al和mn掺杂zno薄膜的结构和电学性质

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1、------------------------------------------------------------------------------------------------Al和Mn掺杂ZnO薄膜的结构和电学性质实　验　技　术　与　管　理第３ＩＳＳＮ１００２４９５６３卷　第６期　２０１６年６月　　ＣＮ１１２０３４Ｔ－ＥｘｅｒｉｍｅｎｔａｌＴｅｃｈｎｏｌｏａｎｄＭａｎａｅｍｅｎｔ　　ｐｇｙｇＶｏｌ．３３　Ｎｏ．６　Ｊｕｎ．２０１６　：／ＤＯＩ１０．１６７９１．ｃｎｋｉ．ｓ．２０１６．０６．０１２　ｊｊｇＡｌ和Ｍｎ

2、掺杂ＺｎＯ薄膜的结构和电学性质黄卫华１，贾历程２（）１．广西机电职业技术学院，广西南宁　５３０００７；２．广西大学实验设备处，广西南宁　５３０００４、摘　要：采用磁控溅射方法在硅衬底上制备了纯ＺｎＯ薄膜和ＡｌＭｎ掺杂的ＺｎＯ薄膜。用Ｘ衍射和原子力显微镜分析了薄膜的晶化行为和显微结构，利用Ｋ掺ｅｉｔｈｌｅ２４００高阻计分析了薄膜的电学性质。结果表明，ｙ　）入Ａ有很好的表面结构，显示强烈的（择优取向，呈现低的电阻率，可用作太ｌ的ＺｎＯ薄膜有良好的晶化，００２阳能电池的电极材料。关键词：ＺｎＯ薄膜；薄膜结构；电学特性（）中图分类号：ＴＢ

3、３８３　　文献标识码：Ａ　　文章编号：１００２４９５６２０１６６００４２０４－－－——————————————————————————————————————------------------------------------------------------------------------------------------------，ｒｏｅｒｔｉｅｓＭｉｃｒｏｓｔｒｕｃｔｕｒｅａｎｄｅｌｅｃｔｒｉｃｏｆＡｌＭｎｄｏｅｄＺｎＯｔｈｉｎｆｉｌｍｓ　　－ｐｐｐ１２，ＨｕａｎＷｅｉｈｕａＪｉａＬｉｃｈｅｎ　ｇ　ｇ（，；１．

4、ＧｕａｎｘｉＴｅｃｈｎｏｌｏｉｃａｌＣｏｌｌｅｅｏｆＭａｃｈｉｎｅｒａｎｄＥｌｅｃｔｒｉｃｉｔＮａｎｎｉｎ５３０００７，Ｃｈｉｎａ　　ｇｇｇｙｙｇ　　，，Ｎ）２．ＤｅａｒｔｍｅｎｔｏｆＬａｂｏｒａｔｏｒａｎｄＥｕｉｍｅｎｔＭａｎａｅｍｅｎｔＧｕａｎｘｉＵｎｉｖｅｒｓｉｔａｎｎｉｎ５３０００４，Ｃｈｉｎａ　　ｐｙｑｐｇｇｙｇ　　：，（）ＡｂｓｔｒａｃｔＴｈｅｕｒｅａｎｄＡｌＭｎｄｏｅｄＺｎＯｔｈｉｎｆｉｌｍｓｗｅｒｅｒｅａｒｅｄｏｎＳｉ１００ｓｕｂｓｔｒａｔｅｓｂｒ．ｆ．ｍａｎｅｔｒｏｎ－　－　ｐｐｐｐｐｙｇ　ｒｏｅｒｔｉｅｓｓｕｔ

5、ｔｅｒｉｎａｔｒｏｏｍｔｅｍｅｒａｔｕｒｅ．ＴｈｅｅｆｆｅｃｔｏｆＡｌａｎｄＭｎｄｏｉｎｏｎｓｔｒｕｃｔｕｒａｌａｎｄｅｌｅｃｔｒｉｃａｌｏｆＺｎＯ——————————————————————————————————————------------------------------------------------------------------------------------------------　　ｐｐｐｇｐｐｇ　　ｆｉｌｍｓａｒｅｄｉｓｃｕｓｓｅｄｏｎｔｈｉｓｗｏｒｋ．　　：；ＫｅｗｏｒｄｓＺｎＯｔｈｉｎｆｉｌ

6、ｍ；ｔｈｉｎｆｉｌｍ　ｍｉｃｒｏｓｔｒｕｃｔｕｒｅｅｌｅｃｔｒｉｃｒｏｅｒｔ　ｐｐｙｙ　是一种宽禁带（ＺｎＯ）３ｅＶ）　　氧化锌（～３．Ⅱ～Ⅳ族。Ｚ半导体，具有六方晶体结构（纤锌矿型）ｎＯ薄膜是一种ｎ型半导体，具有低的电阻率，在可见光区域具有高的透明度，可用于太阳能电池和平板显示器的透明激光器的半导体材料，电极。ＺｎＯ薄膜是紫外（ＵＶ）［］在室温下具有６０ｍｅＶ１的激子束缚能及低的阈值。５］，可以作为铁电材料和光电开关［而掺杂Ｍｇ可以作［］６］，为量子井以及相关器件的材料［掺杂Ｐｔ和Ｐｄ４可以作为催化燃烧传感器。如溅ＺｎＯ薄膜可以

7、由各种不同的沉积技术制备，］７８９］１０］－、、溶胶－凝胶法［脉冲激光［沉积、分子束外延射［［１１］——————————————————————————————————————------------------------------------------------------------------------------------------------（和有机金属化学气相沉积（等。ＭＢＥ）ＭＯＣＶＤ）其晶格高度匹配，ＺｎＯ与ＧａＮ具有相同的晶体结构，［］因此ＺｎＯ薄膜可以用作沉积高质量的ＧａＮ薄膜２的其中，射频磁控溅

8、射具有许多优点，如衬底温度要求不高，在衬底上可以沉积大面积的薄膜，并有良好的粘附性等。本文采用磁控溅射方法，在砖衬底上制备出纯、研究了微量掺ＺｎＯ薄膜和ＡｌＭｎ掺杂的ＺｎＯ薄膜，杂对Ｚ进一步研ｎＯ薄膜的微结构及电学性质的影响，究了掺杂ＺｎＯ材料在太