rydfatnadroteauemir-ma pcr enttdtecytlTtno enreX-a irci n om eaomprtr coRansetdmosre h rsl.i ft aaaioqhsmpeDvc gaeal.eierd mircytln maeileeotie hos teotztnfh ealdcorsleaitrsa wr bandt ̄u
6、hh piai o tedti mioeprne8.aa ̄tr Ke od:eyhs runypsaehne hmclao eoioVFPCD)yreadywrsvr ifqec lm nacdcei prpsiheaavdtn(H-EV;hdgnt oemcortlesin(-iH)lrrtnfrire(HR)setsoy-ydrco;iryai lo cS:;Foi rsm nadFcslnicueaofrpcocp;Xm iatn rfiicoRansetsoyrr-ma pcrcp ifo1引言 我们知道氢化非晶硅(.i)口S:薄膜在太
7、阳能电池中已占有一席之地,H同多晶硅材料相比,其优点是生长 温度不是很高,但其有一个难克服的缺点就是光致衰退效应(W)SE。由于此效应的存在,使得非晶硅的稳 收稿日期:031- 20.150基金项目:国家“7”93研究项目(0G00222G00223;N.20080 ̄20o80)教育部重点项目(o01)“6”目(020336),N.6和83项27Ⅳ.2021资助 0作者简介:张晓丹(93)女,17.,吉林省人,博士。Emixz0@euⅢ -a.20y.ld0-o维普资讯http://www.cqvip.com第3期 张晓丹等:气压对VFPCD制备的
8、p.iH-EV.SH薄膜特性影响的研究c:451 定性成为人们一直在研究的课题,但直到现在,还没有很好的方法能够解决这个难
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