等离子蚀刻机使用说明书

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1、设备使用说明书设备名称：等离子蚀刻设备设备型号:KWT-200-1000FSK北京中联科利技术股份有限公司BeijingChinaUnitedCleaningTechnologyCo.,Ltd.地址：北京市朝阳区北苑路40#邮编：100012电话：010-52090888传真：010-52094000目录--24--一、概述……………………………………………………………………………二、主要技术指标…………………………………………………………………三、工作原理及结构特征…………………………………………………………四、工艺特性及控制要点……………………………………………

2、……………五、使用说明……………………………………………………………………（一）、塾悉本机资料……………………………………………………………（二）、开机前的准备……………………………………………………………六、操作说明……………………………………………………………………七、使用注意事项…………………………………………………………………八、简单故障与排除………………………………………………………………九、设备机械主要图纸……………………………………………………………十、设备电控原理图……………………………………………………………一、概述--24--1.1产品特点KWT

3、-200-1000FSK型等离子体刻蚀机具有占地面积小、装片容量大、生产率高等优点。同时，还具有手动/自动功能。除装卸片要人工操作外，其余过程实现了全自动，保证了工艺的准确性和重复性，大大地提高了产品质量。1.2设计目标、设计原理该设备主要用于太阳能电池周边掺杂硅的刻蚀，也可用于半导体工艺中多晶硅、氮化硅的刻蚀和去胶。原理：等离子体刻蚀是采用高频辉光放电反应，使反应气体激活成活性粒子，如原子或游离基，这些活性粒子扩散到需刻蚀的部位，在那里与被刻蚀材料进行反应，形成挥发性生成物而被去除。它的优势在于快速的刻蚀速率同时可获得良好的物理形貌。（这是各向同性反应）在辉光放电

4、条件下，CF4→C4++4F-O2→2O2-F+Si→SiF4SiF4挥发性高，随即被抽走。刻蚀过程的主要反应放电过程e-+CF4→CF3++F+2ee-+CF4→CF3+F+e-e-+CF3→CF2+F+e-O2+e-→2O+e-腐蚀过程Si+4F→SiF4↑3Si+4CF3→4C+3SiF4↑2C+3O→CO↑+CO2↑二、主要技术指标--24--我公司研制的等离子体刻蚀机规格：CUCKWD-SK-200CUCKWD中联科伟达高新转换产品SK等离子体蚀刻机200基片最大直径200㎜2．1刻蚀介质：5〞、6〞掺杂硅/氮化硅2．2刻蚀部位：硅片方片周边2．3产能最大

5、装片量：400片/批刻蚀速率：Si3N450nm/min掺杂硅200nm/min批处理时间：20~30min；2．4射频电源13.56MHz，0～1000W连续可调2．5气路系统手动、2路质量流量计、1路浮子流量计2．6真空系统标准配置3路工艺气体通路；2X-15机械泵，工作压力自动控制；本底真空度：≤0.1mbar；工艺压强：0.5~2mbar；2．7电源3PH，380V，50HZ，4KVA2．8周边刻蚀均匀性±5%2．9设备可靠性：设备平均维修间隔时间MTBF≥500小时；设备平均维修时间MTTR≤4小时。三、工作原理及结构特征--24--3．1总体结构本设备由

6、刻蚀系统、抽空系统、旋转系统、高频电源、匹配器等部分组成，如下图：3．2设备系统图反应室采用立式结构，射频功率通过电感耦合到反应室内，同时基片采用旋转方式，保证周边刻蚀均匀。真空系统采用旋片式机械泵，具有主抽和预抽两路抽气管路，既保证本底抽空的时间，又使气氛扰动减小，减少粉尘扬起，保证基片清洁--24--。送气系统通、断气均采用电磁阀控制，工艺气体采用质量流量计控制，可靠性高，重复性好。片架可旋转，提高了刻蚀的均匀性。射频电源的频率和功率稳定，并有阻抗匹配器可保证射频输出功率几乎完全耦合到反应室内。电气控制具有手动/自动控制功能，在手动状态下，可以真空检漏，不能进行

7、工艺实验。采用PLC进行工艺自动控制，可靠性高，稳定性好。各电气元器件均采用插装式，便于维修和更换。四、工艺特征及控制要点4.1工艺主要由以下几个流程组成：装片运行开预抽—主抽—送气—辉光—抽空—清洗—充气运行关取片4.2工艺说明①　预抽：主要通过预抽电磁阀，将反应室的空气抽走，压力保持在0.01MPa以下；②　主抽：主要通过主抽电磁阀和电子执行器（微调气压装置），将反应室的气压保持在10Pa左右；③　送气：主要将辉光需要的气体CF4和O2送到反应室，该过程反应室的气压稳定在100Pa左右；此状态为动态平衡，即通过送气系统流量与抽气速度的匹配，维持100Pa的真