探讨欧姆接触电极的制作工艺-毕业论文

《探讨欧姆接触电极的制作工艺-毕业论文》由会员上传分享，免费在线阅读，更多相关内容在学术论文-天天文库。

1、目录摘要2Abstract3第一章　欧姆接触的原理介绍41.1金属-半导体接触的基本原理41.1.1金属与半导体的功函数41.1.2金属与半导体接触51.2　欧姆接触81.2.1欧姆接触的评价标准81.2.2欧姆接触的形成机制91.2.3欧姆接触电极的制作要点101.3　在n-GaAs和p-GaP上制作欧姆接触的意义和研究现状111.3.1在n-GaAs和p-GaP上制作欧姆接触的意义111.3.2n型GaAs、p型GaP欧姆接触的研究现状121.3.3本实验的目的和意义12参考文献14第二章欧姆接触的方法—传输线模型(TLM)方法的介绍152.1传输线

2、模型原理简介152.2测试样品的制作工艺17参考文献20第三章用TLM测量n-GaAs和p-GaP的欧姆接触213.1n型GaAs的欧姆接触电极的制作和测量213.1.1n型GaAs的欧姆接触电极的制作213.1.2测试样品的制作223.1.3实验结果分析233.2p型GaP的欧姆接触电极的制作和测量273.2.1p型GaP的欧姆接触电极的制作273.2.2测试样品的制作283.2.3实验结果分析28参考文献35第四章结论和展望364.1论文内容和结论364.1.1论文的主要内容364.1.2论文结论364.2工作展望36致谢38文献翻译3948摘要金属

3、-半导体接触（金半接触）是制作半导体器件中十分重要的问题，接触情况直接影响到器件的性能。从性质上可以将金属-半导体接触分为肖特基接触和欧姆接触。良好的欧姆接触不会降低器件的性能，当有电流通过时，欧姆接触上的电压降应远小于器件本身的电压降。目前，III-V族化合物半导体器件发展极为迅速，在数字处理、光电器件、功率器件等方面有广泛的应用。常用的III-V族化合物半导体如GaAs、GaP等欧姆接触的研究在器件应用方面具有十分重要的意义：既可优化器件性能，又能够为重要的宽禁带半导体—n型6H-SiC、GaN等材料的欧姆接触电极的制作提供有价值的参考。本文尝试在n

4、型GaAs和p型GaP上制备欧姆接触电极，探讨了欧姆接触电极的制作工艺和比接触电阻率（specificcontactresistivity）的测试方法，利用TLM方法测试了欧姆接触的比电阻率，测试结果表明得到了比较好的欧姆接触。关键词：欧姆接触，比接触电阻率，n型GaAs，p型GaP，TLM48AbstractThemetal-semiconductorcontactisquiteanimportantproblemduringthemanufactureofthesemiconductordevices.Thequalityofthecontactwi

5、llimmediatelyinfluencetheperformanceofthedevices.Themetal-semiconductorcontactcanbedevidedintoSchottkycontactandohmiccontact,duetotheirdifferentperformancecharacterization.Theidealohmiccontactshouldnotdegradethedevicetoanysignificantextent,andthevoltagedropacrossthecontactshouldb

6、esmallcomparedtothevoltagedropacrosstheactivedeviceregionswhenthecurrentflowsacrossthecontact.Atpresent,theIII-Vgroupcompoundsemiconductordevicesarerapidlydeveloped,astheypalyanimportantroleinthedigitalprocessing,optoelectronicdevices,powerdevices,etc.GaAsandGaParethecommonlyused

7、III-Vgroupcompoundsemiconductormaterials,andtheresearchesontheohmiccontactsofthemarequiteimportantforthedevicesapplication.Whileoptimizingtheperformanceofthedevices,theresearchescanalsoprovideausefulreferencefortheformationofohmiccontactsonthen-type6H-SiCandGaN,whicharethecritica

8、lwideband-gapsemiconductormaterials.Duri