共晶和薄膜倒装技术比对

《共晶和薄膜倒装技术比对》由会员上传分享，免费在线阅读，更多相关内容在行业资料-天天文库。

1、封装技术比对共晶技术和薄膜倒装技术比对共晶技术薄膜倒装技术简介晶粒底部采用纯锡或金锡合金，基板镀有金或银；当基板被加热至合适的温度时，金或银渗透到纯锡或金锡合金中，改变会合金层提高熔点，这样就达到了固化效果，能紧固的将LED固化到基板上2006年由PhilipsLumiledsLighting公司的O.B.Shchekin等人提出。薄膜结构的LED，就是首先用准分子激光器移除蓝宝石衬底。然后在暴露的n型GaN层上用光刻技术做表面粗化。接着在有粗糙结构的n-GaN上制备了n型电极，通过导线与负极键合，最后将垂直结构的LED的

2、P-GaN，连接到另外一个半导体上作为电极。将这种薄膜结构的LED芯片倒装焊接到高热传导的热沉上（如图2），就是薄膜倒装技术（TFFC-LED）。优势光效较高，热导率高、电阻小、传热快、可靠性强、粘接后剪切力大，延缓LED的衰减，提高LED的热稳定性（1）在这种结构中，光不从电流扩散层出光，不透光的电流扩散层可以加厚，以增加倒装芯片的电流密度。（2）活性层中发出的向下的光可以被P电极反射，使光取出增加。（3）这种结构还可以将PN结的热量直接通过金属凸点导给热导系数高的硅衬底（为145w/mk），这避免了在传统的正装结构中的

3、由于蓝宝石衬底的低散热系数所导致的散热问题。（4）可以通过增加P电极的厚度来增加电流的扩散，取代薄的Ni/Au接触，减少扩散阻抗。(5)缩小产品整体面积。劣势（1）如果是蓝宝石衬底，由于P-GaN层的电导率非常低，为了增加P-GaN的电流扩散，通常情况下，会在P-GaN层表面再沉积一层电流扩散的金属层，这个电流扩散层由Ni和Au组成，会进一步吸收光，从而降低芯片的出光效率。为了减少发射光的吸收，电流扩展层的厚度应减少到几百纳米。但是厚度的减少反过来又限制了电流扩散层在p-GaN良率低，可靠性较差层表面均匀和可靠地扩散电流的

4、能力。因此这种p-型接触结构制约了LED芯片的工作功率。（2）电极和焊点会吸收部分光，引线会遮挡部分光线，导致出光效率的降低。（3）这种结构的p-n结的热量，通过蓝宝石衬底导出去，导热路径较长（由于蓝宝石的热导系数较金属低（为35W/m·K），LED芯片热阻会较大。总结科锐、欧司朗、日亚化学都以共晶技术封装为主，飞利浦新产品全采用薄膜倒装封装技术。薄膜倒装技术能大幅度提高光效，可还不太成熟。采用共晶技术的产品性能更稳定。科锐的封装产品光效还是比飞利浦的高，可见，提高光效的主要途径还是要提高芯片的光效，所以目前还是推荐共晶技

5、术。垂直芯片结构如图1图1薄膜倒装封装形式如同2图2共晶晶片结构如图3：图3