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1、------------------------------------------------------------------------------------------------Eu2掺杂CaSi2O2N2荧光粉发光性能第29卷第4期2008年8月发光学报VoL29No.4CHINESEJOURNALOFLUMINESCENCEAug.,2008文章编号:1000-7032(2008)04J0689旬6Eu2+掺杂CaSi202N2荧光粉发光性能谷望鑫1,王宏志¨,李耀刚1,解荣军2(1.
2、东华大学材料科学与工程学院,上海20005l;2.№mC胁妇翻岍,№如删m硪n妇弦朋钿讪&如膨,肌m戚卜l,‰缸‘6口,胁捌305一0044,却∞)摘要:采用固相反应法合成了组成为ca。,Eu,%o:N2的Eu2+掺杂c8Si:02N2荧光粉。通过荧光光谱对样——————————————————————————————————————--------------------------------------------------------------------------------------
3、----------品的发光性能进行了研究,发现Eu2+掺杂CaSi:0:N:荧光粉发射光谱为宽波段的单峰结构,主要包含绿光和黄光区,发射峰在556—568胁。从发射光谱的宽带特征来看,CaSi202N2:EuZ+的发射主要对应着Eu“离子4165d一,跃迁。从激发光谱所覆盖的范围还可以看到,样品可以有效的被uV一蓝光激发,这意味着该类荧光粉在白光LED方面有可能得到广泛的应用。另外,样品的发光性能与激发离子的浓度有着很大关系。激发离子浓度增大时,发射光谱会发生明显红移。利用这一性质,可以通过改变Eu2
4、+浓度来调节荧光粉的发光范围,从而满足不同场合的需要。同时,Eu2+浓度提高,样品发射光谱的强度也会随之增强,在尘=O.06时发射强度达到最大值,之后继续增加Eu2+浓度,强度不仅没有增加反而降低,即出现浓度猝灭现象。关键词:氧氮化物;发光性能;白光LED中图分类号:0482.31PACC:3250F;7855文献标识码:A1引言右)和红光(>600nm)荧光粉共同组合,这两种荧光粉在对LED芯片发出的蓝光进行强烈的吸收之后发出绿光和红光j和蓝光一起实现白光;另外,还可以通过UV—LED芯片与蓝、绿、红
5、光荧光粉组合同样可以得到白光。与第一种蓝光和黄光组合相比,——————————————————————————————————————------------------------------------------------------------------------------------------------后两种方法可以明显提高显色指数和自从发明了以InGaN为基础的蓝光激发白光发光二极管(珊lite-LED8)以来,白光LED在电子器件中的应用得到迅速发展,如手机的背光源等;同时随着
6、半导体芯片技术的进步和高效荧光粉的开发,白光LED的发光效率已经并将会得调节色温,在未来具有更广阔的应用前景。理想的白光LED转换荧光材料应该具有高到更为显著的提高。白光LED已经显示了取代传统照明方式的潜力,目前白光LED的发光效率已经超过了白炽灯,正在接近荧光灯。又由于白光LED的长寿命、节省能源、环境友好的特性,正的量子效率、对紫外或者蓝光具有高的吸收系数,以及较好的高温和化学稳定性。然而目前所应用的荧光材料,大部分无法完全满足以上要求。例如,YAG:Ce3+有明显的热猝灭和较低的显色指数。虽然硫
7、系荧光材料可以部分克服以上缺点(例如,红粉SrS:Eu2+、Cas:Eu2+和绿粉S以a2s4:迅速由个人通讯设备、液晶显示背光源方面的应用扩展到汽车照明和家庭普通照明领域。白光发光二极管可以利用InGaN基的二极——————————————————————————————————————------------------------------------------------------------------------------------------------管和荧光材料来实现。目前存
8、在以下几种组合方式:第一种是InGaN基蓝光LED芯片(发射波长Eu2+),但硫系材料的化学稳定性较差。因此,探索和寻找具有更高性能的荧光材料是必要的和紧迫的。为450一470衄)与黄色荧光粉组合(例如YAG:Ce3+),荧光粉在对LED芯片发出的蓝光进行强烈的吸收之后发出黄光,通过颜色互补最终得到最近开发出来一系列氮化物材料口’14|,它们在具有很好的热稳定性和化学稳定性的同时,还白光;第二种是蓝光LED芯片与绿光(530nm左具有良好的
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