计算机组成存储系统习题

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1、5.4同步测试习题及解答5.4.1同步测试习题一、填空题1.在多级存储体系中，Cache的主要功能是_________，虚拟存储器的主要功能是___________。2.SRAM靠_________存储信息，DRAM靠_______存储信息。________存储器需要定时刷新。3.动态半导体存储器的刷新一般有________、__________和__________。4.一个512KB的存储器，其地址和数据线的总和是________。5.若RAM芯片内有1024个单元，用单译码方式，地址译码器有_______条输出线；用双译码方式，地址译码器有________条输出线。6.高速缓冲存储

2、器中保存的信息是主存信息的__________。二、选择题1.在磁盘和磁带这两种磁介质存储器中，存取时间与存储单元的物理位置有关，按存储方式分_____。A．二者都是顺序存取B.二者都是直接存取C.磁盘是直接存取，磁带是顺序存取D.磁带是直接存取，磁盘的顺序存取2.存储器进行一次完整的读写操作所需的全部时间称为（）A.存取时间B.存取周期C.CPU周期D.机器周期3.以下哪种类型的存储器速度最快（）A.DRAMB.ROMC.EPROMD.SRAM4.下述说法中正确的是（）A．半导体RAM信息可读可写，且断电后仍能保持记忆B．动态RAM的易失性RAM，而静态RAM中的存储信息是不易失的C．

3、半导体RAM是易失RAM，但只要电源不断电，所存信息是不丢失的D．半导体RAM是非易失性的RAM5．动态RAM的刷新是以（）A．存储单位B．行C．列D．存储位6.SRAM芯片，其容量为1024×8，除电源和接地端外，该芯片最少引出线数位（）A．16B．17C．20D．217.存储器容量为32K×16，则（）A．地址线为16根，数据线为32根B．地址线为32根，数据线为16根C．地址线为15根，数据线为16根D．地址线为16根，数据线为15根8.某计算机字长为32位，存储器容量为4MB，若按字编址，其寻址范围是0到（）A．220-1B．221-1C．223-1D．224-19.下述说法正确

4、的是（）A．EPROM是可改写的，因而也是随机存储器的一种B．EPROM是可改写的，但它不能用作为随机存储器用C．EPROM只能改写一次，故不能作为随机存储器用D．EPROM是只能改写一次的只读存储器10.通常计算机的主存储器可采用（）A．RAM和ROMB．ROMC．RAMD．RAM或ROM11.存储器采用部分译码法片选时（）A．不需要地址译码器B．不能充分利用存储器空间C．会产生地址重叠D．CPU的地址线全参与译码12.在主存和CPU之间增加高速缓冲存储器的目的是（）A．解决CPU和主存之间的速度匹配问题B．扩大主存容量C．扩大CPU通用寄存器的数目D．即扩大主存容量又扩大CPU中通过

5、寄存器的数量13.在程序的执行过程中，Cache与主存的地址映射是由（）A．操作系统来管理的B．程序员调度的C．由硬件自动完成的D．由软、硬件共同完成的14.采用虚拟存储器的目的（）A．提高主存的速度B．扩大辅存的存取空间C．扩大主存的存取空间D．扩大存储器的寻址空间15.常用的虚拟存储器寻址系统由（）两级A．主存—辅存B．Cache—主存C．Cache—辅存D．控件—主存三、判断题1.存取周期是指启动一次存储器操作到完成该操作所需的时间。2.CPU访问存储器的时间是由存储体的容量决定的，存储容量越大，访问存储器所需时间就越长。访问存储器所需时间就越长。3．随机存储器需要定时地进行刷新。

6、4．因为动态存储器是破坏性读出，所以必须不断地刷新。5．断电后，RAM中的数据不会丢失。6．动态RAM的异步刷新方式没有读写死区。7．断电后，EEPROM中的数据不会丢失。8．一般情况下，ROM和RAM在存储体中是统一编址的。9．用户编程的地址称为虚地址，通常虚地址的范围要比实地址大得多。四、简答题1．说明SRAM的组成结构，与SRAM相比，DRAM在电路组成上有什么不同之处？2．DRAM存储器为什么要刷新？采用何种方式刷新？3．存储器系统的层次结构可以解决什么问题？实现存储器层次结构的先决条是什么？用什么来度量?五、分析题1．某计算机系统字长32位，主存以字节编址，试画了存储器字地址和

7、字节地址的分配情况示意图。2．有一个16K×16的存储器，由1K×4的DRAM芯片（内部结构为64×64）构成，问：（1）采用异步刷新方式，如最大刷新间隔为2ms，则相邻两行之间的刷新间隔是多少？（2）如采用集中刷新方式，存储器刷新一遍最少用多少个刷新周期为0.5us,死区占多少时间？死时间率为多少？3．某存储器容量为4KB，其中：ROM2KB，选用EPROM2K×8；RAM2K×8；RAM2KM，选用RAM1K×8；地址线A15～