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时间:2018-10-24
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1、单晶硅太阳能电池硅与电极间的欧姆接触’谭富彬赵玲陈亮维蔡云卓黄富春李茜(昆明贵金属研究所,中国昆明6s0~1)OhmicContactbetweenMonoerystallineSiliconandEkmtrodeinSolarCellTanFubin,Iang,ChinLiangwei,Yunzhuo,胁Ⅷn,LiOan(KunminglmtitutedPreciousMetals,T崦65022.1,China)Abstract:Theslnteringprocessbetweenmonoc~-stallinesiliconandsilverpasteroralumi
2、niumpasterorsilver—aluminitmlp~terwflt~observedandanalyzedbymetallography,X—raydifractionanddiferenfalthermalanalysis.Theresudtsshowthatalloyshavefonnedbetweenthem,theSehottkyBeshaseliminatedandtheOhmiccolata~-Rhasestab[ishedbeensiliconande[eetr~e.Keya~rds:Monocrystallinesilicon;Solarcell
3、;Silicon;Electrode;Ohmiccontact摘要:通过样品横断面金相观察,rig—DTA厦x一射线衍射分析,证明单晶硅与银荣、铝策(银铝策)在烧结过程中形成舍金,消除硅与电极间的肖特基势垒,使电极与硅形成欧姆接触关键词:单晶硅;太阳能电池;硅;电极;欧姆接触中图分类号:TM615文献标识码:A文章编号:1004—0676(2001)01—0012—05太阳能是取之不尽,无污染、无噪音的新能源。随工业发展及人类括动的增加,地下矿物能源日趋短缺,开发、利用太阳能已是当务之急。太阳能电池是开发、利用太阳能的手段之一,它是直接将太阳能变成电能的半导体器件,然后组
4、装成不同电压、电流和功率的装置,从而使人们获得新能源。电池可以用于空间技术、兵站、航标及其他缺电无电的边远地区。电池的电极引出线通过蒸镀、化学镀、压结、印Ⅱ烧结的方法获得。不管那种方法,要消除电极与硅问的肖特基势垒,形成欧姆接触。本文重点讨论用厚膜工艺印刷、烧结后与硅生成台金,使电极与硅形成欧姆接触_1J。电池栅极(受光面)是掺杂了其他元素的银电极,背场电极(背阳面)用铝电极及银铝电极。作者通过电极与硅形成合金,从而使硅与电极间消除了肖特基势垒,实现欧姆接触。这样拓宽了厚膜浆料的应用范围(即印刷在导电基片上),也提高了硅太阳能电池的生产效率。1实验l_1银电极的制备:选用
5、粒度≤0.2t.tm的银粉,掺杂少量过渡族或Ⅳ、V族元素,按比例加入玻璃粉,再用乙基纤维素松油醇配成厚膜浆料,丝网漏印在单晶硅片上。烘干、在700~C左右烧结后得硅太阳能电池受光面栅极,呈欧姆接触,用铅锡浆载流焊得引出线。收精日期:191O—l1基金项目:云南省科委应用基础研究资助项目(1993—06)维普资讯http://www.cqvip.com谭富彬等:单晶硅太阳能电池硅与电极同的欧姆接触1.2铝电极的制备:将粒度≤10tma的铅粉按比例加人玻璃粉,再加人乙基纤维素松油醇制成浆料。然后经印刷、烘干,65ooc左右烧结后得硅太阳能电池背场电极,呈欧姆接触。1.3银铝电
6、极的制备:选择粒度≤10tma的铝粉,按比例与粒度≤0.2inn的银粉混合,加入玻璃粉,再用乙基纤维素松油醇混合得浆料。然后丝网漏印、烘干在硅片上,经650~C左右烧结得背场银铝电极,呈欧姆接触,用铅锡浆载流焊得引出线。I.4金相样品的制备:将已烧结的Ag—Si、AgAl—Si、A1一Si片放在镶样粉中,加热压结成块,经金相制样,然后用MeF2万能金相显微镜,在明场条件观察其界面。I.5TG—DTA实验:将印刷烘干未烧结的Ag—Si、AgAl—Si、A1一Si电极,在ThennoflerTG—DTA上进行升温测定,加热速度1OK/rain,热重灵敏度为2mg满刻度,差热灵
7、敏度-i-50ttV满刻度,图速2.5ram/rain,气氛为静态空气。3种电极测试用量分别为14.6mg、l8.4mg、18.5rag,参比物03粉,样品皿均为坩埚。1.6X一射线衍射实验:用El本理学公司的D/max—RC型旋转阳极铜靶衍射仪进行分析,实验条件:管压4OkV,管流80mA,DS、SS分别为1。,RC为0.3mm,用石墨单色器滤去cu线,用软件进行c·l剥离。Ag—Si、AAl—Si、A1一Si电极烧结后逐层抛磨,逐层x一射线衍射,直至露出硅为止。2结果与讨论2.11银电极:银电极又称栅极或受光面电极-。用网
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