000(ydy)-能带不连续性对a-si c-si(hit)异质结构光伏特性的影响_百度...

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1、000(ydy)-能带不连续性对a-Sic-Si(HIT)异质结构光伏特性的影响_百度...本文由888ronglin贡献pdf文档可能在WAP端浏览体验不佳。建议您优先选择TXT，或下载源文件到本机查看。竺竺！兰竺兰翌：：：！ｔ！：：兰！！ｔ！！！兰垦竺竺兰竺竺竺竺墅。！ｌ一能带不连续性对ａ—Ｓｉ／ｃ—Ｓｉ（ＨＩＴ）异质结构光伏特性的影响①胡志华１，２廖，．ｇ－４ｈ１＞－１宏伟。曾湘波１徐艳月１孔光临１中国科学院半导体研究所，北京，１０００８３２云南师范大学太阳能研究所，昆明，６５００９２摘要：本文报道了运用ＡＭＰＳ模拟程序对ａＳＩ：Ｈ，／

2、ｃ—ＳｊＨＩＴ（ｈｅｔｅｒｏｊｕｎｃｔｉｏｎｔｈｉｎｗｉｔｈａｎｉｎｔｒｉｎｓｉｃｌａｙｅｒ）异质结太阳电池数值模拟结果。研究了本征层厚度以及异质界面能带不连续性对光伏性能的影响，并与ＴａｎａｋａＭ等的试验结果进行了比较。为了解ａ—Ｓｉ／ｃ－Ｓｉ界面的能带补偿，我们还就固定本征层厚度的ＨＩＴ结构的光谱响应的电压和温度依赖关系进行了计算并同ＧａｌｌＳ等报道的试验结果也进行了比较。结果表明，只有在较小的导带补偿（～０．１８ｅＶ）和较大的价带补偿（～０．５ｅＶ）时，其光伏特性和光谱响应才能同已有实验报道相符合。关键词：ａ—Ｓｉ／ｃ－ＳｉＨＩＴ能带不

3、连续性教值模拟－／．Ａｂｓｔｒａｃｔ：Ｔｈｉｓｐａｐｅｒｒｅｐｏｒｔｓｔｈｅｎｕｍｅｒｉｃａｌｓｉｍｕｌａｔｉｏｎｏｆａ—Ｓｉ／ｃＳｉｈｅｔｅｒｕ］ｕｎｃｔｉｏｎｓｏｌａｒｃｅｌｌｓａｔｗｉｔｈａｎｉｎｔｒｉｎｓｉｃａＳｉｔｈｉｎｌａｙｅｒ（ＨＩＴ）ｂｙｕｓｉｎｇＡＭＰＳｍｏｄｅｌ．ｄｅｖｅｌｏｐｅｄｏｎＰｅｎｎＳｔａｔｅＵｎｉｖｅｒｓｉｔｙ．Ｔｈｅｅｆｆｅｃｔｏｆｉ－ｌａｙｅｒｔｈｉｃｋｎｅｓｓａｎｄｈａｎｄｏｆｆｓｅｔｐｈｏｔｏｖｏｈａｉｃｐｅｒｆｏｒｍａｎｃｅｓｗｅｒｅｅｔｉｍｒｅｓｌｉｇａｔｅｄ。ａｎｄｃｏｍｐａｒｅｄｗｉｔｈｅｘｐｅ

4、ｒｉｍｅｎｔａｌｒｅｓｕｌｔｓｒｅｐｏｒｔｅｄｂｙＭ．Ｔａｎａｋａｔｏａ１．Ｉｎｏｒｄｅｒｕｎｄｅｒｓｔａｎｄｔｈｅｂａｎｄｅｄｇｅｄｉｓｃｏｎｔｉｎｕ｜ｔｉｅｓａｔａ—Ｓｉ：Ｈ／ｃ—Ｓｉｉｎｔｅｒｆａｃｅｓ。ｗｅａｌｓｏｉｎｖｅｓｔｉｇａｔｅｄａｔｈｅｖｏｌｔａｇｅ—ａｎｄｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ—ｄｅｐｅｎｄｅｎｔｓｐｅｃｔｒａｌｒｅｓｐｏｎｓｅ（ＳＲ）ｏｆｓｏｌａｒｃｅｌｌｓｗｉｔｈｆｉｘｅｄｔｈｉｃｋｎｅｓｓ（１００ｎｍ）ｏｆｉ－ａ—Ｓｉ：Ｈｌａｙｅｒ，ａｎｄｃｏｍｐａｒｅｄｗｉｔｈｔｈｅｅｘｐｅｒｉｍｅｎｔａｌｒｅｓｕｌｔｓｒｅｐｏｒ

5、ｔｅｄｂｙＳ．Ｇａｌｌｅｔａ１．Ｉｔａｉｓｆｏｕｎｄｔｈａｔｏｎｌｙｂｙｓｅｔｔｉｎｇａｌａｒｇｅａｍｏｕｎｔｏｆｖａｌｅｎｃｅｈａｎｄｏｆｆｓｅｔ（～０．５ｅＶ）ａｎｄｓｍａｌｊａｍｏｕｎｔｏｆｃｏｎｄｕｃｔｉｏｎｂａｎｄｏｆｆｓｅｔ（～０．１８ｅＶ）ｔｈｅＨＩＴｓｏｌａｒｃｅｉｌｓｕｐｃｏｕｌｄｒｅａｃｈｈｉｇｈｃｏｎｖｅｒｓｉｏｎｅｆｆｉｃｉｅｎｃｉｅｓｔｏ～２３％ａｎｄｈａｖｅＳＲｃｏｎｓｉｓｔｅｎｔｗｉｔｈｔｈｅｒｅｐｏｒｔｅｄｅｘｐｅｒｉｍｅｎｔａｌｒｅｓｕｌｔｓ．Ｋｅｙｗｏｒｄｓ：ａＳｉ／ｅ—ＳｉＨＩＴｂａｎｄｅｄｇｅｄｉｓｃｏ

6、ｎｔｉｎｕｉｔｉｅｓｎｕｍｅｒｉｃａｌｓｉｍｕｌａｔｉｏｎ性主要集中在导带；而Ｍｉｍｕｒａ和Ｈａｔａｎａｋａ¨３报道１前言ａ的结果却是导带不连续性很小，能带不连续性主要集中在价带。Ｓｉ／ｃＳｉＨＩＴ异质结太阳电池同时兼有非晶为了对这～问题有进一步的了织，我们运用ＡＭｅＳＥ”对不同能带构形和不同本征层厚度的ＨＩＴ太阳电池的伏安特性，以及固定本征层厚度（１００ｎｍ）下光谱响应对电压和温度的依赖关系进行了数值模拟计算，并将计算结果同ＴａｎａｋａＭ”１和Ｇａｌｌ等的试验结果进行了比较。Ｓ。““１硅的低温、廉价和和晶体硅的高效稳定特点，近年来备受关注”

7、。－。然而，对这种异质结构的一些基础问题尚不十分清楚。例如：关于ａ－Ｓｉ／ｃ－Ｓｉ界面的能带补偿就有各种不同的报道【…。Ｃｕｎｉｏｔ和Ｍａｒｆａｉｎｇ－４’根据溅射ａＳｉ／ｅ—Ｓｉ异质结的光电子发射测量试验得出的结论是价带基本一致，能带不连续①斟家重点基础研究发腰规划（９７３）资助项目（批准号：Ｇ２００００２８２０１）７２雪计算中我们将迎光面的反射率设定为５％（４００～２结构模型图１所示为不同的能带构形，图中还标明了模型的一些结构参数。掺杂非晶硅和本征非晶硅的光１１００ｎｍ波长范围），非晶硅和晶体硅的吸收系数取自文献［８］。３结果与讨论表１示

8、出了计算所得三种能带构形时不同本征电参数参见文献［？］。箜类型ＡＦｉｇ．Ｉ厂ｊ—］幽￡ｙ—＿ｒ一风ｉＩ层厚度的ＨＩＴ太阳电池的短路电流密度（Ｊ。）、填充因子（ＦＦ）