edta和kcl双掺杂下kdp溶液毕业论文

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1、EDTA和KCl双掺杂下KDP溶液稳定性及晶体生长的实验研究毕业论文目录中文摘要I英文摘要III符号说明VII1绪论11.1课题的选题及研究意义11.1.1KDP晶体结构11.1.2KDP晶体的应用及其研究意义21.2KDP晶体生长方法及成核诱导期的研究概述41.2.1KDP晶体的生长方法41.2.2成核诱导期的研究状况51.3掺杂在KDP晶体生长中的研究现状61.3.1无机离子掺杂对KDP晶体生长的影响61.3.2有机添加剂在KDP晶体中的掺杂71.3.3多种添加剂在KDP晶体中的掺杂81.4KDP晶体位错的光学显微观察91.5课题的研究内容102结晶过程的热动力学原理122.1初级成核1

2、32.1.1新相形成的驱动力132.1.2均匀成核142.1.3非均匀成核152.2二次成核162.3成核速率172.4小结20III3双掺杂情况下KDP晶体溶液稳定性分析213.1双掺杂对KDP溶解度的影响213.1.1不同双掺杂浓度下KDP的溶解度实验测定213.1.2实验结果与分析讨论223.2溶液稳定性的表征233.2.1溶液的亚稳区宽度233.2.2溶液的诱导期253.3双掺杂下KDP溶液稳定性实验研究253.3.1实验方法253.3.2实验结果与讨论263.3.3KDP过饱和溶液成核分析及热动力学参数计算303.4小结364不同双掺杂浓度下KDP晶体生长及其动力学研究374.1晶

3、体生长374.2实验要点384.3结果与讨论394.3.1不同掺杂下KDP(100)晶面生长速度与过饱和度的关系394.3.2KDP晶体(100)面的生长动力学404.4小结435掺杂对KDP晶体位错的影响445.1腐蚀剂的选择445.2位错观察445.3结果与讨论455.4小结476结论与展望48致谢50参考文献51附录55III重庆大学硕士学位论文符号说明表符号说明表III重庆大学硕士学位论文符号说明表拉丁字母符号—面积,m2—成核速率常数—轴方向晶胞高度,nm—平均粒子间距,nmb—b轴方向晶胞高度,nmc—b轴方向晶胞高度,nm—溶液的过饱和浓度,g/ml—溶液的饱和浓度,g/ml—

4、扩散系数—碰撞能,J—相变驱动力,J/m3—吉布斯自由能,kJ—表面自由能变化,J/m2—体积自由能,J/m3—成核自由能,J—临界晶核形成功,J—热焓,kJ—相变潜热,kJ—二维核的台阶高度,m—临界晶核分子数—成核速率—玻尔兹曼常数,J/K—临界晶核尺寸M—摩尔分子量,kg/mol—直线斜率—溶质的吸附分子密度—亚稳态的饱和蒸汽压力,Pa—汽相的饱和蒸汽压力,Pa—半径,m—临界核子半径,mR—摩尔气体常量—晶面法向生长速度,m/s—半径,m—熵,kJ/K—过饱和度比—热力学温度,K—理论结晶温度,K—过冷度,K或℃—台阶切向移动速率希腊字母符号—台阶上升自由能—表面熵因子—台阶动力学系

5、数—固-液界面张力,J/m2—台阶棱边能—化学势,kJ/kg—溶质分子的吸附能—介质的粘滞系数—1摩尔分子的体积,m3—密度,kg/m3—相对过饱和度—溶质原子或分子体积,m3—单个原子的体积,m3—成核诱导期下标1—实际值2—饱和值VIII重庆大学硕士学位论文1绪论1绪论1.1课题的选题及研究意义21世纪是一个高新技术发展迅猛的时代,如新材料技术、信息技术、新能源技术等的发展已席卷全球,且也都在广泛应用中。这些技术发展的如何能很好的体现一个国家的综合国力,因此,具备高新技术产业方面的优势是国家发展的重要标志之一。而其中新材料的快速发展正是高新技术产业发展的一个重要方面。国家的十一五规划纲要

6、也明确指出:加快发展高新技术产业,强调发展新材料产业,并重点发展特种功能材料等产业群,建立和完善新材料创新体系。新材料按用途可分为功能材料和结构材料,其中功能材料是指那些具有优良的电学、光学、热学、力学等功能,并能够完成功能之间的相互转化,用于制造各种功能元器件(如KDP应用于激光变频、电光调制、声光调制、电光调Q激光器、参量振荡器、压电换能器和光快速开关)而被广泛应用在各类高科技领域的高新技术材料;而使用时侧重于利用其力学性能的材料称之为结构材料。到目前为止,对功能材料中的磷酸盐晶体(如KDP,DKDP和ADP)材料研究较多,这类晶体材料在惯性约束聚变工程(ICF)和电光开光器件中有广泛的

7、应用,但是,要生长出满足工程使用要求的晶体却不是那么容易。近七十多年来,一些学者就如何优化晶体生长上做了许多研究,也得到了不少成果。因此,基于现有的晶体生长理论基础及相关实验成果上,本课题从掺杂入手研究掺杂对KDP晶体生长溶液稳定性的影响及其生长位错的影响。1.1.1KDP晶体结构在1925-1955年间West等[1,2]用X射线和中子衍射技术研究了不同实验条件下KDP晶体的内部结构,提出了KDP晶体的一些

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